表面处理组合物、以及使用其的表面处理方法和半导体基板的制造方法技术

本申请涉及表面处理组合物、以及使用其的表面处理方法和半导体基板的制造方法。[课题]提供的方案在于，边使残留于至少含有包含钨的层、以及原硅酸四乙酯或氮化硅的研磨完成后的研磨对象物的表面的杂质充分去除，边抑制钨的溶解速度。[解决方案]一种表面处理组合物，其含有：具有磺酸(盐)基的高分子化合物；选自氨基酸和多元醇中的至少1种化合物；和，分散介质，所述组合物用于对研磨完成后的研磨对象物的表面进行处理，所述研磨完成后的研磨对象物至少含有包含钨的层、以及原硅酸四乙酯或氮化硅。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及表面处理组合物、以及使用其的表面处理方法和半导体基板的制造方法。

技术介绍

1、近年来，随着半导体基板表面的多层布线化，制造器件时，利用有如下技术：以物理的方式对半导体基板进行研磨而平坦化的、所谓化学机械研磨(chemical mechanicalpolishing；cmp)技术。cmp为使用包含二氧化硅、氧化铝、氧化铈等磨粒、防腐蚀剂、表面活性剂等的研磨用组合物(浆料)，使半导体基板等研磨对象物(被研磨物)的表面平坦化的方法，研磨对象物(被研磨物)为硅、多晶硅、原硅酸四乙酯、氮化硅、由金属等形成的布线、活塞等。

2、在cmp工序后的半导体基板表面上残留有大量的杂质(缺陷)。作为杂质，包括：源自cmp中使用的研磨用组合物的磨粒、金属、防腐蚀剂、表面活性剂等有机物；对作为研磨对象物的含硅材料、金属布线、活塞等进行研磨而产生的含硅材料、金属、进而由各种垫等产生的垫残渣等有机物等。

3、半导体基板表面如果被这些杂质污染，则对半导体的电特性造成不良影响，有器件的可靠性降低的可能性。因此，期望在cmp工序后导入清洗工序，从半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种表面处理组合物，其含有：具有磺酸(盐)基的高分子化合物；选自氨基酸和多元醇中的至少1种化合物；和，分散介质，

2.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其pH为酸性。

3.根据权利要求1或2所述的表面处理组合物，其中，所述具有磺酸(盐)基的高分子化合物的重均分子量为1000以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述氨基酸的PI值为7.0以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述氨基酸为碱性氨基酸。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述氨基酸含...

【技术特征摘要】

1.一种表面处理组合物，其含有：具有磺酸(盐)基的高分子化合物；选自氨基酸和多元醇中的至少1种化合物；和，分散介质，

2.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其ph为酸性。

3.根据权利要求1或2所述的表面处理组合物，其中，所述具有磺酸(盐)基的高分子化合物的重均分子量为1000以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述氨基酸的pi值为7.0以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的表面处理组合物，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈景智，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：