一种过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种过压保护电路，属于电力电子技术，该过压保护电路安装在第一PMOS管和第一NMOS管的端口之间，具体包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电阻、第二电阻、第二PMOS管和第二NMOS管等。本实用新型专利技术采用介质隔离的高压CMOS工艺，能够解决寄生二极管向导通时电流不受控制的技术问题，该过压保护电路在传统模拟多路复用器芯片的S端和D端实现了过压保护功能，满足了更高要求的应用环境的需要。

An over voltage protection circuit

【技术实现步骤摘要】
一种过压保护电路
本技术属于电力电子技术，尤其涉及一种过压保护电路。
技术介绍
传统的模拟多路复用器芯片通常采用PN结隔离的工艺，其中，传统过压保护电路的结构如图1所示，该过压保护电路是由PMOS管P1和NMOS管N1组成的，其中P1的衬底(N阱)接VDD，N1的衬底(P-sub)接VSS。上述开关管在控制信号GP和GN的作用下同时打开或者关断。当GP为“0”，GN为“1”时开关导通，当GP为“1”，GN为“0”时开关关断。具体的，当P1和N1关断的情况下，如果S端(或D端)电压超出正电源电压VDD+0.7V，则S端(或D端)与P1管衬底(N阱)之间的寄生二极管D1(D2)会正向导通，如果电流不受控制，会损坏模拟开关或者前后级模块。同样，如果S端(或D端)电压低于出负电源电压VSS-0.7V，则S端(或D端)与N1管衬底(P-sub)之间的寄生二极管D3(D4)会正向导通，如果电流不受控制，也会损坏模拟开关或者前后级模块。传统的模拟多路复用器芯片中还未存在过压保护电路，现有相关文献中也未涉及模拟多路复用器芯片中S端和D端的过压保护技术。如何解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过压保护电路，放置在第一PMOS管(P1)和第一NMOS管(N1)的端口之间，其特征在于，包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第二PMOS管(P2)和第二NMOS管(N2)，其中：/n所述第一PMOS管(P1)和第一NMOS管(N1)并联，并联后两侧的公共端分为第一端口(S)和第二端口(D)；/n所述第一二极管(D1)的阳极连接第一PMOS管(P1)的源极，所述第二二极管(D2)的阳极连接第一PMOS管(P1)的漏极，第一二极管(D1)的阴极和第二二极管(D2)的阴极均通过第一电阻(R1)连接第二PMO...

【技术特征摘要】
1.一种过压保护电路，放置在第一PMOS管(P1)和第一NMOS管(N1)的端口之间，其特征在于，包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第二PMOS管(P2)和第二NMOS管(N2)，其中：
所述第一PMOS管(P1)和第一NMOS管(N1)并联，并联后两侧的公共端分为第一端口(S)和第二端口(D)；
所述第一二极管(D1)的阳极连接第一PMOS管(P1)的源极，所述第二二极管(D2)的阳极连接第一PMOS管(P1)的漏极，第一二极管(D1)的阴极和第二二极管(D2)的阴极均通过第一电阻(R1)连接第二PMOS管(P2)的漏极，第二PMOS管(P2)的源极连接VDD电源；
所述第三二极管(D3)的阳极连接第一NMOS管(N1)的源极，所述第四二极管(D4)的阳极连接第一NMOS管(N1)的漏极，第三二极管(D3)的阴极和第四二极管(D4)的阴极均通过第二电阻(R2)连接第二NMOS管(N2)的漏极，第二NMOS管(N2)的源极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕强，孙忠民，郭靖，高连山，赵红武，
申请(专利权)人：西安硅宇微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61