存储单元和用于制造存储单元的方法技术

提供了具有双侧壁间隔件的存储单元及其制造方法。在一些实施例中，形成并且图案话化多层堆叠件以形成硬掩模、顶部电极和电阻切换电介质。然后，在底部电极层上方形成在电阻切换电介质、顶部电极和硬掩模旁边延伸并且进一步在硬掩模上方延伸的第一介电间隔件层。然后，直接在第一介电间隔件层上形成共形地内衬第一介电间隔件层的第二介电间隔件层。第一介电间隔件层在第一温度下沉积，并且第二介电间隔件层在高于第一温度的第二温度下沉积。

Storage unit and method for manufacturing storage unit

【技术实现步骤摘要】
存储单元和用于制造存储单元的方法
本专利技术的实施例涉及存储单元和用于制造存储单元的方法。
技术介绍
许多现代电子器件包含电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器能够在没有电源的情况下存储数据，而易失性存储器则不能。诸如磁阻随机存取存储器(MRAM)和电阻随机存取存储器(RRAM)的非易失性存储器由于相对简单的结构及其与互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑制造工艺的兼容性而成为下一代非易失性存储器技术的有希望的候选者。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，本专利技术提供了一种用于制造存储单元的方法，所述方法包括：形成多层堆叠件，所述多层堆叠件包括底部电极层、位于所述底部电极层上方的电阻切换介电层、位于所述电阻切换介电层上方的顶部电极层、以及位于顶部电极层上方的硬掩模层；实施第一系列蚀刻以图案化所述硬掩模层、所述顶部电极层和所述电阻切换介电层，以形成硬掩模、顶部电极和电阻切换电介质；在所述底部电极层上方形成在所述电阻切换电介质、所述顶部电极和所述硬掩模旁边延伸，并进一步在所述硬掩模上方延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造存储单元的方法，所述方法包括：/n形成多层堆叠件，所述多层堆叠件包括底部电极层、位于所述底部电极层上方的电阻切换介电层、位于所述电阻切换介电层上方的顶部电极层、以及位于所述顶部电极层上方的硬掩模层；/n实施第一系列蚀刻以图案化所述硬掩模层、所述顶部电极层和所述电阻切换介电层，以形成硬掩模、顶部电极和电阻切换电介质；/n在所述底部电极层上方形成在所述电阻切换电介质、所述顶部电极和所述硬掩模旁边延伸，并进一步在所述硬掩模上方延伸的第一介电间隔件层；以及/n直接在所述第一介电间隔件层上形成共形地内衬所述第一介电间隔件层的第二介电间隔件层；/n其中，所述第一介电间隔件层在第一温度下沉积...

【技术特征摘要】
20181023 US 62/749,314;20190515 US 16/412,7421.一种用于制造存储单元的方法，所述方法包括：
形成多层堆叠件，所述多层堆叠件包括底部电极层、位于所述底部电极层上方的电阻切换介电层、位于所述电阻切换介电层上方的顶部电极层、以及位于所述顶部电极层上方的硬掩模层；
实施第一系列蚀刻以图案化所述硬掩模层、所述顶部电极层和所述电阻切换介电层，以形成硬掩模、顶部电极和电阻切换电介质；
在所述底部电极层上方形成在所述电阻切换电介质、所述顶部电极和所述硬掩模旁边延伸，并进一步在所述硬掩模上方延伸的第一介电间隔件层；以及
直接在所述第一介电间隔件层上形成共形地内衬所述第一介电间隔件层的第二介电间隔件层；
其中，所述第一介电间隔件层在第一温度下沉积，并且所述第二介电间隔件层在高于所述第一温度的第二温度下沉积。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
对所述第一介电间隔件层和所述第二介电间隔件层实施第一系列蚀刻，以分别在所述电阻切换电介质、所述顶部电极和所述硬掩模旁边形成第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件；以及
实施第二系列蚀刻，以根据所述顶部电极、所述第一侧壁间隔件和所述第二侧壁间隔件图案化所述底部电极层，以形成底部电极，其中，所述底部电极的侧壁与所述第二侧壁间隔件的侧壁对准。


3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
形成围绕所述底部电极、所述第二侧壁间隔件并位于所述顶部电极上面的上部介电层；以及
形成延伸穿过所述上部介电层以到达所述顶部电极的顶部电极通孔。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二介电间隔件层的第二厚度大于所述第一介电间隔件层的第一厚度的至少两倍。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，形...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖均恒，庄学理，谢章仁，王宏烵，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71