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一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法技术

技术编号:24175053 阅读:62 留言:0更新日期:2020-05-16 04:18
一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法,通过在基体上下表面预先制备了立体图形结构阵列,大幅增加了基体材料的表面积和表面化学键能,提高了与基体材料接触的功能层、过渡金属层I及过渡金属层II的粘附性的粘附性,通过在立体图形结构阵列上制造功能层,有效的结合基体材料和功能层材料热导率或热膨胀系数各自特点,调节符合材料整体的热导率或热膨胀系数,保证与半导体激光器材料本身热失配小的前提下降低热沉材料的热阻,提高散热性能,保证了激光器光电性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法
本专利技术涉及激光器封装
,具体涉及一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法。
技术介绍
半导体激光器芯片广泛应用于通讯、加工、医学、科研、传感等领域,具有体积小、效率高、重量轻、寿命长、工艺兼容性好等诸多优点,近年来发展尤为迅速,极大地促进了信息、测量、医疗、娱乐等相关产业的发展。半导体激光器本身器件特性和各类应用需求的特殊性,几乎所有半导体激光器(或巴条)都必须经过贴片封装工艺方能投入下游应用端生产。由于半导体激光器属于典型的电光转换芯片,随着半导体激光器输出功率的不断提高,受制于电光转换效率的影响,除转化为有效光功率输出的部分外,最少存在30%以上的电功率转换成了无效的废热功率,而此类废热将反过来直接影响半导体激光器的输出功率、光学特性以及可靠性等各项参数。因此半导体激光器芯片应用中实际性能与其工作温度和废热控制有着密切的相关性,散热问题成为直接影响半导体激光器,特别是大功率半导体激光器性能的关键因素。目前最常用的散热方法是采用热沉材料将半导体激光器工作时产生的废热传本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有图形化结构的半导体激光器热沉,其特征在于,包括:/n基体,其上下两端面分别沿平面方向排布有若干立体图形结构,形成立体图形结构阵列;/n过渡金属层I,设置于基体下方,过渡金属层I覆盖于基体下方的立体图形结构阵列下端;/n过渡金属层II,设置于基体上方,过渡金属层II覆盖于基体上方的立体图形结构阵列上端,所述过渡金属层II上设置有隔离槽,隔离槽将过渡金属层II分割成两个相互独立的区域;/n焊料层,设置于过渡金属层II上方的一独立区域中和/或设置于过渡金属层I上。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有图形化结构的半导体激光器热沉,其特征在于,包括:
基体,其上下两端面分别沿平面方向排布有若干立体图形结构,形成立体图形结构阵列;
过渡金属层I,设置于基体下方,过渡金属层I覆盖于基体下方的立体图形结构阵列下端;
过渡金属层II,设置于基体上方,过渡金属层II覆盖于基体上方的立体图形结构阵列上端,所述过渡金属层II上设置有隔离槽,隔离槽将过渡金属层II分割成两个相互独立的区域;
焊料层,设置于过渡金属层II上方的一独立区域中和/或设置于过渡金属层I上。


2.根据权利要求1所述的具有图形化结构的半导体激光器热沉,其特征在于:所述立体图形的形状为圆柱或锥体或方台或棱台或不规则立体图形,立体图形的结构为凸起或凹陷或凹凸交错。


3.根据权利要求1所述的具有图形化结构的半导体激光器热沉,其特征在于:还包括功能层,所述功能层设置于基体上方和/或下方,功能层覆盖基体上方和/或基体下方的立体图形结构阵列。


4.根据权利要求1所述的具有图形化结构的半导体激光器热沉,其特征在于:所述立体图形结构外径为10nm-500μm。


5.根据权利要求1所述的具有图形化结构的半导体激光器热沉,其特征在于:所述过渡金属层I采用NiAu或NiPtAu或TiAu或TiPtAu材料,过渡金属层I的厚度为1μm-100μm,所述过渡金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒋锴李星宇孙旺根夏伟唐文婧
申请(专利权)人:济南大学
类型:发明
国别省市:山东;37

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