【技术实现步骤摘要】
一种新型输出开关
本技术属于电力电子技术，尤其涉及一种新型输出开关。
技术介绍
传统的模拟多路复用器芯片通常采用PN结隔离的工艺，其中，传统输出开关的结构如图1所示，该输出开关是由PMOS管P1和NMOS管N1组成的，其中P1的衬底(N阱)接VDD，N1的衬底(P-sub)接VSS。上述开关管在控制信号GP和GN的作用下同时打开或者关断。当GP为“0”，GN为“1”时开关导通，导通电阻RON等于P1和N1的源漏电阻RDS的并联电阻。开关电阻RON与VS关系的波形如图2所示，其中，在Vs变化的过程中，由于体效应从而导致N1和P1的导通电阻RDS随VS发生较大变化，所谓体效应即衬底与MOS管源极之间的电压VSB变化引起VTH的变化，VTH的表达式如下所示：实际应用过程，上述变化将影响开关电阻RON的一致性，使产品性能下降，如何优化产品性能、改善开关电阻RON的一致性成为该领域的技术难题。
技术实现思路
本技术采用介质隔离的高压CMOS工艺，能够解决模拟多路复用器芯片中存在的开关电阻RON随...
【技术保护点】
1.一种新型输出开关，其特征在于，包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)，其中：/n所述第一PMOS管(P1)和第一NMOS管(N1)并联，并联后两侧的公共端分别为第一端口(S)和第二端口(D)；/n所述第一PMOS管(P1)的衬底通过第二PMOS管(P2)连接V
【技术特征摘要】
1.一种新型输出开关，其特征在于，包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)，其中：
所述第一PMOS管(P1)和第一NMOS管(N1)并联，并联后两侧的公共端分别为第一端口(S)和第二端口(D)；
所述第一PMOS管(P1)的衬底通过第二PMOS管(P2)连接VDD电源；
所述第一NMOS管(N1)的衬底通过第二NMOS管(N2)连接VSS电源；
所述第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)串联在第一PMOS管(P1)衬底和第一NMOS管(N1)衬底之间；
所述第一NMOS管(N1)和第三NMOS管(N3)以及第四NMOS管(N4)的栅极均连接至第一控制端口(GN)；
所述第一PMOS管(P1)的栅极连接至第二控制端口(GP)。
2.根据权利要求1所述的新型输出开关，其特征在于，还包括第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，所述第一电阻(R1)设置在第二PMOS管(P2)的漏极与...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕强，孙忠民，郭靖，高连山，赵红武，
申请(专利权)人：西安硅宇微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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