微电子组件制造技术

本文公开了微电子组件以及相关的器件和方法。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括封装衬底，该封装衬底包括：具有第一表面和相对的第二表面的电介质材料、在第二表面的至少一部分上的第一光可限定材料、以及在第一光可限定材料的至少一部分上的第二光可限定材料，其中，第二光可限定材料具有与第一光可限定材料不同的材料成分。

Microelectronic components

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微电子组件
技术介绍
集成电路管芯通常被耦合到封装衬底以实现机械稳定性并且有利于连接到其他部件，例如电路板。由常规衬底可实现的互连间距(pitch)受到制造、材料和热考虑因素等的约束。附图说明通过以下具体实施方式，结合附图，将容易理解实施例。为了方便这种描述，类似的附图标记指示类似的结构元件。在附图的图中通过举例而非限制的方式示出了各实施例。图1是根据各实施例的示例微电子组件的侧视截面图。图2是根据各实施例，图1的微电子组件中包括的管芯的底视图。图3-11是根据各实施例的示例微电子组件的侧视截面图。图12-16是根据各实施例的微电子组件中多个管芯的示例布置的顶视图。图17A-17F是根据各实施例，用于制造图5的微电子组件的示例工艺中各个阶段的侧视截面图。图18A-18B是根据各实施例，用于制造图5的微电子组件的另一示例工艺中各个阶段的侧视截面图。图19A-19H是根据各实施例，用于制造图5的微电子组件的另一示例工艺中各个阶段的侧视截面图。图20是根据各实施例的示例微电子组件的侧视截面图。图21A-21B是根据各实施例，用于制造图20的微电子组件的示例工艺中各个阶段的侧视截面图。图22-25是根据各实施例，可以包括在微电子组件中的封装衬底的侧视截面图。图26是根据各实施例的封装衬底中凹槽的顶视图。图27A-27E是根据各实施例，用于制造图22的封装衬底的示例工艺中各个阶段的侧视截面图。图28A-28B是根据各实施例，可以包括在微电子组件中的封装衬底的侧视截面图。图29A-29D是根据各实施例，用于制造图28的封装衬底的示例工艺中各个阶段的侧视截面图。图30是根据各实施例的示例微电子组件的侧视截面图。图31是根据本文公开的任一实施例，可以包括在微电子组件中的晶圆和管芯的顶视图。图32是根据本文公开的任一实施例，可以包括在微电子组件中的集成电路(IC)器件的侧视截面图。图33是根据本文公开的任一实施例,可以包括微电子组件的IC器件组件的侧视截面图。图34是根据本文公开的任一实施例,可以包括微电子组件的示例电器件的框图。具体实施方式本文公开了微电子组件以及相关的器件和方法。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括封装衬底，该封装衬底包括具有第一表面和相对的第二表面的电介质材料、在第二表面的至少一部分上的第一光可限定(photodefinable)材料，以及在第一光可限定材料的至少一部分上的第二光可限定材料，其中第二光可限定材料具有与第一光可限定材料不同的材料成分。在多管芯集成电路(IC)封装中的两个或更多管芯之间传送大量的信号是有挑战性的，因为此类管芯的尺寸越来越小、热约束以及功率传输约束等。本文公开的实施例中的各实施例可以帮助相对于常规方式以更低成本、改进的功率效率、更高的带宽和/或更大的设计灵活度，来实现可靠地附着多个IC管芯。本文所公开的微电子组件中的各个微电子组件可以呈现出更好的功率输送和信号速度，同时相对于常规方法减小了封装的尺寸。本文所公开的微电子组件对于计算机、平板计算机、工业机器人和消费电子设备(例如，可穿戴设备)中的小型低外形(low-profile)应用尤其有利。在以下具体实施方式中将引用附图，附图形成其一部分，其中类似附图标记指示类似部分，并且在附图中以举例方式示出了可实施的实施例。应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以使用其他实施方案并且可以进行结构性或逻辑性变更。因此，以下详细描述不应以限制性意义理解。各种操作可以按照最有助于理解所主张主题的方式被描述为依次多个分立动作或操作。不过，描述次序不应被理解为暗示这些操作必然取决于次序。具体而言，可以不按照表达的次序执行这些操作。可以按照与所述实施例不同的次序执行所述操作。在额外的实施例中，各种额外操作可以被执行和/或所述操作可以被省略。出于本公开的目的，短语“A和/或B”表示(A)、(B)或(A和B)。出于本公开的目的，短语“A、B和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。附图未必成比例。尽管很多附图示出了具有平坦壁和直角拐角的直线结构，但这仅仅是为了容易例示，并且利用这些技术制造的实际器件将呈现出圆角、表面粗糙度和其他特征。该描述使用短语“在一实施例中”或“在实施例中”，均可以指相同或不同的实施例中的一项或多项。此外，结合本公开的实施例使用的术语“包括”、“具有”等是同义的。如本文所用，“封装”和“IC封装”是同义的，如同“管芯”和“IC管芯”。本文可以使用术语“顶部”和“底部”以解释附图的各种特征，但这些术语只是为了论述容易并且不暗示期望或需要的取向。如本文所用，术语“绝缘”表示“电绝缘”，除非另作说明。当用于描述尺度的范围时，短语“在X和Y之间”表示包括X和Y的范围。为了方便起见，短语“图17”可以用于表示图17A-17F的附图的集合，短语“图18”可以用于表示图18A-18B的附图的集合等。尽管某些元件在本文中以单数指称，但这样的元件可以包括多个子元件。例如，“绝缘材料”可以包括一种或多种绝缘材料。如本文所用，“导电触点”可以指在不同部件之间充当电界面的导电材料(例如，金属)的一部分；导电触点可以在部件表面中凹入，与表面平齐或延伸远离表面，并且可以采用任何适当形式(例如，导电焊盘或插座，或导电线或通孔的部分)。图1是根据各实施例的微电子组件100的侧视截面图。图1中将数个元件示为包括在微电子组件100中，但在微电子组件100中可以没有数个这些元件。例如，在各实施例中，可以不包括散热器131、热界面材料129、模塑(mold)材料127、管芯114-3、管芯114-4、第二级互连137和/或电路板133。此外，图1示出了从后续附图省略的数个元件，以便容易例示，但所述数个元件可以包括在本文所公开的微电子组件100的任何一个中。此类元件的示例包括散热器131、热界面材料129、模塑材料127、第二级互连137和/或电路板133。附图中的其他图中包括了图1的微电子组件100的很多元件；在论述这些附图时，不重复对这些元件的论述，并且这些元件中的任何元件可以采取本文所公开的任何形式。在一些实施例中，本文所公开的微电子组件100的各个组件可以充当包括具有不同功能的多个管芯114的系统级封装(SiP)。在这样的实施例中，微电子组件100可以被称为SiP。微电子组件100可以包括由管芯到封装衬底(DTPS)互连150-1耦合到管芯114-1的封装衬底102。具体而言，封装衬底102的顶表面可以包括一组导电触点146，并且管芯114-1的底表面可以包括一组导电触点122；管芯114-1的底表面处的导电触点122可以通过DTPS互连150-1来电耦合或机械耦合到封装衬底102的顶表面处的导电触点146。在图1的实施例中，封装衬底102的顶表面包括凹槽108，在所述凹槽108中至少部分地设置了管芯114-1；管芯1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微电子组件，包括：/n封装衬底，其包括：/n具有第一表面和相对的第二表面的电介质材料，/n所述第二表面的至少一部分上的第一光可限定材料，以及/n所述第一光可限定材料的至少一部分上的第二光可限定材料，其中，所述第二光可限定材料具有与所述第一光可限定材料不同的材料成分。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子组件，包括：
封装衬底，其包括：
具有第一表面和相对的第二表面的电介质材料，
所述第二表面的至少一部分上的第一光可限定材料，以及
所述第一光可限定材料的至少一部分上的第二光可限定材料，其中，所述第二光可限定材料具有与所述第一光可限定材料不同的材料成分。


2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述封装衬底还包括第一导电触点和第二导电触点，穿过所述第一光可限定材料和所述第二光可限定材料的第一开口暴露所述第一导电触点，并且穿过所述第一光可限定材料的第二开口暴露所述第二导电触点。


3.根据权利要求2所述的微电子组件，其中，所述第一导电触点具有比所述第二导电触点的间距更大的间距。


4.根据权利要求2所述的微电子组件，还包括：
在所述第一开口和所述第二开口中的焊接材料。


5.根据权利要求2所述的微电子组件，其中，所述第二光可限定材料提供凹槽的侧壁，并且所述第二开口距在所述凹槽中居中偏移非零量。


6.根据权利要求2所述的微电子组件，还包括：
导电地耦合到至少一些所述第一导电触点的第一管芯；以及
导电地耦合到所述二导电触点的第二管芯。


7.根据权利要求6所述的微电子组件，其中，所述第一管芯至少部分地在所述第二管芯上方延伸。


8.根据权利要求6所述的微电子组件，其中，所述第二管芯具有第一表面和相对的第二表面，所述第二管芯的所述第一表面处的导电触点导电地耦合到所述第二导电触点，并且所述第二管芯的所述第二表面处的导电触点导电地耦合到所述第一管芯的导电触点。


9.根据权利要求8所述的微电子组件，还包括：
导电地耦合到至少一些所述第一导电触点的第三管芯，其中，所述第二管芯的所述第二表面处的导电触点导电地耦合到所述第三管芯的导电触点。


10.根据权利要求2所述的微电子组件，其中，所述第一导电触点具有在80微米和200微米之间的间距。


11.根据权利要求2所述的微电子组件，其中，所述第二导电触点具有在20微米和80微米之间的间距。


12.一种微电子组件，包括：
具有第一表面和相对的第二表面的封装衬底，其中，所述封装衬底包括在所述第二表面处的电介质材料，所述电介质材料包括凹槽，并且所述凹槽的侧壁被底切。


13.根据权利要求12所述的微电子组件，其中，所述封装衬底还包括第一导电触点和第二导电触点，穿过所述电介质材料的第一开口暴露所述第一导电触点，并且穿过所述电介...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·阿列克索夫，J·M·斯旺，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US