当前位置: 首页 > 专利查询>山东大学专利>正文

一种电泵浦钙钛矿激光器制造技术

技术编号:24175049 阅读:34 留言:0更新日期:2020-05-16 04:18
本发明专利技术公开了一种电泵浦钙钛矿激光器,由底部至顶部的结构依次为基板、P电极、部分反射镜层、空穴传输层、钙钛矿有源发光区、电子传输层、全反射镜层和N电极,所述P电极制备在基板上,所述N电极制备在全反射镜层上,多个N电极之间留有空气通道;所述P电极和N电极分别外接电源的正极和负极,本发明专利技术所公开的电泵浦钙钛矿激光器提高了以钙钛矿为有源区的芯片内部的载流子迁移率,提高了器件性能;谐振腔采用FP腔镜模式,实现了反射镜层与传输层的大面积接触,可以充分利用工作物质,使光束在整个工作物质内振荡;采用旋涂法和热蒸发方法即可制备,制作工艺简单。

An electrically pumped perovskite laser

【技术实现步骤摘要】
一种电泵浦钙钛矿激光器
本专利技术涉及一种激光器,特别涉及一种电泵浦钙钛矿激光器。
技术介绍
钙钛矿材料有相同的化学结构式:ABX3。其中A为一价阳离子,B为二价金属阳离子,X为卤族元素或者卤族元素的混合。钙钛矿材料是一种直接带隙半导体材料,具有带隙可调、吸收系数大、光学增益高、量子产率高以及缺陷态密度低等优点,使其在激光器领域取得了突飞猛进的发展。近年来,利用溶液法制备的半导体材料取得了长足的发展,已经在溶液法制备的钙钛矿中实现了连续光泵浦的激光,然而由电泵浦的钙钛矿激光器还没有实现,暂无相关实验数据报道。中国专利CN109687290A提供了一种电泵浦钙钛矿复合腔激光器,属于量子点激光器领域。此专利技术提供的电泵浦钙钛矿复合腔激光器包括:发光单元,从上至下依次包括N型电极、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层以及P型电极;绝缘微盘,包括圆盘和侧向光栅;所述绝缘微盘嵌于所述发光单元之间,绝缘微盘的等效折射率与所述发光单元的等效折射率不同。此专利技术通过增加带侧向光栅的绝缘微盘,使发光单元与绝缘微盘形成回音壁模式共振,提高了钙钛矿激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电泵浦钙钛矿激光器,其特征在于,由底部至顶部的结构依次为基板、P电极、部分反射镜层、空穴传输层、钙钛矿有源发光区、电子传输层、全反射镜层和N电极,所述P电极制备在基板上,所述N电极制备在全反射镜层上,多个N电极之间留有空气通道;所述P电极和N电极分别外接电源的正极和负极。/n

【技术特征摘要】
1.一种电泵浦钙钛矿激光器,其特征在于,由底部至顶部的结构依次为基板、P电极、部分反射镜层、空穴传输层、钙钛矿有源发光区、电子传输层、全反射镜层和N电极,所述P电极制备在基板上,所述N电极制备在全反射镜层上,多个N电极之间留有空气通道;所述P电极和N电极分别外接电源的正极和负极。


2.根据权利要求1所述的一种电泵浦钙钛矿激光器,其特征在于,所述基板为玻璃,厚度为0.1-1mm。


3.根据权利要求1所述的一种电泵浦钙钛矿激光器,其特征在于,所述P电极材料选用氧化铟锡,厚度为5-200nm。


4.根据权利要求1所述的一种电泵浦钙钛矿激光器,其特征在于,所述部分反射镜层由多种材料制成具有不同折射率的交错层结构,其中靠近P电极的一侧选用ZnS、MgF2材料中的一种或两种,远离P电极的一侧选用ZnO、SnO2、CdO、In2O3材料中的一种或两种,形成交错层,所述部分反射镜层厚度为5-200nm。


5.根据权利要求1所述的一种电泵浦钙钛矿激光器,其特征在于,所述空穴传输层选用材料PEDOT:PSS...

【专利技术属性】
技术研发人员:左致远康汝燕张子琦
申请(专利权)人:山东大学
类型:发明
国别省市:山东;37

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1