保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该能量射线固化性成分(a0)与该非能量射线固化性聚合物(b)的HSP距离R

Manufacturing methods of composite chips and semiconductor chips for protective film formation

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法
本专利技术涉及保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法。本申请基于2017年10月27日于日本提出申请的日本特愿2017-208433号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
近年来，正在进行着应用了被称作倒装(facedown)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，半导体芯片的与电路面为相反侧的背面有时会露出。在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的含有有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹而利用保护膜。为了形成这样的保护膜，例如使用一种保护膜形成用复合片，其具备用于在支撑片上形成保护膜的保护膜形成用膜。保护膜形成用膜能够通过固化而形成保护膜。此外，将在背面具备保护膜形成用膜或保护膜的半导体晶圆分割成半导体芯片时，支撑片能够用于固定半导体晶圆。进一步，支撑片也能够用作切割片，保护膜形成用复合片也能够制成将保护膜形成用膜与切割片一体化而成的部件而进行使用。保护膜形成用复合片通过其中的保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆的背面。然后，在合适的时机适当地：通过固化保护膜形成用膜而形成保护膜、切断保护膜形成用膜或保护膜、将半导体晶圆分割为半导体芯片、从支撑片上拾取在背面具备切断后的保护膜形成用膜或保护膜的半导体芯片(带保护膜形成用膜的半导体芯片或带保护膜的半导体芯片)等。然后，在拾取带保护膜形成用膜的半导体芯片时，通过保护膜形成用膜的固化，将其制成带保护膜的半导体芯片，最终使用带保护膜的半导体芯片来制造半导体装置。作为这样的保护膜形成用复合片，迄今为止主要利用了例如具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。然而，由于热固性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。对此，正在研究将能够通过紫外线等能量射线的照射而固化的(能量射线固化性的)保护膜形成用膜用于保护膜的形成(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2016/068042号
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，使用具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片时，存在保护膜形成用膜或保护膜与支撑片之间的粘着力随时间而发生较大变化的问题。若粘着力如此地发生变化，则即使在使用相同的保护膜形成用复合片的情况下，从支撑片上拾取带保护膜形成用膜的半导体芯片或带保护膜的半导体芯片时的再现性也会下降，工序也会变得不稳定。本专利技术的目的在于提供一种保护膜形成用复合片及使用了所述保护膜形成用复合片的半导体芯片的制造方法，所述保护膜形成用复合片具备能量射线固化性的保护膜形成用膜与支撑片，能够抑制所述保护膜形成用膜或作为其固化物的保护膜与支撑片之间的粘着力随时间而发生变化。解决技术问题的技术手段为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片，并在所述支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，所述保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，所述支撑片中的与所述保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，所述能量射线固化性成分(a0)与所述非能量射线固化性聚合物(b)的HSP距离R23A为6.5以下，所述能量射线固化性成分(a0)与所述树脂成分(X)的HSP距离R13A为2.2以上。在本专利技术的保护膜形成用复合片中，优选：所述支撑片具备基材，并在所述基材上具备粘着剂层，且所述粘着剂层为与所述保护膜形成用膜接触的层。此外，本专利技术提供一种半导体芯片的制造方法，该方法具有以下工序：将所述保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆上的工序；对贴附于所述半导体晶圆后的所述保护膜形成用膜照射能量射线而形成保护膜的工序；分割所述半导体晶圆，切断所述保护膜或保护膜形成用膜，得到多个具备切断后的保护膜或保护膜形成用膜的半导体芯片的工序；及将具备所述切断后的保护膜或保护膜形成用膜的半导体芯片从所述支撑片上分离并进行拾取的工序。即，本专利技术包括以下方式。[1]一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在所述支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，所述保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，所述支撑片的与所述保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，所述能量射线固化性成分(a0)与所述非能量射线固化性聚合物(b)的HSP距离R23A为6.5以下，所述能量射线固化性成分(a0)与所述树脂成分(X)的HSP距离R13A为2.2以上。[2]根据[1]所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片含有基材与设置在所述基材上的粘着剂层，所述粘着剂层为与所述保护膜形成用膜接触的层。[3]一种半导体芯片的制造方法，其包括：将[1]或[2]所述的保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆上；通过对贴附于所述半导体晶圆后的所述保护膜形成用膜照射能量射线，由此形成保护膜；分割所述半导体晶圆，切断所述保护膜或所述保护膜形成用膜，得到多个具备切断后的保护膜或切断后的保护膜形成用膜的半导体芯片；及将具备所述切断后的保护膜或所述切断后的保护膜形成用膜的半导体芯片从所述支撑片上分离，并进行拾取。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种保护膜形成用复合片及使用了所述保护膜形成用复合片的半导体芯片的制造方法，所述保护膜形成用复合片具备能量射线固化性的保护膜形成用膜与支撑片，能够抑制所述保护膜形成用膜或作为其固化物的保护膜与支撑片之间的粘着力随时间而发生变化。附图说明图1为示意性地表示本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。图2为示意性地表示本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。图3为示意性地表示本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。图4为用于示意性地说明本专利技术的一个实施方式的半导体芯片的制造方法的剖面图。图5为用于示意性地说明本专利技术的一个实施方式的半导体芯片的制造方法的剖面图。图6为用于示意性地说明本专利技术的一个实施方式的半导体芯片的制造方法的剖面图。具体实施方式◇保护膜形成用复合片本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片含有支撑片与设置在所述支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，所述支撑片中的与所述保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，所述能量射线固化性成分(a0)与所述非能量射线固化性聚合物(b)的HSP距离R23A(在本说明书中，有时简写为“R23A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在所述支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，/n所述保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，/n所述支撑片的与所述保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，/n所述能量射线固化性成分(a0)与所述非能量射线固化性聚合物(b)的HSP距离R

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171027 JP 2017-2084331.一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在所述支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，
所述保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，
所述支撑片的与所述保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，
所述能量射线固化性成分(a0)与所述非能量射线固化性聚合物(b)的HSP距离R23A为6.5以下，
所述能量射线固化性成分(a0)与所述树脂成分(X)的HSP距离R13A为2.2以上。


2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：小桥力也，稻男洋一，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP