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本发明属于模拟集成电路技术领域，具体为一种全MOSFET亚阈值带隙基准电压源，用以克服现有的基于亚阈值技术的低电压带隙基准电压源需要用到BJT或二极管、导致占用芯片面积较大的问题。本发明在全MOSFET条件下，PTAT电压产生电路与CTAT...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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