形成相变随机存取记忆体装置的方法制造方法及图纸

本揭露提供了一种用于形成相变随机存取记忆体(phase change random access memory,PCRAM)装置的方法。此方法包括：在绝缘体层上形成记忆体堆叠。执行第一蚀刻制程以图案化记忆体堆叠并定义包括覆盖介电层的顶部电极的记忆体单元。介电层包括侧向地位于第一外部区域和第二外部区域之间的中心区域。在第一蚀刻制程中使用的蚀刻剂在第一外部区域和第二外部区域中产生化合物，此化合物具有第一熔点温度。执行第一沉积制程以在记忆体单元的上方形成第一侧壁间隔物，第一侧壁间隔物与记忆体单元的外侧壁直接接触。第一沉积过程达到小于第一熔点温度的第一最高温度。

The method of forming phase change random access memory device

【技术实现步骤摘要】
形成相变随机存取记忆体装置的方法
本揭露涉及相变随机存取记忆体装置及其形成方法与记忆体装置的形成方法。
技术介绍
快闪记忆体(flashmemory)是一种广泛使用的非挥发性记忆体(nonvolatilememory)。然而，业界普遍预期快闪记忆体将会在等比例缩放的过程中遭遇困难。因此，业界正在寻求替代类型的非挥发性记忆体。相变化记忆体(phasechangememory,PCM)是此类非挥发性记忆体的其中一种替代类型。相变化记忆体是一种非挥发性记忆体，其采用相变化元件的相位来表示数据单元。相变化记忆体可高速读写，可做非破坏性读取，并在等比例缩放上具有高度弹性。
技术实现思路
本揭露提供一种形成相变随机存取记忆体装置的方法，包含：形成记忆体堆叠于绝缘体层上；执行第一蚀刻制程以图案化记忆体堆叠并定义记忆体单元，其中记忆体单元包含覆盖介电层的顶部电极，其中介电层包含侧向地位于第一外部区域和第二外部区域之间的中心区域，其中在第一蚀刻制程中使用的蚀刻剂在第一外部区域和第二外部区域中产生化合物，并且其中化合物具有第一熔点温度；以及执行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成相变随机存取记忆体装置的方法，其特征在于，包含：/n形成一记忆体堆叠于一绝缘体层上；/n执行一第一蚀刻制程以图案化该记忆体堆叠并定义一记忆体单元，其中该记忆体单元包含覆盖一介电层的一顶部电极，其中该介电层包含侧向地位于一第一外部区域和一第二外部区域之间的一中心区域，其中在该第一蚀刻制程中使用的一蚀刻剂在该第一外部区域和该第二外部区域中产生一化合物，并且其中该化合物具有一第一熔点温度；以及/n执行一第一沉积制程以在该记忆体单元上方形成一第一侧壁间隔物，其中该第一侧壁间隔物与该记忆体单元的多个外侧壁直接接触，并且其中该第一沉积制程达到小于该第一熔点温度的一第一最大温度。/n

【技术特征摘要】
20181024 US 62/749,767;20181114 US 16/190,7021.一种形成相变随机存取记忆体装置的方法，其特征在于，包含：
形成一记忆体堆叠于一绝缘体层上；
执行一第一蚀刻制程以图案化该记忆体堆叠并定义一记忆体单元，其中该记忆体单元包含覆盖一介电层的一顶部电...

【专利技术属性】
技术研发人员：余绍铭，吴昭谊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71