一种碳化硅籽晶制备用的抛光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅籽晶制备用的抛光装置，包括底座板、加工装置和限位装置，所述底座板顶部一侧固定有加工装置，所述底座板内部开有加工槽，所述加工槽内部底部设有限位装置，所述限位装置与底座板内壁固定连接，所述限位装置设有四个，所述限位装置呈矩形排列，此碳化硅籽晶制备用的抛光装置，使用驱动电机带动抛光轮对碳化硅籽晶进行抛光，抛光动力较为稳定，抛光效果好，提升后续碳化硅制备的质量，使用吸盘吸取碳化硅籽晶片，一方面吸附力更强，便于籽晶抛光的稳定性，提升抛光效果，另一方面保护籽晶片，防止籽晶片折断等其它人造成缺陷，提升籽晶制备的产量。

A polishing device for silicon carbide seed preparation

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅籽晶制备用的抛光装置
本技术涉及碳化硅制备
，具体为一种碳化硅籽晶制备用的抛光装置。
技术介绍
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石，碳化硅又称碳硅石，在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。现有的碳化硅制备工艺中，通常采用碳化硅籽晶贴片方式制备碳化硅，碳化硅籽晶的状态影响碳化硅制备的速度与质量，现有的碳化硅籽晶制备时需要使用较大的碳化硅晶体切片，后抛光，现有的籽晶制备大都使用人工方式机械抛光或者化学抛光，化学抛光会与籽晶反应造成籽晶表面缺陷，从而影响碳化硅制备的速度和质量，现有的人工机械抛光通常直接手动抛光，但是碳化硅籽晶的厚度为300μm-500μm，容易变形，抛光时注意事项较多，员工不注意就会损坏籽晶，抛光效果较差，为此，我们提出一种碳化硅籽晶制备用的抛光装置。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种碳化硅籽晶制备用的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅籽晶制备用的抛光装置，包括底座板(1)、加工装置(2)和限位装置(3)，其特征在于：所述底座板(1)顶部一侧固定有加工装置(2)，所述底座板(1)内部开有加工槽(4)，所述加工槽(4)内部底部设有限位装置(3)，所述限位装置(3)与底座板(1)内壁固定连接，所述限位装置(3)设有四个，所述限位装置(3)呈矩形排列。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅籽晶制备用的抛光装置，包括底座板(1)、加工装置(2)和限位装置(3)，其特征在于：所述底座板(1)顶部一侧固定有加工装置(2)，所述底座板(1)内部开有加工槽(4)，所述加工槽(4)内部底部设有限位装置(3)，所述限位装置(3)与底座板(1)内壁固定连接，所述限位装置(3)设有四个，所述限位装置(3)呈矩形排列。


2.根据权利要求1所述的一种碳化硅籽晶制备用的抛光装置，其特征在于：所述限位装置(3)由顶出气缸(15)和吸盘(16)构成，所述底座板(1)内壁固定有顶出气缸(15)，所述顶出气缸(15)顶部固定有吸盘(16)，所述吸盘(16)位于加工槽(4)底部。


3.根据权利要求1所述的一种碳化硅籽晶制备用的抛光装置，其特征在于：所述加工槽(4)顶部倒角(17)。


4.根据权利要求1所述的一种碳化硅籽晶制备用的抛光装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵杰，程鹏，
申请(专利权)人：天津市卓辉电子有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12