电子器件、存储器器件和预充电列信号线的方法技术

存储器器件包括可操作地连接到列信号线和字信号线的存储器单元。与要访问(例如，读取)的一个或多个存储器单元相关联的列信号线被预充电到第一电压电平。与要访问的一个或多个存储器单元不相关联的列信号线被预充电到第二电压电平，其中第二电压电平小于第一电压电平。本发明专利技术的实施例还涉及电子器件和预充电列信号线的方法。

Methods of electronic devices, memory devices and signal lines of precharge train

【技术实现步骤摘要】
电子器件、存储器器件和预充电列信号线的方法
本专利技术的实施例涉及电子器件、存储器器件和预充电列信号线的方法。
技术介绍
出于各种目的，在电子器件中使用不同类型的存储器电路。只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)是两种这样类型的存储器电路。ROM电路允许从ROM电路读取数据，但不写入ROM电路，并在电源关闭时保持其存储的数据。这样，ROM电路通常用于存储在电子器件导通时执行的程序。RAM电路允许将数据写入RAM电路中的所选存储器单元并从中读取数据。一种RAM电路是静态随机存取存储器(SRAM)电路。典型的SRAM电路包括以列和行布置的可寻址存储器单元的阵列。当要读取存储器单元时，通过激活连接到存储器单元的行字线和列信号线(b1和blb线)来选择存储器单元。然而，列信号线可以相对较长并且具有大的寄生电容。在一些情况下，寄生电容可能在错误的读取操作中产生，其中从存储器单元读出不正确的值(例如，1或0)。为了在读取操作期间减小寄生电容的影响，可以在字线被断言之前将列信号线(bl和blb)预充电到参考电压(例如，VDD)。在列信本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子器件，包括：/n存储器器件，包括：/n第一存储器单元，可操作地连接到一条或多条第一列信号线；/n第二存储器单元，可操作地连接到一条或多条第二列信号线；和/n预充电电路，可操作地连接到所述一条或多条第一列信号线和所述一条或多条第二列信号线，其中，所述预充电电路可操作为：/n当要访问所述第一存储器单元时，将所述一条或多条第一列信号线预充电到第一电压电平；并且/n当要访问所述第一存储器单元时，将所述一条或多条第二列信号线预充电到第二电压电平，其中，所述第二电压电平小于所述第一电压电平。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,770;20190726 US 16/523,5921.一种电子器件，包括：
存储器器件，包括：
第一存储器单元，可操作地连接到一条或多条第一列信号线；
第二存储器单元，可操作地连接到一条或多条第二列信号线；和
预充电电路，可操作地连接到所述一条或多条第一列信号线和所述一条或多条第二列信号线，其中，所述预充电电路可操作为：
当要访问所述第一存储器单元时，将所述一条或多条第一列信号线预充电到第一电压电平；并且
当要访问所述第一存储器单元时，将所述一条或多条第二列信号线预充电到第二电压电平，其中，所述第二电压电平小于所述第一电压电平。


2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述一条或多条第一列信号线和所述一条或多条第二列信号线的每条包括位线和位线条。


3.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述预充电电路包括：
预充电回路；
第一开关电路，可操作地连接到所述预充电回路；以及
第二开关电路，可操作地连接到所述预充电回路。


4.根据权利要求3所述的电子器件，其中：
所述预充电回路包括：
第一预充电回路，可操作地连接到所述一条或多条第一列信号线；和
第二预充电回路，可操作地连接到所述一条或多条第二列信号线；
所述第一开关电路包括：
第一开关回路，可操作地连接在所述第一预充电回路和提供所述第一电压电平的第一信号线之间；和
第二开关回路，可操作地连接在所述第二预充电回路和提供所述第一电压电平的所述第一信号线之间；并且
所述第二开关电路包括：
第三开关回路，可操作地连接在所述第一预充电回路和提供所述第二电压电平的第二信号线之间；和
第四开关回路，可操作地连接在所述第二预充电回路和提供所述第二电压电平的所述第二信号线之间。

【专利技术属性】
技术研发人员：埃德·麦克库姆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71