覆氢氧化铝的碳化硅颗粒粉体的制造方法、以及包含该粉体和分散介质的分散体的制造方法技术

根据本发明专利技术，提供一种制造覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体的方案，所述覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体在SiC颗粒的表面具有包含氢氧化铝的覆盖层。本发明专利技术涉及一种覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体的制造方法，其具备覆盖工序：将包含SiC颗粒、铝酸钠和水的分散体的pH维持为9～12的范围，形成在SiC颗粒的表面具有包含氢氧化铝的覆盖层的覆盖颗粒。

The manufacturing method of silicon carbide powder coated with aluminum hydroxide and the dispersion containing the powder and dispersion medium

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】覆氢氧化铝的碳化硅颗粒粉体的制造方法、以及包含该粉体和分散介质的分散体的制造方法
本专利技术涉及覆氢氧化铝的碳化硅颗粒粉体的制造方法、以及包含该粉体和分散介质的分散体的制造方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)为高硬度，其高温耐热性、机械强度、耐冲击性、耐磨耗性、耐氧化性和耐腐蚀性优异，且热膨胀系数小，因此，可以期待在以研磨用组合物、高温结构构件为代表的各种用途中的应用。在应用SiC时，在形成期望的组合物、材料时，研究了使颗粒状的SiC(SiC颗粒)分散于分散介质、聚合物材料的介质中而使用；与陶瓷颗粒等其他材料混合而使用。另外，为了改善包含颗粒状的SiC(SiC颗粒)的分散体、混合物、和由它们形成的成型体等的功能，研究了在SiC颗粒的周围配位有能赋予期望功能的化合物之后进行分散、混合。由此，特别理想的是，以周围配位有能赋予期望功能的化合物的状态，具有对介质的高分散性、与其他材料能均匀混合的SiC颗粒。日本特开2012-106888号公报中公开了如下方案：由通过焙烧而设置的、厚度为10nm～500nm的氧化铝等的氧化物覆膜覆盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体的制造方法，其具备覆盖工序：使包含SiC颗粒、铝酸钠和水的分散体的pH为9～12的范围，形成在所述SiC颗粒的表面具有包含氢氧化铝的覆盖层的覆盖颗粒。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170928 JP 2017-188916;20170928 JP 2017-1889211.一种覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体的制造方法，其具备覆盖工序：使包含SiC颗粒、铝酸钠和水的分散体的pH为9～12的范围，形成在所述SiC颗粒的表面具有包含氢氧化铝的覆盖层的覆盖颗粒。


2.根据权利要求1所述的覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体的制造方法，其具备：工序(A)，准备包含SiC颗粒、铝酸钠和水的分散体；和，所述覆盖工序，
所述覆盖工序为如下工序(B)：通过在所述工序(A)中准备的分散体中添加酸以使pH为10～12的范围，从而形成在所述SiC颗粒的表面具有所述包含氢氧化铝的覆盖层的覆盖颗粒。


3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体的平均二次粒径为2μm以下。


4.根据权利要求2或3所述的制造方法，其中，所述覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体的平均二次粒径相对于所述SiC颗粒的平均二次粒径的比率为10以下。


5.根据权利要求2～4中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：坪田翔吾，田口创万，芦高圭史，三轮直也，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP