【技术实现步骤摘要】
一种IGBT串联二极管组合型逆阻器件串联均压电路
本专利技术涉及一种IGBT串联二极管组合型逆阻器件串联均压电路。
技术介绍
目前，应用于高压直流输电领域的换流器主要有电压源型换流器和基于电网换相的电流源型换流器。电流源换流器(CurrentSourceConverter，CSC)具有体积小、无换相失败风险、能够“黑启动”等诸多优点，为高压直流输电提供新的解决方案。CSC相较于电压源型换流器，CSC的功率半导体器件需具备逆阻特性；相较于基于电网换相的电流源型换流器，CSC的功率半导体器件需具备主动关断电流能力。目前商用可主动关断逆阻型功率半导体器件电压等级较低和电流较小，因此应用于高压直流输电的电流源型换流器需采用串联组合型逆阻器件方式实现。本专利技术以IGBT串联二极管构成的组合型逆阻器件为例进行论述，IGBT串联二极管组合型逆组器件拓扑结构如图1所示。对于高压直流输电领域的电流源型换流器，当多个组合型逆阻器件串联时，功率半导体电压分布不均会导致一连串功率半导体器件损坏，因此大规模组合型逆阻器件串联均压是CSC需解决的关键...
【技术保护点】
1.一种IGBT串联二极管组合型逆阻器件串联均压电路，其特征在于：所述均压电路包括一个IGBT静态均压电阻R
【技术特征摘要】
1.一种IGBT串联二极管组合型逆阻器件串联均压电路，其特征在于：所述均压电路包括一个IGBT静态均压电阻R11、一个二极管静态均压电阻R12、一个二极管D1、一个电容C1、一个二极管D2和一个动态均压电阻R13；IGBT的集电极与IGBT静态均压电阻R11的一端、二极管D1的负极和电容C1的正极连接，IGBT的发射极与IGBT静态均压电阻R11的另一端、二极管D1的正极、二极管静态均压电阻R12的一端、二极管Diode的正极连接，二极管Diode的负极与二极管静态均压电阻R12的另一端、动态均压电阻R13的一端、二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与动态均压电阻R13的另一端、电容C1的负极连接。
2.一种IGBT串联二极管组合型逆阻器件串联均压电路；其特征在于：所述均压电路由两个组合型逆阻器件串联均压电路组成，包括六个电阻：IGBT静态均压电阻R11、R21，二极管静态均压电阻R12、R22和动态均压电阻R13、R23，四个二极管D1、D2、D3和D4，两个电容C1和C2；其中第一自关断器件IGBT_1的集电极与均压电路的输出端子E、IGBT静态均压电阻R11的一端、二极管D1的负极、电容C1的正极连接，第一自关断器件IGBT_1的发射极与IGBT静态均压电阻R11的另一端、二极管D1的正极、二极管静态均压电阻R12的一端、第一二极管Diode_1的正极连接，二极管D2的正极与动态均压电阻R13的另一端、电容C1的负极连接，第一二极管Diode_1的负极与二极管静态均压电阻R12的另一端、动态均压电阻R13的一端、二极管D2的负极、第二自关断器件IGBT_2的集电极、IGBT静态均压电阻R21的一端、二极管D3的负极、电容C2的正极连接；第二自关断器件IG...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐飞，罗进华，李子欣，高范强，赵聪，王平，李耀华，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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