本实用新型专利技术公开一种应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路,包括1K欧姆下拉电阻、两个负阀值电压型NMOS元件和产生负电压的负电荷泵,负电荷泵的输入端与C型连接头IC芯片电连接,负电荷泵的输出端与其一负阀值电压型NMOS元件电连接,两耗尽型NMOS元件串联,另一负阀值电压型NMOS元件与1K欧姆下拉电阻的一端电连接、另一端与C型连接头IC芯片的CC脚电连接。与现有技术相比,IC芯片未供电时1K欧姆下拉电阻的路径被一直打开,1K欧姆下拉电阻的阻抗在没有任何电源传送到IC芯片时仍一直存在;当供电设备给IC芯片供电时1K欧姆下拉电阻被关闭,产生高阻抗,功耗立即降低,使C型连接头的功耗较低。
1K ohm pull-down resistance breaking circuit for c-connector
【技术实现步骤摘要】
应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路
本技术涉及充电连接线领域,特别涉及一种应于在C型连接头的1K欧姆断开电路。
技术介绍
现有充电系统中一般包括供电设备、连接线和受电设备,连接线将供电设备与受电设备电连接配合,此连接线上具有其于E-marker协议的C型连接头,也称为C转接头。此种C型连接头支持正反面插入,解决了传统USB接口接不准的问题,广泛应用于便携式电子产品中。此种C型连接头在电源初始状态时会有电源连接状况的检测,即会在C型连接头的IC芯片在CC脚上连接一1K欧姆下拉电阻,操作时供电设备会先检测C型连接头的IC芯片在CC1或CC2上的下拉电阻,检测到CC1或CC2接口具有1K欧姆下拉电阻时VBUS开关会在200ms内打开,VCONN会连接到CC1或CC2接口,PD或BMC协议通过连接到IC芯片,同时还会连接到1K欧姆电阻处表示电缆中有E-marker,这样,供电过程中1K欧姆电阻一直得电工作,造成电力浪费,而实际应用中1K欧姆电阻只需要在初始状态时工作即可,这就造成C型连接头的功率消耗较大。有鉴于此,本专利技术人对上述问题进行深入研究,遂由本案产生。
技术实现思路
有鉴于此,本技术的目的在于提供一种应用于C连接头的低功耗1k欧姆下拉电阻断开电路,以解决现有技术中C连接头在充电工作时1k欧姆下拉电阻一直处于工作状态而造成电量消耗,使C连接头的功耗大的问题。为了达成上述目的,本技术的解决方案是:应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路,包括1K欧姆下拉电阻、第一负阀值电压型NMOS元件、第二负阀值电压型NMOS元件和产生负电压的负电荷泵,上述负电荷泵的电源端与C型连接头IC芯片的1.8V电压供电端电连接,上述负电荷泵的信号输入端与C型连接头IC芯片的控制端电连接,上述负电荷泵的输出端与第一耗尽型NMOS元件的栅极电连接,第一耗尽型NMOS元件漏极接地,第一耗尽型NMOS元件的源极与第二耗尽型NMOS元件的漏极电连接,第二耗尽型NMOS元件的栅极与C型连接头IC芯片的3.3V电压供电端电连接,第二耗尽型NMOS元件的源极与1K欧姆下拉电阻的一端电连接,1K欧姆下拉电阻的另一端与C型连接头IC芯片的CC脚电连接。上述1K欧姆下拉电阻设置有若干个,各1K欧姆下拉电阻的一端分别与上述第二负阀值电压型NMOS元件的源极电连接,且各1K欧姆下拉电阻中其一1K欧姆下拉电阻的另一端与C型连接头IC芯片的CC脚电连接。采用上述技术方案后,本技术的应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路,应用时,此电路与C型连接头的IC芯片配合使用,当供电设备不给IC芯片提供电源给CC引脚时,因负阀值电压型NMOS元件的特性使1K欧姆下拉电阻的路径被一直打开,1K欧姆下拉电阻的阻抗在没有任何电源传送到IC芯片时仍一直存在,实现C型连接头的电源连接状况的检测;当供电设备给IC芯片供电时负电荷泵工作产生负电压,1K欧姆下拉电阻被关闭,产生高阻抗,供电设备的电源不会将一部分电源流经至1K欧姆下拉电阻,功耗立即降低,使C型连接头的功耗较低,且整个设计只在原有工艺基础上设计,无需额外增添工艺费用,并能运用到不同的制程中,还能通过时钟频繁来调整1K欧姆下拉电阻的开关时间,使用更为灵活。附图说明图1为本技术的电路图。具体实施方式为了进一步解释本技术的技术方案,下面通过具体实施例来对本技术进行详细阐述。本技术的应用于C型连接头的低功耗芯片电路,如图1所示,包括1K欧姆下拉电阻、第一负阀值电压型NMOS元件元件、第二负阀值电压型NMOS元件元件和产生负电压的负电荷泵,该负电荷泵、第一负阀值电压型NMOS元件元件、第二负阀值电压型NMOS元件元件均为市面上公知产品,在此不再累述,第一负阀值电压型NMOS元件元件和第二负阀值电压型NMOS元件元件就是现市面上的nativenmos,负电荷泵的电源端与C型连接头IC芯片的1.8V电压供电端电连接,负电荷泵的信号输入端与C型连接头IC芯片的控制端电连接,负电荷泵的信号输入端具有时钟脉冲信号端和开关信号端,通过给时钟脉冲信号和开关信号来调节整个电路的开关,此种接线方式为公知技术,在此不再累述。所述的负电荷泵的输出端与第一负阀值电压型NMOS元件的栅极电连接,第一负阀值电压型NMOS元件漏极接地,第一负阀值电压型NMOS元件的源极与第二负阀值电压型NMOS元件的漏极电连接,第二负阀值电压型NMOS元件的栅极与C型连接头IC芯片的3.3V电压供电端电连接,第二负阀值电压型NMOS元件的源极与1K欧姆下拉电阻的一端电连接,1K欧姆下拉电阻的另一端与C型连接头IC芯片的CC脚电连接。本技术的应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路,应用时,此电路与C型连接头的IC芯片配合使用,当供电设备不给IC芯片提供电源给CC引脚时,因负阀值电压型NMOS元件使1K欧姆下拉电阻的路径被一直打开,1K欧姆下拉电阻的阻抗(即图中RA的阻抗)在没有任何电源传送到IC芯片时仍一直存在,实现C型连接头的电源连接状况的检测;当供电设备给IC芯片供电时负电荷泵工作产生负电压,1K欧姆下拉电阻被关闭,产生高阻抗,供电设备的电源不会将一部分电源流经至1K欧姆下拉电阻,功耗立即降低,使C型连接头的功耗较低,且整个设计只在原有工艺基础上设计,无需额外增添工艺费用,并能运用到不同的制程中,还能通过时钟频繁来调整1K欧姆下拉电阻的开关时间,使用更为灵活;再有利用第一负阀值电压型NMOS元件和第二负阀值电压型NMOS元件的串联配合使整个电路能应用于更高的高压容限(2.7-5.5V),从而使整个电路的器件能保持在芯片Vconn的电压范围内,起到对各器件的保护作用,整个电路的使用可靠性强。再有,1K欧姆下拉电阻设置有若干个,各1K欧姆下拉电阻的一端分别与第二负阀值电压型NMOS元件的源极电连接,且各1K欧姆下拉电阻中其一1K欧姆下拉电阻的另一端与C型连接头IC芯片的CC脚电连接;这样,若干1K欧姆下拉电阻的闲置在应用时使整个电路的1K欧姆下拉电阻能适配在整个系统的+/-10%调节范围内,适用于+/-10%的精确校准。上述实施例和附图并非限定本技术的产品形态和式样,任何所属
的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰,皆应视为不脱离本技术的专利范畴。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路,其特征在于:包括1K欧姆下拉电阻、第一负阀值电压型NMOS元件、第二负阀值电压型NMOS元件元件和产生负电压的负电荷泵,上述负电荷泵的电源端与C型连接头IC芯片的1.8V电压供电端电连接,上述负电荷泵的信号输入端与C型连接头IC芯片的控制端电连接,上述负电荷泵的输出端与第一负阀值电压型NMOS元件的栅极电连接,第一负阀值电压型NMOS元件漏极接地,第一负阀值电压型NMOS元件的源极与第二负阀值电压型NMOS元件的漏极电连接,第二负阀值电压型NMOS元件的栅极与C型连接头IC芯片的3.3V电压供电端电连接,第二负阀值电压型NMOS元件的源极与1K欧姆下拉电阻的一端电连接,1K欧姆下拉电阻的另一端与C型连接头IC芯片的CC脚电连接。/n
【技术特征摘要】
1.应用于C型连接头的1K欧姆下拉电阻断开电路,其特征在于:包括1K欧姆下拉电阻、第一负阀值电压型NMOS元件、第二负阀值电压型NMOS元件元件和产生负电压的负电荷泵,上述负电荷泵的电源端与C型连接头IC芯片的1.8V电压供电端电连接,上述负电荷泵的信号输入端与C型连接头IC芯片的控制端电连接,上述负电荷泵的输出端与第一负阀值电压型NMOS元件的栅极电连接,第一负阀值电压型NMOS元件漏极接地,第一负阀值电压型NMOS元件的源极与第二负阀值电压型NMOS元件的漏极电连接,第二负阀值电压...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏国才,吴青正,
申请(专利权)人:信路达信息技术厦门有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。