微电子组件制造技术

本文公开了微电子组件、以及相关的器件和方法。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括第一管芯和第二管芯，所述第一管芯包括第一面和第二面；所述第二管芯包括第一面和第二面，其中，所述第二管芯还包括在所述第一面处的多个第一导电触点和在所述第二面处的多个第二导电触点，并且所述第二管芯在所述微电子组件的第一级互连触点与所述第一管芯之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微电子组件
技术介绍
集成电路器件(例如，管芯)通常被耦接在一起以集成特征或功能并促进与诸如电路板之类的其它部件的连接。然而，用于耦接集成电路器件的当前技术受到制造、器件尺寸、散热考虑、以及互连拥挤的限制，这可能影响成本和实现方式。附图说明通过以下具体描述并结合附图，将容易地理解实施例。为了促进该描述，相同的附图标记表示相同的结构元件。在附图的图中，通过示例而非限制的方式示出了实施例。图1是根据各种实施例的示例性微电子组件的侧面剖视图。图2A-图2D是根据各种实施例的可以包括在微电子组件中的示例性管芯的侧面剖视图。图3是根据各种实施例的可以包括在微电子组件中的示例性管芯的仰视图。图4A-图4E是根据各种实施例的用于制造图1的微电子组件的示例性工艺中各个阶段的侧面剖视图。图5是根据各种实施例的另一个示例性微电子组件的侧面剖视图。图6A-图6G是用于制造图5的微电子组件的示例性工艺中各个阶段的侧面剖视图。图7是根据各种实施例的另一个示例性微电子组件的侧面剖视图。图8是根据本文公开的实施例中的任一实施例的可以包括微电子组件的晶圆和管芯的俯视图。图9是根据本文公开的实施例中的任一实施例的可以包括在微电子组件中的集成电路(IC)器件的剖面侧视图。图10是根据本文公开的实施例中的任一实施例的可以包括在微电子组件中的双面IC器件的一种示例性类型的剖面侧视图。图11是根据本文公开的实施例中的任一实施例的可以包括微电子组件的IC器件组件的剖面侧视图。r>图12是根据本文公开的实施例中的任一实施例的可以包括微电子组件的示例性电气器件的框图。具体实施方式本文公开了微电子组件、以及相关的器件和方法。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括第一管芯、第二管芯，所述第一管芯包括第一面和第二面；所述第二管芯包括第一面和第二面，其中，所述第二管芯还包括在第一面处的多个第一导电触点和在第二面处的多个第二导电触点，并且第二管芯在微电子组件的第一级互连触点与第一管芯之间。在多管芯集成电路(IC)封装件中的两个或多个管芯(有时称为“复合管芯”)之间通信大量信号是有挑战性的，由于这种管芯的尺寸越来越小、热约束以及功率输送约束等。相对于传统方法，本文公开的实施例中的各个实施例可以以较低的成本、提高的功率效率、更高的带宽和/或更大的设计灵活性来帮助实现多个IC管芯的可靠附接。相对于传统方法，本文公开的微电子组件中的各种微电子组件可以表现出更好的功率传输和信号速度，同时减小封装件的尺寸。本文公开的微电子组件对于计算机、平板电脑、工业机器人、服务器架构、消费电子产品(例如，可穿戴设备)和/或可以包括异构技术集成的任何其它应用中的小型且低轮廓的应用可能特别有利。在下面的详细描述中，参考形成其一部分的附图，其中相同的附图标记始终表示相同的部分，并且在其中通过说明的方式示出了可以实践的实施例。将理解的是，可以利用其它实施例并且可以进行结构或逻辑的改变而无需脱离本公开内容的范围。因此，下面的详细描述将不具有限制意义。可以以最有助于理解所要求保护的主题的方式将各种操作依次描述为多个离散动作或操作。然而，描述的顺序不应当被解释为暗示这些操作必须与顺序有关。具体地，这些操作可能无法按呈现顺序执行。可以以与所描述的实施例不同的顺序来执行所描述的操作。在另外的实施例中，可以执行各种另外的操作，和/或可以省略所描述的操作。为了本公开内容的目的，短语“A和/或B”是指(A)、(B)或(A和B)。为了本公开内容的目的，短语“A、B和/或C”是指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。附图不一定按比例绘制。尽管附图中的许多附图示出了具有平壁和直角角部的直线结构，但这仅为了便于说明，并且使用这些技术制成的实际设备将显示出圆角、表面粗糙度和其它特征。本说明书使用短语“在一实施例中”或“在实施例中”，其可以分别指代相同或不同实施例中的一个或多个。此外，如针对本公开内容的实施例使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。如本文所使用的，“封装件”和“IC封装件”是同义的，“管芯”和“IC管芯”也是同义的。术语“顶部”和“底部”在本文中可以用于解释附图的各种特征，但是这些术语仅是为了便于讨论，并不暗示着期望或要求的取向。如本文所使用的，除非另外说明，否则术语“绝缘”可以表示“电绝缘”。当用于描述尺寸范围时，短语“在X与Y之间”表示包括X和Y的范围。为了方便起见，短语“图4”可以用于指代图4A-图4E的附图的集合，短语“图6”可以用于指代图6A-图6G的附图集合，尽管在本文中可以以单数形式指代某些元件，但是这些元件可以包括多个子元件。例如，“绝缘材料”可以包括一种或多种绝缘材料。如本文所使用的，“导电触点”可以指代用作不同部件之间的电接口的一部分导电材料(例如，金属)等等；导电触点可以凹入部件表面、与该部件表面齐平或远离该部件表面延伸，并且可以采用任何适当的形式(例如，导电垫、插座、凸块、或支柱、或导线或过孔的一部分)。图1是根据各种实施例的微电子组件100的侧面剖视图。图1中示出了如微电子组件100中包括的多个元件，但是多个这些元件可以未存在在微电子组件100中。例如，在各种实施例中，可以不包括双面管芯130-2、双面管芯130-3、第二级互连件162和/或封装衬底160。此外，图1示出了为了便于说明而在后续附图中省略的多个元件，但是可以包括在本文公开的微电子组件100中的任一微电子组件中。这种元件的示例包括第二级互连件162和/或封装衬底160。图1的微电子组件100的元件中的许多元件包括在附图中的其它附图中；在讨论这些附图时，将不重复对这些元件的讨论，并且这些元件中的任一元件都可以采用本文公开的任何形式。在一些实施例中，本文公开的微电子组件100中的单独微电子组件可以用作其中包括具有不同功能的多个管芯102和双面管芯130的系统级封装(SiP)。在这些实施例中，微电子组件100可以被称为SiP。微电子组件100可以包括双面管芯130-1，所述双面管芯130-1在管芯102的第一面104处和在双面管芯130-1的第一面132-1处通过管芯到管芯(DTD)互连件140-1耦接到管芯102。具体地，管芯102的第一面104可以包括导电触点118-1集合，并且双面管芯130-1的第一面132-1可以包括导电触点136-1集合。管芯102的第一面104处的导电触点118-1可以通过DTD互连件140-1电气地并且机械地耦接到双面管芯130-1的第一面132-1处的导电触点136-1。管芯102的第一面104还可以包括导电触点116，以将管芯102电耦接到布线层(诸如如图1的实施例中所示的重分布层(RDL)112)的一个或多个互连结构114。双面管芯130-1还可以包括在双面管芯130-1的第二面134-1处的导电触点138-1。管芯130-1的第二面134-1处的导电触点138-1可以将双面管芯130-1电耦接到重分布层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微电子组件，包括：/n第一管芯，所述第一管芯包括第一面和第二面；以及/n第二管芯，所述第二管芯包括第一面和第二面，其中，所述第二管芯还包括在所述第一面处的多个第一导电触点和在所述第二面处的多个第二导电触点，并且所述第二管芯在所述微电子组件的第一级互连触点与所述第一管芯之间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子组件，包括：
第一管芯，所述第一管芯包括第一面和第二面；以及
第二管芯，所述第二管芯包括第一面和第二面，其中，所述第二管芯还包括在所述第一面处的多个第一导电触点和在所述第二面处的多个第二导电触点，并且所述第二管芯在所述微电子组件的第一级互连触点与所述第一管芯之间。


2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述第一管芯还包括：
在所述第一管芯的所述第一面处的多个第一导电触点，其与所述微电子组件的所述第一级互连触点互连；以及
在所述第一管芯的所述第一面处的多个第二导电触点，其与所述第二管芯互连。


3.根据权利要求2所述的微电子组件，其中，在所述第一管芯的所述第一面处的所述多个第二导电触点的集合具有相同的间距并且互连到所述第二管芯。


4.根据权利要求2所述的微电子组件，其中，在所述第一管芯的所述第一面处的所述多个第二导电触点的第一集合具有第一间距，所述第一管芯的所述多个第二导电触点的第二集合具有第二间距，所述第一集合和所述第二集合互连到所述第二管芯，并且所述第一间距和所述第二间距不同。


5.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述微电子组件还包括：
重分布层(RDL)，其中，所述RDL包括一个或多个互连结构，并且所述第二管芯在所述第一管芯与所述RDL的至少一部分之间。


6.根据权利要求5所述的微电子组件，其中，以下各项中的至少一项：
所述RDL的一个互连结构包括在所述第一管芯的至少一个第一导电触点与所述微电子组件的至少一个第一级互连触点之间的导电路径；
所述RDL的一个互连结构包括在所述第二管芯的至少一个第二导电触点与所述微电子组件的至少一个第一级互连触点之间的导电路径；
所述RDL的一个互连结构包括在所述第一管芯的至少一个第一导电触点与所述第二管芯的至少一个第二导电触点之间的导电路径；以及
所述RDL的一个互连结构包括在所述第二管芯的至少两个第二导电触点之间的导电路径。


7.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述第二管芯包括管芯衬底、金属化堆叠体、以及在所述管芯衬底与所述金属化堆叠体之间的器件层，并且其中，所述管芯衬底在封装衬底与所述器件层之间。


8.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述第二管芯包括管芯衬底、金属化堆叠体、以及在所述管芯衬底与所述金属化堆叠体之间的器件层，并且其中，所述器件层在封装衬底与所述管芯衬底之间。


9.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述第二管芯包括第一金属化堆叠体、第二金属化堆叠体、以及在所述第一金属化堆叠体与所述第二金属化堆叠体之间的器件层。


10.根据权利要求1-9中任一项所述的微电子组件，其中，所述第二管芯是多个第二管芯中的单个第二管芯。


11.根据权利要求10所述的微电子组件，其中，至少一个第二管芯具有第一厚度，并且至少另一个第二管芯具有第二厚度，所述第二厚度与所述至少一个第二管芯的所述第一厚度不同。


12.根据权利要求9所述的微电子组件，还包括在所述多个第二管芯与所述第一管芯之间的绝缘层。


13.根据权利要求12所述的微电子组件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·M·利夫，A·A·埃尔谢尔比尼，J·M·斯旺，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US