【技术实现步骤摘要】
图像传感器及图像采集设备
本专利技术涉及图像传感器
，具体而言，涉及一种图像传感器及图像采集设备。
技术介绍
图像传感器或称感光元件，是一种将光学图像转换成电子信号的设备，它被广泛地应用在数码相机和其他电子光学设备中。CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点，最近几年在宽动态、低照度方面发展迅速。CMOS即互补性金属氧化物半导体，主要是利用硅和锗两种元素所做成的半导体，通过CMOS上带负电和带正电的晶体管来实现基本的功能。这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片记录和解读成影像。CMOS图像传感器至少包括：像素阵列、时序控制模块、模拟信号处理模块以及模数转换模块，其中，像素阵列可以采用光电二极管实现光电转换。目前现有技术中，在采用CMOS图像传感器实现光电转移和调制时，是把像素感光区域面积做小，实现光生电子的快速调制转移，或者是使用特定区域掺杂形成梯度分布电场，实现光电子的转移过程。但是，由于像素面积做小，一定程度上将会影响光电效率，或者，由于掺杂...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器的感光区域包括：第一感光子区域、第二感光子区域和第三感光子区域；其中，所述第一感光子区域、所述第二感光子区域和所述第三感光子区域中的掺杂浓度依次递增，使得所述第一感光子区域产生的光电子通过所述第二感光子区域转移至所述第三感光子区域；/n所述第三感光子区域的周侧设置有调制组件，所述调制组件对所述第三感光子区域的光电子进行调制输出。/n
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器的感光区域包括：第一感光子区域、第二感光子区域和第三感光子区域；其中，所述第一感光子区域、所述第二感光子区域和所述第三感光子区域中的掺杂浓度依次递增，使得所述第一感光子区域产生的光电子通过所述第二感光子区域转移至所述第三感光子区域；
所述第三感光子区域的周侧设置有调制组件，所述调制组件对所述第三感光子区域的光电子进行调制输出。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一感光子区域的第一边长小于第二边长，所述第一边长包括所述第一感光子区域中远离所述第二感光子区域的沿第一方向的边长，所述第二边长包括所述第一感光子区域中接近所述第二感光子区域的沿第一方向的边长。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二感光子区域的第三边长小于第四边长，所述第三边长包括所述第二感光子区域中远离所述第三感光子区域的沿第一方向的边长，所述第四边长包括所述第二感光子区域中接近所述第三感光子区域的沿第一方向的边长。
4.如权利要求2或3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二感光子区域与所述第一感光子区域相邻部分形成第一重叠区域；所述第二感光子区域与所述第三感光子区域相邻部分形成第二重叠区域；
所述第一重叠区域包括以下任一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷述宇，
申请(专利权)人：宁波飞芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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