温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了具有双侧壁间隔件的存储单元及其制造方法。在一些实施例中，形成并且图案话化多层堆叠件以形成硬掩模、顶部电极和电阻切换电介质。然后，在底部电极层上方形成在电阻切换电介质、顶部电极和硬掩模旁边延伸并且进一步在硬掩模上方延伸的第一介电间隔件层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。