【技术实现步骤摘要】
一种基于片上电化学的电容器芯片及其制备方法
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种基于片上电化学的电容器芯片及其制备方法。
技术介绍
随着可穿戴设备和物联网的迅速发展，目前对于电子设备的小型化与柔性化有着越来越严苛的要求。对于目前的电子设备之中，用于处理低频信号的电路模块是体积最庞大、最难以集成于芯片的电路模块，这主要是因为其中必然要用到大体积电解电容器。当前电路之中使用的电容器是基于介电层的静电电容器，其单位体积的电容值有限。
技术实现思路
由于现有方法存在上述问题，本专利技术实施例提供一种基于片上电化学的电容器芯片及其制备方法。第一方面，本专利技术实施例提供了一种基于片上电化学的电容器芯片，包括：衬底层、正金属电极、负金属电极、导电集流层和凝胶电解质，所述衬底层由上到下包括绝缘层和硅层，所述正金属电极和负金属电极分别通过导电集流层独立位于所述绝缘层上方，所述正金属电极和负金属电极为多孔金属结构，且在所述多孔金属结构表面覆盖低维赝电容材料，在所述正金属电极和负金属电极周围为
【技术保护点】
1.一种基于片上电化学的电容器芯片，其特征在于，包括：/n衬底层、正金属电极、负金属电极、导电集流层和凝胶电解质，所述衬底层由上到下包括绝缘层和硅层，所述正金属电极和负金属电极通过导电集流层分别独立位于所述绝缘层上方，所述正金属电极和负金属电极为多孔金属结构，且在所述多孔金属结构表面覆盖低维赝电容材料，在所述正金属电极和负金属电极周围为所述凝胶电解质。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于片上电化学的电容器芯片，其特征在于，包括：
衬底层、正金属电极、负金属电极、导电集流层和凝胶电解质，所述衬底层由上到下包括绝缘层和硅层，所述正金属电极和负金属电极通过导电集流层分别独立位于所述绝缘层上方，所述正金属电极和负金属电极为多孔金属结构，且在所述多孔金属结构表面覆盖低维赝电容材料，在所述正金属电极和负金属电极周围为所述凝胶电解质。
2.根据权利要求1所述的基于片上电化学的电容器芯片，其特征在于，构成所述正金属电极和负金属电极的金属材料为金。
3.根据权利要求2所述的基于片上电化学的电容器芯片，其特征在于，所述正金属电极和负金属电极的多孔金属结构的孔径大于300nm。
4.根据权利要求3所述的基于片上电化学的电容器芯片，其特征在于，所述电容器芯片由光刻胶进行封装。
5.一种如权利要求1-4任一所述的基于片上电化学的电容器芯片的制备方法，其特征在于，包括：
获取第一硅片，所述第一硅片由上到下包括绝缘层和硅...
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