在铝互连结构中集成MIM电容的方法及铝互连结构技术

本申请公开了一种在铝互连结构中集成MIM电容的方法及铝互连结构，该方法包括：在第一介质层中形成至少两个第一层铝引线；在第一介质层上形成第二介质层；打开至少两个第一层铝引线中的目标铝引线上方的第二介质层，形成第一沟槽；在第二介质层和第一沟槽表面形成电介质层；打开目标铝引线的预定区域和其它第一层铝引线上方的第二介质层和电介质层，使目标铝引线的预定区域和其它第一层铝引线暴露，形成至少两个第一通孔；在第一通孔和第一沟槽中填充金属后，对金属进行平坦化处理形成第二层接触通孔和金属层。由于在铝互连结构的中间层中形成的金属层‑电介质层‑目标铝引线构成的电容不需要额外的形成MIM电容上极板的工艺，提高了制造效率。

The method of integrating MIM capacitor in aluminum interconnection structure and aluminum interconnection structure

【技术实现步骤摘要】
在铝互连结构中集成MIM电容的方法及铝互连结构
本申请涉及集成电路制造
，具体涉及一种在铝互连结构中集成MIM电容的方法及铝互连结构。
技术介绍
电容元件常应用于如射频、单片微波等集成电路中作为电子无源器件。常见的电容元件包括金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)电容、PN结(PositiveNegativeJunction)电容以及金属-介质层-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容等。其中，MIM电容在某些特殊应用中提供较优于MOS电容以及PN结电容的电学特性，这是由于MOS电容以及PN结电容均受限于其本身结构，在工作时电极容易产生空穴层，导致其频率特性降低，而MIM电容可以提供较好的频率以及温度相关特性。此外，在半导体制造中，MIM电容可形成于层间金属以及金属互连制程中，也降低了与集成电路制造的前端工艺整合的困难度及复杂度。图1示出了相关技术中提供的包含MIM电容的铝互连结构的剖面图，如图1所示，第一介质层110中形成有第一层铝引线111、第一层铝引线112以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在铝互连结构中集成MIM电容的方法，其特征在于，包括：/n在第一介质层中形成至少两个第一层铝引线；/n在所述第一介质层上形成第二介质层；/n打开所述至少两个第一层铝引线中的目标铝引线上方的第二介质层，形成第一沟槽；/n在所述第二介质层和所述第一沟槽表面形成电介质层；/n打开所述目标铝引线的预定区域和其它第一层铝引线上方的第二介质层和电介质层，使所述目标铝引线的预定区域和所述其它第一层铝引线暴露，形成至少两个第一通孔；/n在所述第一通孔和所述第一沟槽中填充金属后，对所述金属进行平坦化处理形成第二层接触通孔和金属层；/n其中，所述金属层、所述金属层下方的电介质层和所述目标铝引线形成MIM电...

【技术特征摘要】
1.一种在铝互连结构中集成MIM电容的方法，其特征在于，包括：
在第一介质层中形成至少两个第一层铝引线；
在所述第一介质层上形成第二介质层；
打开所述至少两个第一层铝引线中的目标铝引线上方的第二介质层，形成第一沟槽；
在所述第二介质层和所述第一沟槽表面形成电介质层；
打开所述目标铝引线的预定区域和其它第一层铝引线上方的第二介质层和电介质层，使所述目标铝引线的预定区域和所述其它第一层铝引线暴露，形成至少两个第一通孔；
在所述第一通孔和所述第一沟槽中填充金属后，对所述金属进行平坦化处理形成第二层接触通孔和金属层；
其中，所述金属层、所述金属层下方的电介质层和所述目标铝引线形成MIM电容。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一通孔中填充金属，形成第二层接触通孔，在所述第一沟槽中填充金属，形成金属层之后，还包括：
在所述金属层、所述电介质层以及所述第二层接触通孔上形成铝金属层；
对所述铝金属层的预定区域进行刻蚀，形成第二层铝引线，所述铝金属层的预定区域是所述第二层铝引线之间的区域；
在所述第二层铝引线上沉积第三介质层，对所述第三介质层进行平坦化，使所述第二层铝引线暴露。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属层包括钨。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括氮化硅。


5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述第二层接触通孔包括钨。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一层铝引线的下方形成有第一层接触通...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊文，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32