【技术实现步骤摘要】
一种低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器
本技术属于微电子加工
，涉及一种等离子体反应器，尤其涉及一种低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器。
技术介绍
等离子体反应器可以产生高能等离子体，被广泛应用于材料表面改性及表面处理等领域。在微电子加工
中，超大规模集成电路制造工艺有近三分之一的工序是借助等离子体加工技术完成的，如等离子体刻蚀、等离子体薄膜沉积以及等离子体去胶等。应用在等离子体刻蚀的等离子体源主要有单频或双频容性耦合等离子体源(CCP)和感性耦合等离子体源(ICP)等。在刻蚀工艺中，CCP由于电子及离子能量较高主要应用于SiO2等介质的刻蚀；而ICP由于具有高密度低离子能量的特点，主要应用于半导体材料以及金属材料的刻蚀，如Si和Cu刻蚀。现有射频等离子体反应器一般采用感性耦合等离子体源或者为容性耦合等离子体源中的一种作为等离子体源，如申请号为201520949108.5和201410684085.X的专利申请分别公开了一种低真空低温射频容性耦合等离子体反应器和一种低真空低温射频感性耦...
【技术保护点】
1.一种低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器，包括反应腔室(1)，所述反应腔室(1)上设有进气端和出气端；其特征在于，所述反应腔室(1)的进气端与用于通入反应气体的第二支管(22)连通；所述反应腔室(1)还与用于通入惰性气体的第一支管(21)连通；所述反应腔室(1)的出气端连通设置有抽气装置；所述反应腔室(1)上相对靠近进气端的外壁上缠绕有线圈(3)，所述线圈(3)与一射频电源A(31)相连接，所述射频电源A(31)与线圈(3)之间还连接有用于调节阻抗的匹配器A(32)，所述反应腔室(1)内相对靠近进气端处设有金属电极(8)，所述金属电极(8)与一射频电源B(81)相连...
【技术特征摘要】
1.一种低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器，包括反应腔室(1)，所述反应腔室(1)上设有进气端和出气端；其特征在于，所述反应腔室(1)的进气端与用于通入反应气体的第二支管(22)连通；所述反应腔室(1)还与用于通入惰性气体的第一支管(21)连通；所述反应腔室(1)的出气端连通设置有抽气装置；所述反应腔室(1)上相对靠近进气端的外壁上缠绕有线圈(3)，所述线圈(3)与一射频电源A(31)相连接，所述射频电源A(31)与线圈(3)之间还连接有用于调节阻抗的匹配器A(32)，所述反应腔室(1)内相对靠近进气端处设有金属电极(8)，所述金属电极(8)与一射频电源B(81)相连接，所述射频电源B(81)与金属电极(8)之间连接有用于调节阻抗的匹配器B(82)；所述反应腔室(1)内还设置有用于放置待改性样品(52)的样品台(51)，所述样品台(51)通过一位置调节机构在反应腔室(1)内往复移动从而靠近或远离金属电极(8)；所述样品台(51)导电。
2.根据权利要求1所述的低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器，其特征在于，所述进气端与一进气总管(2)连通；所述第一支管(21)和第二支管(22)均连接至一气体混合室(25)，所述气体混合室(25)与进气总管(2)连接。
3.根据权利要求2所述的低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器，其特征在于，所述反应腔室(1)内部设置有气体导流栅(12)，所述气体导流栅(12)位于金属电极(8)和进气总管(2)之间。
4.根据权利要求1所述的低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器，其特征在于，所述第一支管(21)和第二支管(22)沿其进气方向上均依次设置有针阀(23)和流量计(24)；所述匹配器A(32)和匹配器B(82)上设有用于显示电容值的显示屏。
5.根据权利要求1所述的低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器，其特征在于，所述线圈(3)上设置有对线圈(3)进行降温的水冷系统(4)，所述线圈(3)上设置有绝缘层，所述水冷系统(4)包括套在线圈(3)外的水管(41)、设于水管(41)与绝缘层之间的冷却...
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