一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电源的浪涌抑制电路，特别是涉及一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路。采用稳压二极管和电阻串联构成基准电压产生电路，用一个增强型N沟道增强型MOSFET和一个P沟道增强型MOSFET及三个电阻，构成负反馈电路，基准电压产生电路和负反馈电路构成直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路。该电路只采用七只分立元器件，七只元器件的单价均较低，且器件均为普通电子元器件，降低了宽脉冲浪涌抑制电路的成本，且该电路效率高消耗的能量少。该电路可以用于类似的应用场景，具有一定的普适性。

A broad pulse surge suppression circuit for DC high power supply

【技术实现步骤摘要】
一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路
本技术涉及一种电源的浪涌抑制电路，特别是涉及一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路。
技术介绍
在一些直流大功率电源应用场合，要求电源能够抗住几十毫秒的电压浪涌，由于浪涌持续几十毫秒，称之为宽脉冲浪涌，要求电路器件不损坏，电源能够正常的输出。一般的直流浪涌抑制电路采用的是TVS管或采用压敏电阻，这种浪涌抑制电路难以抑制几十毫秒的宽脉冲电压浪涌，会导致器件损坏，电源无法正常输出。或者采用直流浪涌抑制模块，但是该模块的单价高昂。本文提出了一种低成本、高可靠的解决方案，采用分立器件组成了一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路。该电路在没有浪涌输入的条件下，基本不消耗能量，在有浪涌输入的条件下，将浪涌能量消耗在浪涌抑制电路上，减小浪涌对后级电路的冲击。
技术实现思路
本技术目的：提出一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，解决宽脉冲浪涌抑制的问题，降低宽脉冲浪涌抑制电路的成本，提高浪涌抑制电路的效率。本技术技术方案：一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，采用稳压二极管和电阻串联构成基准电压产生电路，用一个增强型N沟道增强型MOSFET和一个P沟道增强型MOSFET及三个电阻，构成负反馈电路，基准电压产生电路和负反馈电路构成直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路。所述基准电压产生电路包括电阻R1，稳压二极管；电阻R1的一端与正电源输入端相连，电阻R1的另一端与稳压二极管的阴极相连，稳压二极管的阳极与电源地相连。所述负反馈电路包括电阻R2，N沟道增强型MOSFET，P沟道增强型MOSFET，电阻R3，电阻R4；N沟道增强型MOSFET的漏极与电阻R2及P沟道增强型MOSFET的栅极相连，电阻R2的另一端、P沟道增强型MOSFET的源极与输入电源的正极相连，电阻R3的一端和P沟道增强型MOSFET的漏极相连构成宽脉冲浪涌抑制电路的输出端，电阻R3的另一端和电阻R4的一端与N沟道增强型MOSFET的源极相连，电阻R4的另一端与电源地相连。所述稳压二极管的阴极与N沟道增强型MOSFET栅极相连。所述器件为分立元器件。所述P沟道增强型MOSFET为低阻值、大功率MOSFET管。所述稳压二极管为高精度稳压二极管。所述抑制电路为负反馈电路。本技术的有益效果：该电路只采用七只分立元器件，七只元器件的单价均较低，且器件均为普通电子元器件，降低了宽脉冲浪涌抑制电路的成本，且该电路效率高消耗的能量少。该电路可以用于类似的应用场景，具有一定的普适性。附图说明图1直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路示意图1-正电源输入端，2-电源地，3-电阻R1，4-稳压二极管，5-电阻R2，6-N沟道增强型MOSFET，7-P沟道增强型MOSFET，8-电阻R3，9-电阻R4具体实施方式下面结合附图对本技术进一步说明：如图1所示，一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，采用稳压二极管和电阻串联构成基准电压产生电路，用一个增强型N沟道增强型MOSFET和一个P沟道增强型MOSFET及三个电阻，构成负反馈电路，基准电压信号作为负反馈电路的输入，使输出的电压跟随基准电压，达到宽脉冲大功率浪涌抑制的作用。本方案由七个元器件组成，3为电阻R1，4为稳压二极管，5电阻R2，6为N沟道增强型MOSFET，7为P沟道增强型MOSFET，8为电阻R3，9为电阻R4，七个元器件的连接关系如图1所示。电阻R1的一端与正电源输入端相连，电阻R1的另一端与稳压二极管的阴极相连，稳压二极管的阳极与电源地相连，稳压二极管的阴极与N沟道增强型MOSFET栅极相连，N沟道增强型MOSFET的漏极与电阻R2及P沟道增强型MOSFET的栅极相连。电阻R5的另一端、P沟道增强型MOSFET的源极与输入电源的正极相连。电阻R3的一段和P沟道增强型MOSFET的漏极相连构成宽脉冲浪涌抑制电路的输出端。电阻R3的另一端和电阻R4的一端与N沟道增强型MOSFET的源极相连。电阻R4的另一端与电源地相连。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，采用稳压二极管和电阻串联构成基准电压产生电路，用一个增强型N沟道增强型MOSFET和一个P沟道增强型MOSFET及三个电阻，构成负反馈电路，基准电压产生电路和负反馈电路构成直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，采用稳压二极管和电阻串联构成基准电压产生电路，用一个增强型N沟道增强型MOSFET和一个P沟道增强型MOSFET及三个电阻，构成负反馈电路，基准电压产生电路和负反馈电路构成直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路。


2.如权利要求1所述的直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，所述基准电压产生电路包括电阻R1，稳压二极管；电阻R1的一端与正电源输入端相连，电阻R1的另一端与稳压二极管的阴极相连，稳压二极管的阳极与电源地相连。


3.如权利要求1所述的直流大功率电源宽脉冲浪涌抑制电路，其特征在于，所述负反馈电路包括电阻R2，N沟道增强型MOSFET，P沟道增强型MOSFET，电阻R3，电阻R4；N沟道增强型MOSFET的漏极与电阻R2及P沟道增强型MOSFET的栅极相连，电阻R2的另...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘昌健，李建华，谢锦涛，胡朝纲，李浔，彭云龙，游彬，胡逸，徐明萌，吴皓晨，
申请(专利权)人：江西洪都航空工业集团有限责任公司，
类型：新型
国别省市：江西;36