一种全MOSFET亚阈值带隙基准电压源制造技术

本发明专利技术属于模拟集成电路技术领域，具体为一种全MOSFET亚阈值带隙基准电压源，用以克服现有的基于亚阈值技术的低电压带隙基准电压源需要用到BJT或二极管、导致占用芯片面积较大的问题。本发明专利技术在全MOSFET条件下，PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路均采用由栅极、衬底及源极相接的PMOS管与二极管接法的PMOS管串联的结构；巧妙的通过调节PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路中作为亚阈值电流源的PMOS的沟道长度，从而调节PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路中栅漏电流的大小，使得PTAT电压产生电路产生PTAT电压，CTAT电压产生与PTAT电压温漂系数互补的CTAT电压，进而得到了全MOSFET的低电压、低功耗亚阈值带隙基准电压源。

【技术实现步骤摘要】
一种全MOSFET亚阈值带隙基准电压源
本专利技术属于模拟集成电路
，涉及带隙基准电压源结构，具体为一种低电压、低功耗的全MOSFET亚阈值带隙基准电压源。
技术介绍
带隙基准电压源广泛应用于如AD/DA、LDO、PLL等各类集成电路模块之中，起到了基础但关键的作用。随着近些年来极低功耗集成电路设计的流行和工艺制程的进步，医疗电子、物联网等领域都需要工作在低电压下的低功耗基准电压源作为电路的有力支撑。目前应用最广泛的是基于亚阈值的带隙基准电压源设计技术，它利用MOSFET在亚阈区具有极低漏源电流的特性大幅度削减了电路功耗，同时亚阈区的设计也确保了电路可以工作在较低的电源电压下。如图2所示为一种传统亚阈值带隙基准电压源，其电路结构主要包括以下部分：亚阈值电流源，由一个栅极与源极相接、衬底与源极相接的PMOS管M2构成；正温系数(PTAT)电压产生电路，由两个二极管接法的PMOS管M3、M4串联构成，所述二极管接法的PMOS管是指衬底与源极相连、栅极与漏极相连的PMOS管；负温系数(CTAT)电压产生电路，由一个基极与集电极相接的PN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全MOSFET亚阈值带隙基准电压源，包括：PTAT电压产生电路、CTAT电压产生电路与反馈电路，其中，所述反馈电路由NMOS管M

【技术特征摘要】
1.一种全MOSFET亚阈值带隙基准电压源，包括：PTAT电压产生电路、CTAT电压产生电路与反馈电路，其中，所述反馈电路由NMOS管M5构成；其特征在于，所述PTAT电压产生电路由PMOS管M6与PMOS管M8实现，所述CTAT电压产生电路由PMOS管M7与PMOS管M9实现；所述PMOS管M6的栅极、源极及衬底相连、且连接于NMOS管M5的源极，所述NMOS管M5的漏极连接电源VDD，所述NMOS管M5的栅极与基准电压端VREF相接；所述PMOS管M7的栅极、源极及衬底相连、且连接于PMOS管M6的漏极，所述PMOS管M7的漏极与基准电压端VREF相接；所述PMOS管M8的衬底与源极相连、且与基准电压端VREF相...

【专利技术属性】
技术研发人员：王政，赵琦伟，谢倩，庄哲瀚，李云昊，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51