CMOS图像传感器的像素结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种CMOS图像传感器的像素结构，所述图像传感器包括多个阵列排布的像素单元，至少两个相邻像素单元构成子像素单元矩阵，每个子像素单元矩阵共用一组读出电路，在所述子像素单元矩阵的横向一侧和纵向一侧均设置有读出电路的晶体管，所述晶体管包括源跟随晶体管、复位晶体管。本实用新型专利技术的CMOS图像传感器的像素结构，通过在子像素单元矩阵的横向一侧和纵向一侧均设置有读出电路的晶体管，从而降低了版图设计难度，减少了工艺难度和成本，提高了成像质量，提高了图像传感器的整体性能。

Pixel structure of CMOS image sensor

【技术实现步骤摘要】
CMOS图像传感器的像素结构
本技术涉及一种CMOS图像传感器的像素结构。
技术介绍
CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点。因此，随着技术发展，CMOS图像传感器越来越多地取代CCD图像传感器应用于各类电子产品中。目前CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置（例如胃镜）、车用摄像装置等。图1、图2示出现有技术中常见的CMOS图像传感器的像素结构。如图1所示，该图像传感器包括多个阵列排布的像素单元110，至少两个相邻像素单元110构成一个子像素单元矩阵，每个子像素单元矩阵共用一组读出电路，在此示出为四个相邻像素单元110_a、110_b、110_c、110_d构成一个子像素单元矩阵，每个子像素单元矩阵共用一组读出电路，于是四个相邻像素单元110_a、110_b、110_c、110_d及其读出电路构成组合像素单元，图1中示出四个组合像素单元100-A、100-B、100-C、100-D作为示例。图1示出为采用4T结构的图像传感器，读出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，/n所述图像传感器包括多个阵列排布的像素单元，至少两个相邻像素单元构成子像素单元矩阵，每个子像素单元矩阵共用一组读出电路，在所述子像素单元矩阵的横向一侧和纵向一侧均设置有读出电路的晶体管，所述晶体管包括源跟随晶体管、复位晶体管。/n

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，
所述图像传感器包括多个阵列排布的像素单元，至少两个相邻像素单元构成子像素单元矩阵，每个子像素单元矩阵共用一组读出电路，在所述子像素单元矩阵的横向一侧和纵向一侧均设置有读出电路的晶体管，所述晶体管包括源跟随晶体管、复位晶体管。


2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述源跟随晶体管位于所述子像素单元矩阵的横向一侧，所述复位晶体管位于所述子像素单元矩阵的纵向一侧，或者所述源跟随晶体管位于所述子像素单元矩阵的纵向一侧，所述复位晶体管位于所述子像素单元矩阵的横向一侧。


3.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述至少两个相邻像素单元及其读出电路构成组合像素单元，所述组合像素单元的最长边小于等于4微米。


4.如权利要求1或2所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述读出电路的晶体管还包括行选择晶体管。


5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的像素结构，其特征在于，所述源跟随晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31