一种实现并联场效应管主动均流的电路结构制造技术

本发明专利技术提供一种实现并联场效应管主动均流的电路结构，包括至少两个并联的支路，每个支路均包括场效应管、电流采样模块、控制调节模块；所述的场效应管的漏极作为输入端与电流采样模块连接；电流采集模块输出信号连接到控制调节模块；每个支路的电流采样模块输出的信号连接后连接到控制调节模块；电流采样模块的输出端与控制调节模块连接；每个控制调节模块连接到所在支路的场效应管的栅极实现对场效应管的漏极及源极间的阻抗控制实现场效应管的并联均流，每个场效应管的源极连接后作为输出端。

A circuit structure for active current sharing of shunt FET

【技术实现步骤摘要】
一种实现并联场效应管主动均流的电路结构
本专利技术涉及板卡电源设计
，具体涉及一种实现并联场效应管主动均流的电路结构。
技术介绍
良好稳定的供电性能是服务器可以正常工作的前提，金属-氧化物半导体场效应晶体管，(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)作为一种常见的开关管经常应用于板卡电源设计中。MOSFET的工作原理，通过驱动电压模块输出VGS，当VGS超过MOSFET导通所需的门限电压时MOSFET的D极与S极之间开始导通，电流由VIN流向VOUT，当VGS低于MOSFET导通所需的门限电压后，D极与S极之间关断，MOSFET实现开关功能。随着电源电流增大，单颗MOSFET的通流能力已经无法满足要求，因此出现了MOSFET并联使用的情况。MOSFET并联使用的方案虽然能够大幅度的提升MOSFET的整体通流能力，但由于存在驱动电压不同步、板卡Layout差异以及不同MOSFET之间的特性差异等因素，会导致不同MOSFET流经的电流不同，当该不均流现象严重时会使得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种实现并联场效应管主动均流的电路结构，其特征在于包括至少两个并联的支路，每个支路均包括场效应管、电流采样模块、控制调节模块；所述的场效应管的漏极作为输入端与所在支路的电流采样模块连接；每个电流采样模块与所在支路的控制调节模块连接；每个支路的电流采样模块的输出信号连接后连接到每个控制调节模块；控制调节模块连接到所在支路的场效应管的栅极实现对场效应管的漏极及源极间的阻抗控制，实现场效应管的并联均流，所有场效应管的源极连接后作为输出端。/n

【技术特征摘要】
1.一种实现并联场效应管主动均流的电路结构，其特征在于包括至少两个并联的支路，每个支路均包括场效应管、电流采样模块、控制调节模块；所述的场效应管的漏极作为输入端与所在支路的电流采样模块连接；每个电流采样模块与所在支路的控制调节模块连接；每个支路的电流采样模块的输出信号连接后连接到每个控制调节模块；控制调节模块连接到所在支路的场效应管的栅极实现对场效应管的漏极及源极间的阻抗控制，实现场效应管的并联均流，所有场效应管的源极连接后作为输出端。


2.根据权利要求1所述的一种实现并联场效应管主动均流的电路结构，其特征在于所述的控制调节模块包括放大器和驱动电压模块；
电流采集模块输出电流信号通过转换电阻转换成电压信号连接到对应支路的放大器；
每个支路的电流采样模块输出的电流信号连接后通过转换电阻转换成平均电压信号连接到每个放大器；
放大器的输出端连接到所在支路的驱动电压模块，驱动电压模块连接到所在支路的场效应管的栅极。


3.根据权利要求2所述的一种实现并联场效应管主动均流的电路结构，其特征在于所述的驱动电压模块包括驱动模块场效应管、电荷泵和等效电流源；
所述的驱动模块场效应管的栅极与所在支路的放大器的输出端连接；外部输入的电流依次通过电荷泵和等效电流源连接到驱动模块场效应管的漏极，驱动模块场效应管的源极接地；驱动模块场效应管的漏极作为输出端连接到所在支路的场效应管的栅极。


4.根据权利要求3所述的一种实现并联场效应管主动均流的电路结...

【专利技术属性】
技术研发人员：王健，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32