【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质
本专利技术涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质。
技术介绍
在形成快闪存储器、逻辑电路等半导体装置的图案时，作为制造工序的一个工序，有时实施对基板进行氮化处理等预定处理的工序。例如在专利文献1中，公开了使用等离子体激励后的处理气体对形成在基板上的图案表面进行重整处理。专利文献1：日本特开2014-75579号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在通过对处理气体进行等离子体激励而处理基板时，在处理室内生成自由基、离子等活性物、电子。在此，有时由于通过施加了高频电力的电极形成的电场的影响，所生成的离子被加速而与处理室的内部碰撞，引起溅射(sputtering)。如果处理室的内部被溅射，则担心构成内壁表面的物质的成分被释放到处理室中，而掺入基板的被处理对象膜的膜中等，而对基板处理产生不良影响。本专利技术提供减少在处理室内对处理气体进行等离子体激励时产生的对处理室内壁等的溅射的发生的技术。解决方案根据本专...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，/n上述基板处理装置具备：/n等离子体容器，其对处理气体进行等离子体激励；/n基板处理室，其与上述等离子体容器连通；/n气体供给系统，其构成为向上述等离子体容器供给上述处理气体；以及/n线圈，其被设置为卷绕在上述等离子体容器的外周，且构成为被供给高频电力，/n上述线圈形成为，从一端到另一端之间的预定位置处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离与其他位置处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离不同，并且，施加到上述线圈的电压的驻波的振幅最大的位置处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最大。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171023 JP 2017-2043981.一种基板处理装置，其特征在于，
上述基板处理装置具备：
等离子体容器，其对处理气体进行等离子体激励；
基板处理室，其与上述等离子体容器连通；
气体供给系统，其构成为向上述等离子体容器供给上述处理气体；以及
线圈，其被设置为卷绕在上述等离子体容器的外周，且构成为被供给高频电力，
上述线圈形成为，从一端到另一端之间的预定位置处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离与其他位置处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离不同，并且，施加到上述线圈的电压的驻波的振幅最大的位置处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最大。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈形成为，在施加到上述线圈的电压的驻波的振幅最小的位置中的至少一个位置处，从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈形成为，在供给到上述线圈的电流的驻波的振幅最大的位置中的至少一个位置处，从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
供给到上述线圈的电流的驻波的振幅最大的位置中的至少一个位置是上述线圈的中点，
上述线圈形成为，上述线圈的中点处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
供给到上述线圈的电流的驻波的振幅最大的位置包括上述线圈的一端和另一端，
上述线圈形成为，仅在从上述线圈的一端卷绕上述等离子体容器的外周一圈的区间、从上述线圈的另一端卷绕上述等离子体容器的外周一圈的区间、以及以上述线圈的中点为中央卷绕上述等离子体容器的外周一圈的区间中，从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈形成为，在以上述线圈的中点为中央卷绕上述等离子体容器的外周多圈的区间中，从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈形成为，仅在以...
【专利技术属性】
技术研发人员：保井毅，舟木克典，室林正季，原田幸一郎，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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