金属栅极形成方法及其形成结构技术

本发明专利技术实施例涉及金属栅极形成方法及其形成结构。本揭露提供一种形成半导体结构的方法，其包括：提供衬底；在所述衬底中形成第一对源极/漏极区；在所述衬底上方放置层间介电质层，所述层间介电质层具有介于所述第一对源极/漏极区之间的第一沟槽；在所述第一沟槽中沉积介电质层；在所述介电质层上方沉积障壁层；从所述第一沟槽移除所述障壁层以曝光所述介电质层；在所述第一沟槽中的所述介电质层上方沉积功函数层；及在所述第一沟槽中的所述功函数层上方沉积导电层。

Forming method and structure of metal grid

【技术实现步骤摘要】
金属栅极形成方法及其形成结构
本专利技术实施例涉及金属栅极形成方法及其形成结构。
技术介绍
随着技术演进，半导体装置的设计及制造鉴于其等更小尺寸、增强功能及更复杂电路而变得更加复杂。因此，不断需要修改制造半导体装置及其结构的方法以便改良装置稳健性并且降低成本及处理时间。据此，特定地关注于改良晶体管中的金属栅极(MG)电极的性能。一种形成MG电极的工艺称为后栅极工艺，而另一形成工艺称为先栅极工艺。后栅极工艺允许在形成栅极之后执行减少数目个后续工艺，包括高温操作。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及一种形成半导体结构的方法，其包含：提供衬底；在所述衬底中形成第一对源极/漏极区；在所述衬底上方放置层间介电质层，所述层间介电质层具有所述第一对源极/漏极区之间的第一沟槽；在所述第一沟槽中沉积介电质层；在所述介电质层上方沉积障壁层；从所述第一沟槽移除所述障壁层以曝光所述介电质层；在所述第一沟槽中的所述介电质层上方沉积功函数层；及在所述第一沟槽中的所述功函数层上方沉积导电层。本专利技术的实施例涉及一种形成半导体结构的方法，其包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体结构的方法，其包含：/n提供衬底；/n在所述衬底中形成第一对源极/漏极区；/n在所述衬底上方放置层间介电质层，所述层间介电质层具有介于所述第一对源极/漏极区之间的第一沟槽；/n在所述第一沟槽中沉积介电质层；/n在所述介电质层上方沉积障壁层；/n从所述第一沟槽移除所述障壁层以曝光所述介电质层；/n在所述第一沟槽中的所述介电质层上方沉积功函数层；及/n在所述第一沟槽中的所述功函数层上方沉积导电层。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,319;20190401 US 16/372,1781.一种形成半导体结构的方法，其包含：
提供衬底；
在所述衬底中形成第一对源极/漏极区；
在所述衬底上方放置层间介...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宜静，郑雅云，林浩宇，陈奕升，许家铭，柯志欣，幸仁·万，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71