一种基于触发器的单键开关电路制造技术

技术编号:14914901 阅读:150 留言:0更新日期:2017-03-30 04:04
本实用新型专利技术公开了一种基于触发器的单键开关电路,包括触发器、按键和MOS管Q1、Q2,触发器的时钟端连接至按键的一端,按键的另一端连接至电源,触发器的输入端D连接与MOS管Q1的漏极连接后接至电源,触发器的输出端Q连接至MOS管Q1的删极,触发器的输出端Q非连接至MOS管Q2的栅极,MOS管Q2的漏极连接负载,MOS管Q2的源极连接电源,MOS管Q1的源极接地。本实用新型专利技术所述开关电路操作简单,手感好,使用寿命高,无需单片机控制,适用范围广。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种开关电路,具体的说,是一种基于触发器的单键开关电路。
技术介绍
随着电子科技的不断发展,电路不断向着集成化、智能化、小型化发展。传统的电路开关已无法满足当今电路的发展方向,创新的电路设计将为产品注入新的活力。现有的开关电路包括自锁式开关电路和波动式开关电路,存在手感差、占用体积大、寿命短、易破解等问题。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷,本技术提供一种基于触发器的按键开关电路,操作简单、使用寿命高、无需单片机控制、适用范围广。为了解决所述技术问题,本技术采用的技术方案是:一种基于触发器的单键开关电路,包括触发器、按键和MOS管Q1、Q2,触发器的时钟端连接至按键的一端,按键的另一端连接至电源,触发器的输入端D连接与MOS管Q1的漏极连接后接至电源,触发器的输出端Q连接至MOS管Q1的删极,触发器的输出端Q非连接至MOS管Q2的栅极,MOS管Q2的漏极连接负载,MOS管Q2的源极连接电源,MOS管Q1的源极接地。本技术所述基于触发器的单键开关电路,还包括电容C1,电容C1的一端连接在电源与按键K1之间,电容C1的另一端接地。本技术所述基于触发器的单键开关电路,所述触发器为边沿D触发器。本技术的有益效果:该电路与自锁开关相比,操作简单,手感好,使用寿命高,无需单片机控制,适用范围广。附图说明图1为本技术的电路原理图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的说明。如图1所示,一种基于触发器的单键开关电路,包括触发器U2、按键K1、MOS管Q1、Q2、电容C1和电阻R1、R2、R3、R4,触发器U2的时钟端CLK连接至按键K1的一端,按键K1的另一端连接至电源VCC,触发器U2的输入端D连接与MOS管Q1的漏极连接在一起后经电阻R1连接至电源VCC,触发器U2的输出端Q经电阻R3连接至MOS管Q1的删极,触发器U2的输出端Q非经电阻R4连接至MOS管Q2的栅极,MOS管Q2的漏极连接负载,MOS管Q2的源极连接电源,MOS管Q1的源极接地。本实施例中,利用电阻R5代替负载。电容C1的一端连接在电源与按键K1之间,电容C1的另一端接地。按键K1与触发器时钟端相连的一端经过电阻R2接地。本实施例中,所述触发器为边沿D触发器,选用SN74LVC1G79芯片。本基于触发器的单键开关电路的工作过程为:当接通电源时,K1未按下,CLK为低电平,输出Q为低电平,Q非为高电平,Q1截止,D为高电平,Q2截止,负载断开。当按键K1按下时CLK为高电平,并且由于C1的电压不能突变,消除了由于按键按下时电压的抖动,在CLK的上升沿时,Q输出低电平,Q非输出高电平,Q1导通,D为低电平,Q2导通,负载接入。当按键K1再次按下,在CLK的上升沿时,Q输出高电平,Q非输出低电平,Q1截止,D为高,Q2截至,负载断开。本技术通过软件仿真与实际实验得到的数据一致,并且当负载在10K左右时,MOS管的压降为0.02~0.03V左右,满足实际使用的需求。以上描述的仅是本技术的基本原理和优选实施例,本领域技术人员根据本技术作出的改进和替换,属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于触发器的单键开关电路,其特征在于:包括触发器、按键和MOS管Q1、Q2,触发器的时钟端连接至按键的一端,按键的另一端连接至电源,触发器的输入端D连接与MOS管Q1的漏极连接后接至电源,触发器的输出端Q连接至MOS管Q1的删极,触发器的输出端Q非连接至MOS管Q2的栅极,MOS管Q2的漏极连接负载,MOS管Q2的源极连接电源,MOS管Q1的源极接地。

【技术特征摘要】
1.一种基于触发器的单键开关电路,其特征在于:包括触发器、按键和MOS管Q1、Q2,触发器的时钟端连接至按键的一端,按键的另一端连接至电源,触发器的输入端D连接与MOS管Q1的漏极连接后接至电源,触发器的输出端Q连接至MOS管Q1的删极,触发器的输出端Q非连接至MOS管Q2的栅极,MOS管Q2...

【专利技术属性】
技术研发人员:马宁柳秀喆王可李亮亮王吉庆耿直王威杨延荣
申请(专利权)人:济南超感智能科技有限公司
类型:新型
国别省市:山东;37

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