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本申请公开了一种在铝互连结构中集成MIM电容的方法及铝互连结构，该方法包括：在第一介质层中形成至少两个第一层铝引线；在第一介质层上形成第二介质层；打开至少两个第一层铝引线中的目标铝引线上方的第二介质层，形成第一沟槽；在第二介质层和第一沟槽表...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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