本发明专利技术提供一种介质滤波器及通信装置，包括至少三个相连接的介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料构成的本体及位于本体表面的调谐孔，所有介质谐振器的本体构成介质滤波器的本体；至少一组负耦合孔，任一组负耦合孔包括至少两个负耦合孔，两个负耦合孔分别设置在介质滤波器本体的相对的两个表面上，且均位于两个介质谐振器的连接位置处，任一负耦合孔为盲孔，介质滤波器的本体表面、调谐孔表面及负耦合孔表面覆盖导电层。在介质滤波器本体相对的两个表面分别设置负耦合孔，且负耦合孔可以设置不同的深度来调节耦合量，同时深度可调能够避免负耦合孔底部到对面的介质太薄，在加工时出现表面凸起或鼓包。
A medium filter and communication device
【技术实现步骤摘要】
一种介质滤波器及通信装置
本专利技术涉及通信
，具体涉及一种介质滤波器及通信装置。
技术介绍
5G通信是目前最前沿的通信技术，各通信公司竞相展开相关方面的研究。其中的Sub6GHz采用MIMO技术，因此需要大量的滤波器集成于天线内部，因此对滤波器的体积和重量都有更高的要求。传统的金属滤波器由于体积和重量太大，无法实现与天线的集成。采用高介电常数材料所实现的小型化介质滤波器，由于其尺寸和重量低于传统滤波器的1/100，是目前实现Sub6GHzMIMO通信系统的有效解决途径。该类介质滤波器采用固态介电材料(如高介电常数的陶瓷材料)制成的本体，并在本体表面金属化(如镀银)，来形成介质谐振器；通过依次连接的多个介质谐振器以及各个谐振器之间的耦合(包括相邻介质谐振器之间的直接耦合和非相邻介质谐振器之间的交叉耦合)，形成介质滤波器。其中，各个谐振器之间的耦合根据极性可分为正耦合(也可以称为电感耦合)和负耦合(也可称为电容耦合)。该类介质滤波器实现极性为正的交叉耦合较容易，但是极性为负的交叉耦合较难实现。为实现介质滤波器的负交叉耦合，现有技术中有采用在两个介质谐振器之间加工一个很深的盲孔，相当与加载一个很大的电容来实现负交叉耦合，但形成负交叉耦合的盲孔很深，盲孔底部到对面的介质层很薄，首先，制造精度高，无法调试，在成型盲孔的时候容易在对面形成凸起或鼓包，影响介质滤波器本体的平整度；另外，会影响介质滤波器本体的机械强度，降低其使用寿命。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中介质滤波器加工精度高，影响平整度且机械强度低。为此，本专利技术提出一种介质滤波器，包括：至少三个相连接的介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料构成的本体及位于本体表面的调谐孔；所有所述介质谐振器的本体构成所述介质滤波器的本体；至少一组负耦合孔；任一组所述负耦合孔包括至少两个负耦合孔；两个所述负耦合孔分别设置在所述介质滤波器本体的相对的两个表面上，且均位于两个所述介质谐振器的连接位置处；任一所述负耦合孔为盲孔；所述介质滤波器的本体表面、调谐孔表面及负耦合孔表面覆盖导电层。任一组所述负耦合孔中包括两个负耦合孔；两个所述负耦合孔同轴设置。任一组所述负耦合孔中的所述负耦合孔可以设置不同深度。任一组所述负耦合孔中至少一个所述负耦合孔的深度大于或等于所述介质滤波器本体厚度的二分之一。所述负耦合孔的深度及该负耦合孔内覆盖的所述导电层的面积与该负耦合孔所在位置相接的两个所述介质谐振器之间的电容耦合的耦合量相关。所述调谐孔的深度及该调谐孔内覆盖的所述导电层的面积均与该调谐孔所在的介质谐振器的谐振频率相关。所述导电层的厚度大于或等于趋肤深度。所述导电层为银层。所述固态介电材料为陶瓷材料。所有介质谐振器本体采用同一固态介电材料整体成型。本专利技术提供一种通信装置，包括至少一个上述所述的介质滤波器。本专利技术技术方案，具有如下优点：1.本专利技术提供的介质滤波器，包括至少三个相连接的介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料构成的本体及位于本体表面的调谐孔，所有介质谐振器的本体构成介质滤波器的本体；至少一组负耦合孔，任一组负耦合孔包括至少两个负耦合孔，两个负耦合孔分别设置在介质滤波器本体的相对的两个表面上，且均位于两个介质谐振器的连接位置处，任一负耦合孔为盲孔，介质滤波器的本体表面、调谐孔表面及负耦合孔表面覆盖导电层。在介质滤波器本体相对的两个表面分别设置负耦合孔，且负耦合孔可以设置不同的深度来调节耦合量，同时能够避免负耦合孔底部到对面的介质太薄，在加工时出现表面凸起或鼓包。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一种介质滤波器的结构示意图；图2为本专利技术中陶瓷本体位于调谐孔一侧的结构示意图；图3为本专利技术一种介质滤波器的频率响应曲线。附图标记说明：1-陶瓷本体；11-银层；2-输入输出端口；3-调谐孔；4-PCB；40-让位孔；5-绿油；6-负耦合孔。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。实施例1本实施例提供一种介质滤波器，包括至少三个相连接的介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料构成的本体及位于本体表面的调谐孔3，所有介质谐振器的本体构成介质滤波器的本体。如图1所示，本实施例中，介质谐振器设置四个，如图2所示，每个介质谐振器上具有一个调谐孔3，四个介质谐振器呈田字排布，介质谐振器还可以设置五个、六个等等。本实施例中，固态介电材料为陶瓷材料，介质谐振器的本体为陶瓷本体1，当然也可以采用其它材料，如玻璃等，视具体需要而定。本实施例中，所有介质谐振器本体采用同一陶瓷本体1整体成型，如图2所示，即同一陶瓷本体1上呈田字分布设置四个调谐孔3。陶瓷本体1表面覆盖导电层，导电层可以为铜层、锡层、银层11或铝层等金属层，导电层的厚度大于或等于趋肤深度。本实施例中，导电层采用银层11，对陶瓷本体1表面覆盖，实现完整封闭的电磁场传输结构。调谐孔3内覆盖银层11，且调谐孔3的深度及该调谐孔3内覆盖的银层11的面积均与该调谐孔3所在的介质谐振器的谐振频率相关。图3为本实施例中介质滤波器的频率响应曲线。至少一组负耦合孔6，任一组负耦合孔6包括至少两个负耦合孔6，两个负耦合孔6分别设置在介质滤波器本体的相对的两个表面上，且均位于两个介质谐振器的连接位置处，本实施例中本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种介质滤波器，其特征在于，包括：/n至少三个相连接的介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料构成的本体及位于本体表面的调谐孔(3)；所有所述介质谐振器的本体构成所述介质滤波器的本体；/n至少一组负耦合孔(6)；任一组所述负耦合孔(6)包括至少两个负耦合孔(6)；两个所述负耦合孔(6)分别设置在所述介质滤波器本体的相对的两个表面上，且均位于两个所述介质谐振器的连接位置处；/n任一所述负耦合孔(6)为盲孔；/n所述介质滤波器的本体表面、调谐孔(3)表面及负耦合孔(6)表面覆盖导电层。/n
【技术特征摘要】
1.一种介质滤波器，其特征在于，包括：
至少三个相连接的介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料构成的本体及位于本体表面的调谐孔(3)；所有所述介质谐振器的本体构成所述介质滤波器的本体；
至少一组负耦合孔(6)；任一组所述负耦合孔(6)包括至少两个负耦合孔(6)；两个所述负耦合孔(6)分别设置在所述介质滤波器本体的相对的两个表面上，且均位于两个所述介质谐振器的连接位置处；
任一所述负耦合孔(6)为盲孔；
所述介质滤波器的本体表面、调谐孔(3)表面及负耦合孔(6)表面覆盖导电层。
2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，任一组所述负耦合孔(6)中包括两个负耦合孔(6)；两个所述负耦合孔(6)同轴设置。
3.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，任一组所述负耦合孔(6)中的所述负耦合孔(6)可以设置不同深度。
4.根据权利要求3所述的介质滤波器，其特征在于，任一组所述负耦合孔(6)中至少一个所述负耦合孔(6)的深度大于或等于所述介质滤波器本体厚度的二分...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴亚晖，吴文敬，李杰，袁昕，
申请(专利权)人：深圳市大富科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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