一种基于金属掺杂的双向阈值选通器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于金属掺杂的双向阈值选通器及其制备方法，选通器由衬底、底电极、介质层和顶电极依次叠加构成，所述介质层为掺杂活泼金属元素的过渡金属氢氧化物。本发明专利技术中底电极和顶电极采用同种材料，掺杂活泼金属离子的过渡金属氢氧化物介质层采用可印刷的溶液法低温制备。本发明专利技术通过溶液法制备，方法简单、工艺温度低、成本低、与柔性电路工艺兼容性好；阈值选通具有双向性，可以有效解决双极型阻变存储器交叉阵列结构中的电流交叉串扰问题。

A bi-directional threshold gate based on metal doping and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种基于金属掺杂的双向阈值选通器及其制备方法
本专利技术涉及半导体存储器件领域，更具体地，涉及一种基于金属掺杂的双向阈值选通器及其制备方法。
技术介绍
随着大数据时代的到来，电子设备对非易失存储器的集成度和性能都提出了更高的要求，但传统基于浮栅型晶体管结构的闪存却面临着功耗高、可靠性差、集成度接近理论极限的困扰，近些年来产业和研究机构一直致力于开发下一代新型非易失存储器件。阻变存储器由于其器件结构简单、擦写速度快、功耗低、3D存储潜力及与CMOS工艺兼容等优点而引起了学术界和工业界的高度重视，是下一代非易矢性存储器的有力竞争者。通常，高密度阻变存储器件采用交叉阵列结构，但是其存在着严重的串扰电流问题，导致器件发生信息误读。十字交叉阵列结构的串扰电流问题是其在应用道路上必须要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术为克服上述现有技术阻变存储器由存在串扰电流的问题，提供一种基于金属掺杂的双向阈值选通器及其制备方法，在阻变存储器引入选通器，抑制电流的交叉串扰问题，且制备方法简单。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于金属掺杂的双向阈值选通器，其特征在于，由衬底(101)、底电极(102)、介质层(103)和顶电极(104)依次叠加构成，所述介质层(103)为掺杂活泼金属元素的过渡金属氢氧化物。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于金属掺杂的双向阈值选通器，其特征在于，由衬底(101)、底电极(102)、介质层(103)和顶电极(104)依次叠加构成，所述介质层(103)为掺杂活泼金属元素的过渡金属氢氧化物。


2.根据权利要求1所述的一种基于金属掺杂的双向阈值选通器，其特征在于，在所述衬底(101)可以为绝缘硬质衬底或绝缘柔性衬底。


3.根据权利要求1或2所述的一种基于金属掺杂的双向阈值选通器，其特征在于，所述顶电极(104)和所述底电极(102)为同种材料，均为金属或透明导电薄膜。


4.根据权利要求3所述的一种基于金属掺杂的双向阈值选通器，其特征在于，所述介质层(103)中的掺杂活泼金属元素为易于发生氧化还原反应的金属元素。


5.根据权利要求4所述的一种基于金属掺杂的双向阈值选通器，其特征在于，在所述介质层(103)中，所述掺杂活泼金属元素所占的比例低于10％。


6.一种基于金属掺杂的双向阈值选通器的制备方法，其特征在于，包括以下的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴艳丽，邵徽红，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44