温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例涉及金属栅极形成方法及其形成结构。本揭露提供一种形成半导体结构的方法，其包括：提供衬底；在所述衬底中形成第一对源极/漏极区；在所述衬底上方放置层间介电质层，所述层间介电质层具有介于所述第一对源极/漏极区之间的第一沟槽；在所述第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。