【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶树脂单体及其合成方法
本专利技术涉及化学合成和光刻
，具体是一种光刻胶树脂单体及其合成方法。
技术介绍
光刻技术是指利用光刻材料(特指光刻胶)在可见光、紫外线、电子束等作用下的化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形微细加工技术。光刻材料(特指光刻胶)，又称光致抗蚀剂，是光刻技术中涉及的最关键的功能性化学材料，主要成分是树脂、光酸产生剂、以及相应的添加剂和溶剂，这类材料具有光(包括可见光、紫外线、电子束等)化学敏感性，经光化学反应，本身在显影液中的溶解性发生变化。根据光化学反应机理不同，光刻胶分为正性光刻胶与负性光刻胶：曝光后，光刻胶在显影液中溶解性增加，得到与掩膜版相同图形的称为正性光刻胶；曝光后，光刻胶在显影液中溶解性降低甚至不溶，得到与掩膜版相反图形的称为负性光刻胶。其中，光刻胶所使用的树脂是由多种树脂单体共聚而成的聚合物，其中酸敏树脂单体是实现曝光前后树脂在显影液中溶解差异的重要组成部分，常见的酸敏树脂单体只有一个酸敏基团，其聚合物树脂为线性...
【技术保护点】
1.一种光刻胶树脂单体，其特征在于，所述光刻胶树脂单体的结构通式为式I：/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种光刻胶树脂单体，其特征在于，所述光刻胶树脂单体的结构通式为式I：
式I中，R1为饱和烷烃或者环烷烃，R2为氢或者甲基。
2.根据权利要求1所述的一种光刻胶树脂单体，其特征在于，所述光刻胶树脂单体的结构式为式II、式III、式IV、式V、式VI和式VII中的一种：
3.一种如权利要求1或2所述的光刻胶树脂单体的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
在惰性气体保护下，将3,3,6,6-四甲基双环[2.2.1]庚烷-2,5-二酮与烷基格氏试剂或者环烷基格氏试剂置于第一溶剂中进行格氏反应，格氏反应结束后加水淬灭，并经后处理纯化，得到中间体；
技术研发人员：喻珍林，蒋小惠，李嫚嫚，郭颖，
申请(专利权)人：上海博栋化学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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