应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路，包括1K欧姆下拉电阻、两个负阀值电压型NMOS元件和产生负电压的负电荷泵，负电荷泵的输入端与C型连接头IC芯片电连接，负电荷泵的输出端与其一负阀值电压型NMOS元件电连接，两耗尽型NMOS元件串联，另一负阀值电压型NMOS元件与1K欧姆下拉电阻的一端电连接、另一端与C型连接头IC芯片的CC脚电连接。与现有技术相比，IC芯片未供电时1K欧姆下拉电阻的路径被一直打开，1K欧姆下拉电阻的阻抗在没有任何电源传送到IC芯片时仍一直存在；当供电设备给IC芯片供电时1K欧姆下拉电阻被关闭，产生高阻抗，功耗立即降低，使C型连接头的功耗较低。

1K ohm pull-down resistance breaking circuit for c-connector

【技术实现步骤摘要】
应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路
本技术涉及充电连接线领域,特别涉及一种应于在C型连接头的1K欧姆断开电路。
技术介绍
现有充电系统中一般包括供电设备、连接线和受电设备，连接线将供电设备与受电设备电连接配合，此连接线上具有其于E-marker协议的C型连接头，也称为C转接头。此种C型连接头支持正反面插入，解决了传统USB接口接不准的问题，广泛应用于便携式电子产品中。此种C型连接头在电源初始状态时会有电源连接状况的检测，即会在C型连接头的IC芯片在CC脚上连接一1K欧姆下拉电阻,操作时供电设备会先检测C型连接头的IC芯片在CC1或CC2上的下拉电阻，检测到CC1或CC2接口具有1K欧姆下拉电阻时VBUS开关会在200ms内打开，VCONN会连接到CC1或CC2接口，PD或BMC协议通过连接到IC芯片，同时还会连接到1K欧姆电阻处表示电缆中有E-marker，这样，供电过程中1K欧姆电阻一直得电工作，造成电力浪费，而实际应用中1K欧姆电阻只需要在初始状态时工作即可，这就造成C型连接头的功率消耗较大。有鉴于此，本专利技术人对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路，其特征在于：包括1K欧姆下拉电阻、第一负阀值电压型NMOS元件、第二负阀值电压型NMOS元件元件和产生负电压的负电荷泵，上述负电荷泵的电源端与C型连接头IC芯片的1.8V电压供电端电连接，上述负电荷泵的信号输入端与C型连接头IC芯片的控制端电连接，上述负电荷泵的输出端与第一负阀值电压型NMOS元件的栅极电连接，第一负阀值电压型NMOS元件漏极接地，第一负阀值电压型NMOS元件的源极与第二负阀值电压型NMOS元件的漏极电连接，第二负阀值电压型NMOS元件的栅极与C型连接头IC芯片的3.3V电压供电端电连接，第二负阀值电压型NMOS元件的源极与1K欧...

【技术特征摘要】
1.应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路，其特征在于：包括1K欧姆下拉电阻、第一负阀值电压型NMOS元件、第二负阀值电压型NMOS元件元件和产生负电压的负电荷泵，上述负电荷泵的电源端与C型连接头IC芯片的1.8V电压供电端电连接，上述负电荷泵的信号输入端与C型连接头IC芯片的控制端电连接，上述负电荷泵的输出端与第一负阀值电压型NMOS元件的栅极电连接，第一负阀值电压型NMOS元件漏极接地，第一负阀值电压型NMOS元件的源极与第二负阀值电压型NMOS元件的漏极电连接，第二负阀值电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏国才，吴青正，
申请(专利权)人：信路达信息技术厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35