【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体生成装置、基板处理装置、以及半导体器件的制造方法
本专利技术涉及等离子体生成装置、基板处理装置、以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
在半导体器件的一个制造工序中，有时进行以下的基板处理，即，将基板运入基板处理装置的处理室内，使用等离子体使供给到处理室内的原料气体、反应气体等处理气体活化，在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或除去各种膜。为了促进堆积的薄膜的反应，或从薄膜除去杂质，或者辅助成膜原料的化学反应等，而使用等离子体(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-92637号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，在使用多个高频电源进行等离子体生成的处理装置中，各个高频电源的频率的差会相互干扰而成为噪声，因此有时无法进行稳定的等离子体生成。本专利技术的目的在于：提供即使在使用多个高频电源进行等离子体生成的情况下也能够进行稳定的等离子体生成的技术。解决问题的方案根据本专利技术的一...
【技术保护点】
1.一种等离子体生成装置，其中，具备：/n多个高频电源，其用于分别向多个等离子体产生部供电；/n多个匹配器，其设置在上述多个高频电源与上述多个等离子体产生部之间，用于分别取得上述等离子体产生部的负载电阻与上述高频电源的输出电阻的匹配，/n上述多个高频电源中的至少一个高频电源具备：/n高频振荡器，其振荡产生高频；/n指向性耦合器，其配置在上述高频振荡器的后级，分别取得来自上述高频振荡器的行波分量和来自上述匹配器的反射波分量的一部分；/n滤波器，其去除添加到由上述指向性耦合器提取的上述反射波分量中的噪声信号；/n电力监视器，其测定通过上述滤波器后的上述反射波分量、由上述指向性耦...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170814 JP 2017-1563431.一种等离子体生成装置，其中，具备：
多个高频电源，其用于分别向多个等离子体产生部供电；
多个匹配器，其设置在上述多个高频电源与上述多个等离子体产生部之间，用于分别取得上述等离子体产生部的负载电阻与上述高频电源的输出电阻的匹配，
上述多个高频电源中的至少一个高频电源具备：
高频振荡器，其振荡产生高频；
指向性耦合器，其配置在上述高频振荡器的后级，分别取得来自上述高频振荡器的行波分量和来自上述匹配器的反射波分量的一部分；
滤波器，其去除添加到由上述指向性耦合器提取的上述反射波分量中的噪声信号；
电力监视器，其测定通过上述滤波器后的上述反射波分量、由上述指向性耦合器取得的上述行波分量，并对上述匹配器进行反馈控制使得来自上述匹配器的反射波分量变少。
2.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其中，
上述滤波器是去除噪声的带通滤波器，该噪声起因于设置在至少一个上述高频电源中的高频振荡器的振荡频率与设置在至少一个上述高频电源以外的高频电源中的高频振荡器的振荡频率的差。
3.根据权利要求2所述的等离子体生成装置，其中，
上述带通滤波器的通过频带是使设置在至少一个上述高频电源中的上述高频振荡器的振荡频率通过的频率范围。
4.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其中，
上述多个高频电源的振荡频率不同。
5.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其中，
上述滤波器由相同特性的2个滤波器构成，并使由上述指向性耦合器提取的上述反射波分量和上述行波分量通过。
6.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其中，
对至少一个上述高频电源和至少一个上述高频电源以外的高频电源共通地使用上述高频振荡器振荡产生的高频。
7.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其中，
在上述多个高频电源中的至少2个以上的高频电源中设置上述高频振荡器，在上述高频振荡器和上述指向性耦合器之间设置切换上述高频振荡器振荡产生的高频的开关。
8.一种基板处理装置，其中，具备：
处理室，其处理基板；
气体供给部，其向上述处理室内供给规定的处理气体；
多个高频电源，其用于分别向多个等离子体产生部供电；
多个匹配器，其设置在上述多个高频电源与上述多个等离子体产生部之间，用于分别取得上述等离子体产生部的负载电阻与上述高频电源的输出电阻的匹配，
上述多个高频电源中的至少一个高频电源具备：
高频振荡器，其振荡产生高频；
指向性耦合器，其配置在上述高频振荡器的后级，分别取得来自上述高频振...
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