【技术实现步骤摘要】
存储器结构、静态随机存取存储器结构及系统单芯片装置
本公开涉及一种存储器装置，特别涉及一种静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory,SRAM)结构。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit,IC)工业已经历了指数性的成长。IC材料及设计在技术上的进步已催生了多个世代的IC，其中每个世代都有相较于前一世代更小且更复杂的电路。在IC的发展过程中，在几何尺寸(即使用制造工艺所能创建的最小组件或线段)减少的同时，功能密度(即每单位芯片面积的互连装置的数量)通常会增加。这种微缩过程通常以增加生产效率及降低相关成本的方式来提供益处。这些微缩亦增加了处理及制造IC的复杂度。举例来说，随着IC技术朝更小的技术节点发展，多重栅极(multi-gate)装置被导入以通过增加栅极-通道耦接(gate-channelcoupling)、降低关闭状态电流(off-statecurrent)、以及降低短通道效应(short-channeleffects,SCEs)来改善栅极控制。多重栅极装置通常...
【技术保护点】
1.一种存储器结构，包括：/n一第一静态随机存取存储器巨集，包括复数第一栅极全环晶体管；以及/n一第二静态随机存取存储器巨集，包括复数第二栅极全环晶体管；/n其中上述第一静态随机存取存储器巨集的每个上述第一栅极全环晶体管包括复数第一通道区域，每个上述第一通道区域具有一第一通道宽度W1及一第一通道厚度T1；/n其中上述第二静态随机存取存储器巨集的每个上述第二栅极全环晶体管包括复数第二通道区域，每个上述第二通道区域具有一第二通道宽度W2及一第二通道厚度T2；/n其中W2/T2大于W1/T1。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20181030 US 62/752,578;20181219 US 16/225,6811.一种存储器结构，包括：
一第一静态随机存取存储器巨集，包括复数第一栅极全环晶体管；以及
一第二静态随机存取存储器巨集，包括复数第二栅极全环晶体管；
其中上述第一静态随机存取存储器巨集的每个上述第一栅极全环晶体管包括复数第一通道区域，每个上述第一通道区域具有一第一通道宽度W1及一第一通道厚度T1；
其中上述第二静态随机存取存储器巨集的每个上述第二栅极全环晶体管包括复数第二通道区域，每个上述第二通道区域具有一第二通道宽度W2及一第二通道厚度T2；
其中W2/T2大于W1/T1。
2.如权利要求1所述的存储器结构，其中W1/T1介于约0.9至约2之间。
3.如权利要求1所述的存储器结构，其中上述第一静态随机存取存储器巨集由复数第一静态随机存取存储器单元所组成，而上述第二静态随机存取存储器巨集由复数第二静态随机存取存储器单元所组成，其中每个上述第二静态随机存取存储器单元所具有的宽度大于每个上述第一静态随机存取存储器单元的宽度。
4.如权利要求1所述的存储器结构，其中上述第一静态随机存取存储器巨集的复数第一位元线层具有一第一位元线宽度，而上述第二静态随机存取存储器巨集的复数第二位元线层具有一第二位元线宽度，其中上述第二位元线宽度大于上述第一位元线宽度。
5.一种静态随机存取存储器结构，包括：
一第一六晶体管静态随机存取存储器巨集，包括复数第一单元，每个上述第一单元具有复数N型第一类型栅极全环晶体管以及复数P型第一类型栅极全环晶体管；以及
一第二六晶体管静态随机存取存储器巨集，包括复数第二单元，每个上述第二单元具有复数N型第二类型栅极全环晶体管以及上述P型第一类型栅极全环晶体管；
其中每个上述N型第一类型栅极全环晶体管以及上述P型第一类型栅极全环晶体管包括复数第一通道区域，每个上述第一通道区域具有一第一通道宽度W1及一第一通道厚度T1；
其中每个上述N型第二类型栅极全环晶体管包括复数第二通道区域，每个上述第二通道区域具有一第二通道宽度W2及一第二通道厚度T2；
其中W2/T2大于W1/T1。
6.如权利要求5所述的静态随机存取存储器结构，其中上述第一六晶体管静态随机存取存储器巨集的每个上述第一单元包括：
一第一传输栅节点，包括上述N型第一类型栅极全环晶体管中的一者；
一第一下拉节点，包括上述N型第一类型栅极全环晶体管中的另一者；以及
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。