一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构制造技术

本发明专利技术提供一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构，所述的实现热插拔MOSFET均流的电路结构串联在主板的供电母线上，该电路结构包括热插拔控制器和若干级模拟控制电路；每级模拟控制电路的输入端均连接到供电母线的输入电流；每级模拟控制电路的输出端均用于连接到负载；若干级模拟控制电路分别与热插拔控制器连接；每级模拟控制电路均包括采样电阻、比较模块、MOSFET管和调控三级管；所述的采样电阻分别与比较模块和MOSFET管连接，比较模块的输出端连接到调控三极管，所述的比较模块的输入端还连接到基准电流；MOSFET管和调控三级管连接，所述的调控三极管连接到热插拔控制器。

A circuit structure for current sharing of hot plug MOSFET

【技术实现步骤摘要】
一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构
本专利技术涉及主板热拔插电路设计
，具体涉及一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构。
技术介绍
随着科技水平的进步，现阶段AI、大数据已经成为市场应用的前沿。相对而言，为了适应对数据处理的要求，不仅CPU、GPU的需求功耗急剧提升，所对应开发出的AI芯片也有相对于一般芯片较高能量需求。服务器中相应的如内存、硬盘等配套设备的功耗也随之增加，所以跟随着每一代核心器件的升级，供电母线中的电流会成比例的增加。由于服务器主板上存在较多电容，在接入电源的瞬间可以将电容看作短路状态，此时供电母线上会出现较大的电流尖峰，使主板损坏。为了避免类似情况发生，在主板的电源接入端口后端串联热插拔电路，热插拔电路在主板上主要有以下功能：(1)初始供电时控制母线电流缓慢抬升，防止电流尖峰；(2)监控母线电流，实现过流保护；(3)采集供电信息，提供功耗监控。如果想使MOSFET通过电流时间越长，那么在承受相同电压下通过电流就越小。所以通常采用并联多个MOSFET分流以承受较高的母线电流。虽然并联多个MOSFE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构，其特征在于，所述的实现热插拔MOSFET均流的电路结构串联在主板的供电母线上，该电路结构包括热插拔控制器和若干级模拟控制电路；每级模拟控制电路的输入端均连接到供电母线的输入电流；每级模拟控制电路的输出端均用于连接到负载；若干级模拟控制电路分别与热插拔控制器连接；/n每级模拟控制电路均包括采样电阻、比较模块、MOSFET管和调控三级管；/n所述的采样电阻分别与比较模块和MOSFET管连接，比较模块的输出端连接到调控三极管，所述的比较模块的输入端还连接到基准电流；MOSFET管和调控三级管连接，所述的调控三极管连接到热插拔控制器。/n

【技术特征摘要】
1.一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构，其特征在于，所述的实现热插拔MOSFET均流的电路结构串联在主板的供电母线上，该电路结构包括热插拔控制器和若干级模拟控制电路；每级模拟控制电路的输入端均连接到供电母线的输入电流；每级模拟控制电路的输出端均用于连接到负载；若干级模拟控制电路分别与热插拔控制器连接；
每级模拟控制电路均包括采样电阻、比较模块、MOSFET管和调控三级管；
所述的采样电阻分别与比较模块和MOSFET管连接，比较模块的输出端连接到调控三极管，所述的比较模块的输入端还连接到基准电流；MOSFET管和调控三级管连接，所述的调控三极管连接到热插拔控制器。


2.根据权利要求1所述的一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构，其特征在于，每级的比较模块均包括比例放大器和比较器；所述的比例放大器的两个输入端分别连接到采样电阻的两端，比例放大器的输出端连接到比较器的反相输入端，所述的比较器的正向输入端连接到基准电流；所述的比较器的输出端连接到调控三极管。


3.根据权利要求2所述的一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构，其特征在于，主板母线的电流通过采样电阻连接到MOSFET管的漏极，所述的比较器的输出端连接到调控三极管的基极，调控三极管的发射极接地；所述的调控三极管的集电极通过电阻连接到热插拔控制器；MOSFET管的栅极连接到调控三极管的集电极，MOSFET管的源极作为输出端连接到负载。


4....

【专利技术属性】
技术研发人员：冯子秋，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32