改善曝光性能的方法及设备技术

本发明专利技术实施例是有关改善曝光性能的方法及设备。提出一种操作照明器的方法及设备。一种方法包含：将辐射光束引导到包括狭缝指形件的所述照明器；感测所述狭缝指形件中的每一个的温度值；基于所述温度值确定所述相应狭缝指形件的偏移值；使所述相应狭缝指形件根据所述偏移值移动以从所述辐射光束形成光狭缝；及使用所述光狭缝曝光工件。

Methods and equipment for improving exposure performance

【技术实现步骤摘要】
改善曝光性能的方法及设备
本专利技术实施例是有关改善曝光性能的方法及设备。
技术介绍
在先进半导体技术中，装置大小的持续减小及越加复杂的电路布置已经使集成电路(IC)的设计及制造更具挑战且成本更高。因此，需要不断修改设计且制造半导体装置的结构及方法，以便改善装置稳固性以及减小制造成本及处理时间。
技术实现思路
本专利技术的一实施例是关于一种操作照明器的方法，其包括：将辐射光束引导到包括狭缝指形件的所述照明器；感测所述狭缝指形件中的每一个的温度值；基于所述温度值确定所述相应狭缝指形件的偏移值；使所述相应狭缝指形件根据所述偏移值移动以从所述辐射光束形成光狭缝；及使用所述光狭缝曝光工件。本专利技术的一实施例是关于一种操作照明器的方法，其包括：将辐射光束引导到包括狭缝指形件的所述照明器；感测所述狭缝指形件的温度值；基于所述温度值确定所述相应狭缝指形件的偏移值；使所述狭缝指形件根据所述偏移值移动以从所述辐射光束形成光狭缝；及确定所述光狭缝的轮廓是否符合均匀性准则。本专利技术的一实施例是关于一种设备，其包括：光源，其经配置以发射光；及照明器，其包括：多个狭缝指形件，其经配置以容许所述光通过且形成光狭缝；多个温度传感器，其经配置以感测所述狭缝指形件的温度值；及多个致动器，其经配置以响应于所述温度传感器的感测结果移动所述对应狭缝指形件。附图说明当结合附图阅读时，从以下实施方式最佳地理解本专利技术的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种构件不按比例绘制。实际上，为清晰论述，各种构件的尺寸可任意增大或减小。图1为根据一些实施例的光刻设备的示意图。图2为根据一些实施例的图1的光刻设备的均匀性控制模块的示意图。图3A及3B为根据一些实施例的图2中的均匀性控制模块的指形件的示意性俯视图。图4为展示根据一些实施例的操作照明器的方法的流程图。图5为展示根据一些实施例的均匀性控制模块的感测结果的图。具体实施方式下列本专利技术提供用于实施所提供主题的不同构件的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本专利技术。当然，此些仅为实例且并不打算为限制性的。例如，在下列描述中的将第一构件形成在第二构件上方或上可包含其中将第一构件及第二构件形成为直接接触的实施例，且也可包含其中可在第一构件与第二构件之间形成额外构件，使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本专利技术可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且本身并不指示所论述各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为便于描述，可在本文中使用例如“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上”、“上”等的空间相对术语以描述一个元件或构件与另一(若干)元件或构件的关系(如在图中绘示)。除在图中描绘的定向以外，空间相对术语也打算涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转70度或成其它定向)且因此可同样地解释本文中使用的空间相对描述词。虽然阐述本专利技术实施例的广泛范围的数值范围及参数为近似值，但已尽可能精确地报告特定实例中所阐述的数值。然而，任何数值固有地含有必然由相应测试测量中正常发现的偏差引起的特定误差。同样地，如本文中使用，术语“大约”、“大体”或“大体上”一般意指在给定值或范围的10％、5％、1％或0.5％内。替代地，当由所属领域的一般技术人员考虑时，术语“大约”、“大体”或“大体上”意谓在可接受的平均值标准误差内。除了在操作/工作实例中之外，或除非另有明确指定，本文中公开的全部数值范围、数量、值及百分比(例如材料量、持续时间、温度、操作条件、数量比等的数值范围、数量、值及百分比)应被理解为在全部例项中都由术语“大约”、“大体”或“大体上”修饰。因此，除非有相反指示，否则本专利技术实施例及随附专利技术权利要求书中阐述的数值参数为可如所需般变化的近似值。最起码，每一数值参数应至少鉴于所报告的有效数字的数目且通过应用普通舍入技术解释。本文中可将范围表达为从一个端点到另一端点或在两个端点之间。本文公开的所有范围包含所述端点，除非另有指定。光刻术为制造集成电路(IC)以及其它半导体装置中的必要过程中的一种。在使用光刻设备制造IC期间，图案化装置(其被称为掩模或中间掩模)经配置以将电路图案转移到衬底的个别层。电路图案的转移通常经由在衬底上提供的辐射敏感材料(例如，光致抗蚀剂)层上的成像进行。衬底一般含有曝光场阵列(或简称为场)，在其上一次曝光一个场的区域。为了降低IC的制造成本，一般连续对场执行曝光任务，其中闲置时间较短。也就是说，为了减小曝光成本及时间，最小化后续曝光之间的闲置时间。因此，光刻设备可吸收造成设备的组件(例如用于塑形曝光照明或辐射的狭缝指形件)变形的热辐射。曝光辐射的非所要副效应(例如漂移、移动及轮廓均匀性减小)可相应地出现，且不利地影响成像质量。贯穿本专利技术实施例，术语“均匀”或“均匀性”是指跨整个目标曝光区域的辐射的恒定强度轮廓。在一些情况中，术语“均匀”或“均匀性”也是指控制到目标照明轮廓上的照明的能力。目标轮廓均匀性可包含平坦(即，等强度)或非平坦轮廓。照明或辐射(在其经塑形以照明电路图案时被称为狭缝)在跨整个光束的照明的所测量强度下降到低于从目标照明轮廓的预定偏差阈值的情况下被视为均匀的。众所周知，成像质量对照明均匀性的敏感度随着待成像的电路图案的最小线宽的减小而增大。由于行业一直努力缩小先进技术世代中的最小线宽，因此，曝光操作中的照明均匀性的问题对制造具有所需线宽的无缺陷半导体装置是更关键的。曝光辐射的照明轮廓(即，狭缝均匀性)一般由与入射辐射(狭缝)相交的一组可移动狭缝指形件确定。通过移动狭缝指形件，可按需要调整对应指形件部分处的狭缝强度。在本专利技术实施例中，提出一种管理狭缝均匀性的方法及设备。采用基于温度的反馈控制机构来监测每一狭缝指形件的温度。基于所测量温度值及对狭缝指形件的连续测量之间的温度差调整狭缝指形件的位置。透过原位温度感测数据的反馈，可更精确地确定狭缝指形件的偏移值且可更佳地控制辐射均匀性。图1为根据一些实施例的光刻设备100的示意图。本专利技术实施例绘示透射型光刻设备，但本专利技术不限于此。其它类型的光刻设备(例如反射型光刻设备)也可在本专利技术的预期范围内。光刻设备100包含辐射源110、照明器120、中间掩模台130、投影模块140及晶片台150。辐射源110经配置以发射辐射光束Ra作为光刻曝光源。辐射源110可为准分子激光或水银灯。在一实施例中，辐射光束Ra经配置以发射具有在约1nm与约100nm之间(例如13.5nm)的波长的EUV光。源110及光刻设备100可为单独实体或集成结构。照明器120经安置于辐射源110下方且从辐射源110接收入射辐射光束Ra。在一实施例中，光束递送模块102(其可包含光束引导镜及/或光束扩展器)经安置于辐射源110与照明器120之间，且经配置以在准分子激光被用作辐射源110时引导辐射光束Ra。照明器120可包括用于任选地调节入射辐射Ra的串列光学元件。例如，照明器120包括调本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作照明器的方法，其包括：/n将辐射光束引导到包括狭缝指形件的所述照明器；/n感测所述狭缝指形件中的每一个的温度值；/n基于所述温度值确定所述相应狭缝指形件的偏移值；/n使所述相应狭缝指形件根据所述偏移值移动以从所述辐射光束形成光狭缝；及/n使用所述光狭缝曝光工件。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,394;20190502 US 16/401,2791.一种操作照明器的方法，其包括：
将辐射光束引导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆朝霈，李永尧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71