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本揭露提供了一种用于形成相变随机存取记忆体(phase change random access memory,PCRAM)装置的方法。此方法包括：在绝缘体层上形成记忆体堆叠。执行第一蚀刻制程以图案化记忆体堆叠并定义包括覆盖介电层的顶部电极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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