一种阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该显示面板包括：包括：衬底基板，位于衬底基板上的多个子像素区域，各所述子像素区域内包括：像素驱动电路，与所述像素驱动电路电连接的白色电致发光器件，以及分别与各所述子像素区域对应的不同颜色的色阻层；通过对第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域和第三颜色子像素区域内的像素驱动电路中驱动晶体管的沟道区域进行设计，增加出光亮度小的子像素区域内沟道区域的宽长比，从而增加该驱动晶体管提供的驱动电流，提高对应白色电致发光器件的亮度，使各颜色的子像素区域在相同数据电压驱动下，其出光亮度趋于一致。

Array base plate, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光器件具有主动发光、高亮度、超薄、低功耗、大视角以及工作温度范围宽等诸多优点，因此，将有机发显示阵列基板应用于显示装置备受关注。相关技术中大尺寸有机发光显示面板采用白色电致发光器件与色阻层配合来实现彩色显示。但是，相关技术中白色电致发光器件与标准白光有差异，集中表现在白光成分中某种波长范围内颜色与相应标准白光相应波长范围内的颜色有差异，因此透过各自的色阻后，相应的光损失情况不尽相同，导致在输入相同数据电压时，不同颜色的子像素发出的亮度不同，从而使得显示面板的显示质量下降。因此，如何在输入相同灰阶下，不同颜色的子像素发出的亮度趋于一致，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以实现在输入相同灰阶下，使不同颜色的子像素发出的亮度趋于一致。第一方面，本技术实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于衬底基板上的多个子像素区域，各所述子像素区域内包括：像素驱动电路，与所述像素驱动电路电连接的白色电致发光器件，以及分别与各所述子像素区域对应的不同颜色的色阻层；所述子像素区域至少包括：第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域和第三颜色子像素区域；所述像素驱动电路包括：驱动晶体管，数据写入晶体管，以及存储电容，所述存储电容连接于所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的漏极之间，所述驱动晶体管的栅极所述数据写入晶体管的漏极电连接，所述驱动晶体管的源极与第一电源线电连接，所述数据写入晶体管的栅极与扫描信号线电连接，所述数据写入晶体管的源极与数据线电连接；所述第一颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比大于所述第二颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比，所述第二颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比大于所述第三颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比；其中，所述驱动晶体管的沟道区域宽长比指的是所述驱动晶体管的半导体层与所述驱动晶体管的栅极所存在的交叠区域的宽度与长度之比，所述沟道区域的宽度指的是所述交叠区域在所述驱动晶体管的栅极延伸方向上的尺寸，所述沟道区域的长度指的是所述交叠区域在所述驱动晶体管的半导体层延伸方向上的尺寸。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，在不同颜色的子像素区域内，各所述驱动晶体管的沟道区域的宽度相同；所述第一颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的长度小于所述第二颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的长度，所述第二颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的长度小于所述第三颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的长度。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，在不同颜色的子像素区域内，各所述驱动晶体管的沟道区域的长度相同；所述第一颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的宽度大于所述第二颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的宽度，所述第二颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的宽度大于所述第三颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的宽度。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，所述第一颜色子像素区域为红色子像素区域，所述第二颜色子像素区域为绿色子像素区域，所述第三颜色子像素区域为蓝色子像素区域。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，所述子像素区域还包括：白色子像素区域；所述白色子像素区域内的驱动晶体管的沟道区域的宽长比小于所述蓝色子像素区域内的驱动晶体管的沟道区域的宽长比。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，所述像素驱动电路还包括：补偿晶体管；所述补偿晶体管的栅极与补偿扫描线电连接，所述补偿晶体管的漏极与补偿线电连接，所述补偿晶体管的源极与所述驱动晶体管的漏极电连接；所述补偿晶体管被配置为在所述补偿扫描线所提供信号的控制下获取所述驱动晶体管的阈值电压及迁移率；所述第一颜色子像素区域对应的所述补偿晶体管的沟道区域宽长比大于所述第二颜色子像素区域对应的所述补偿晶体管的沟道区域宽长比，所述第二颜色子像素区域对应的所述补偿晶体管的沟道区域宽长比大于所述第三颜色子像素区域对应的所述补偿晶体管的沟道区域宽长比。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括半导体层，所述半导体层包括：第一区域、第二区域和第三区域；所述第一区域包括各晶体管的半导体层图形在所述沟道区域的部分；所述第二区域包括各晶体管的半导体层图形在非沟道区域的部分；所述第三区域包括所述存储电容的第一电极，所述第一电极与所述扫描信号线及各所述晶体管的栅极均不存在交叠区域。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，所述存储电容的第二电极包括：位于所述半导体层靠近所述衬底基板一侧的第一金属电极，以及位于所述半导体层远离所述衬底基板一侧的第二金属电极，所述第一金属电极与所述第二金属电极电连接；所述第一电极与所述第一金属电极和所述第二金属电极均存在交叠面积。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，所述第一金属电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一电极在所述衬底基板上的正投影，且覆盖所述第二金属电极在所述衬底基板上的正投影。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，所述补偿线与所述第一金属电极同层设置。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括：栅极层；所述栅极层包括：所述扫描信号线，所述扫描信号线沿所述子像素区域的第一侧边延伸；所述补偿扫描线，所述补偿扫描线沿所述子像素区域的第二侧边延伸；连接走线，所述连接走线与所述存储电容电连接，所述连接走线位于所述扫描信号线和所述补偿扫描线之间靠近所述第一侧边，且与所述扫描信号线和所述补偿扫描线延伸方向相同；其中，所述第一侧边和所述第二侧边为所述子像素区域相对的侧边。在一种可能的实施方式中，在本技术实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括：位于所述栅极层背离所述衬底基板一侧的源漏电极层；所述源漏电极层包括：所述数据线，所述数据线沿所述子像素区域的第三侧边延伸；所述第一电源线，所述第一电源线沿所述子像素区域的第四侧边延伸；以及所述第二金属电极，所述第二金属电极位于所述数据线与所述第一电源线之间；所述第三侧边与所述第四侧边为所述子像素区域相对的侧边，且所述第一侧边与所述第三侧边相互垂直。第二方面，本技术实施例还提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于衬底基板上的多个子像素区域，各所述子像素区域内包括：像素驱动电路，与所述像素驱动电路电连接的白色电致发光器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板，位于衬底基板上的多个子像素区域，各所述子像素区域内包括：像素驱动电路，与所述像素驱动电路电连接的白色电致发光器件，以及分别与各所述子像素区域对应的不同颜色的色阻层；其特征在于，所述子像素区域至少包括：第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域和第三颜色子像素区域；所述像素驱动电路包括：驱动晶体管，数据写入晶体管，以及存储电容，所述存储电容连接于所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的漏极之间，所述驱动晶体管的栅极所述数据写入晶体管的漏极电连接，所述驱动晶体管的源极与第一电源线电连接，所述数据写入晶体管的栅极与扫描信号线电连接，所述数据写入晶体管的源极与数据线电连接；/n所述第一颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比大于所述第二颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比，所述第二颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比大于所述第三颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比；/n其中，所述驱动晶体管的沟道区域宽长比指的是所述驱动晶体管的半导体层与所述驱动晶体管的栅极所存在的交叠区域的宽度与长度之比，所述沟道区域的宽度指的是所述交叠区域在所述驱动晶体管的栅极延伸方向上的尺寸，所述沟道区域的长度指的是所述交叠区域在所述驱动晶体管的半导体层延伸方向上的尺寸。/n...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板，位于衬底基板上的多个子像素区域，各所述子像素区域内包括：像素驱动电路，与所述像素驱动电路电连接的白色电致发光器件，以及分别与各所述子像素区域对应的不同颜色的色阻层；其特征在于，所述子像素区域至少包括：第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域和第三颜色子像素区域；所述像素驱动电路包括：驱动晶体管，数据写入晶体管，以及存储电容，所述存储电容连接于所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的漏极之间，所述驱动晶体管的栅极所述数据写入晶体管的漏极电连接，所述驱动晶体管的源极与第一电源线电连接，所述数据写入晶体管的栅极与扫描信号线电连接，所述数据写入晶体管的源极与数据线电连接；
所述第一颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比大于所述第二颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比，所述第二颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比大于所述第三颜色子像素区域对应的所述驱动晶体管的沟道区域宽长比；
其中，所述驱动晶体管的沟道区域宽长比指的是所述驱动晶体管的半导体层与所述驱动晶体管的栅极所存在的交叠区域的宽度与长度之比，所述沟道区域的宽度指的是所述交叠区域在所述驱动晶体管的栅极延伸方向上的尺寸，所述沟道区域的长度指的是所述交叠区域在所述驱动晶体管的半导体层延伸方向上的尺寸。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在不同颜色的子像素区域内，各所述驱动晶体管的沟道区域的宽度相同；
所述第一颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的长度小于所述第二颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的长度，所述第二颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的长度小于所述第三颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的长度。


3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在不同颜色的子像素区域内，各所述驱动晶体管的沟道区域的长度相同；
所述第一颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的宽度大于所述第二颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的宽度，所述第二颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的宽度大于所述第三颜色子像素区域内的所述驱动晶体管的沟道区域的宽度。


4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一颜色子像素区域为红色子像素区域，所述第二颜色子像素区域为绿色子像素区域，所述第三颜色子像素区域为蓝色子像素区域。


5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素区域还包括：白色子像素区域；
所述白色子像素区域内的驱动晶体管的沟道区域的宽长比小于所述蓝色子像素区域内的驱动晶体管的沟道区域的宽长比。


6.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：补偿晶体管；
所述补偿晶体管的栅极与补偿扫描线电连接，所述补偿晶体管的漏极与补偿线电连接，所述补偿晶体管的源极与所述驱动晶体管的漏极电连接；所述补偿晶体管被配置为在所述补偿扫描线所提供信号的控制下获取所述驱动晶体管的阈值电压及迁移率；
所述第一颜色子像素区域对应的所述补偿晶体管的沟道区域宽长比大于所述第二颜色子像素区域对应的所述补偿晶体管的沟道区域宽长比，所述第二颜色子像素区域对应的所述补偿晶体管的沟道区域宽长比大于所述第三颜色子像素区域对应的所述补偿晶体管的沟道区域宽长比。


7.如权利要求6所述的阵列基...

【专利技术属性】
技术研发人员：许晨，郝学光，乔勇，吴新银，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11