【技术实现步骤摘要】
一种高维持电压横向SCR器件
本专利技术属于电子科学与
，主要用于静电泄放(ElectrostaticDischarge，简称为ESD)防护技术。进一步说是一种高维持电压SCR器件。
技术介绍
随着半导体技术的发展和集成电路工艺的提高，集成电路的集成度越来越高，但与此同时，静电放电(ESD，ElectrostaticDischarge)现象对电路的影响也越来越大。如今，ESD防护已经成为芯片设计师们需要重点考虑的问题之一。SCR(siliconcontrolledrectifier)器件有着非常出色的电流泄放能力，作为ESD防护器件使用时能够大大降低ESD模块占集成电路的面积，降低成本，提高鲁棒性。但传统SCR结构具有强snapback现象，当阳极电压超过SCR器件的触发电压Vt时，该器件将会进入强snapback区，从而将器件两端电压钳位到很低的维持电压Vh。若电源的负载线与器件的IV特性曲线存在交点，则在ESD脉冲将SCR开启之后，SCR器件能够在电路电源的偏置下，维持开启状态，使器件发生闩锁(latch-...
【技术保护点】
1.一种高维持电压横向SCR器件，其特征在于包括：P型衬底(01)；P型衬底(01)内部上方与P型衬底(01)左侧边缘相切的N型阱区(02)；P型衬底(01)内部上方右侧与N型阱区(02)相切的P型阱区(03)；位于N型阱区(02)内部上方与N型阱区(02)左侧相切的阳极第一N+接触区(04)；位于阳极第一N+接触区(04)右侧且与阳极第一N+接触区(04)相切的第一P+接触区(05)；在P型阱区(03)和N型阱区(02)交界处注入横跨两个阱的N+低触发区(06)；位于P型阱区(03)内部上方的阴极第二P+隔离区(22)；位于阴极第二P+隔离区(22)右侧且与阴极第二P+隔...
【技术特征摘要】
1.一种高维持电压横向SCR器件，其特征在于包括：P型衬底(01)；P型衬底(01)内部上方与P型衬底(01)左侧边缘相切的N型阱区(02)；P型衬底(01)内部上方右侧与N型阱区(02)相切的P型阱区(03)；位于N型阱区(02)内部上方与N型阱区(02)左侧相切的阳极第一N+接触区(04)；位于阳极第一N+接触区(04)右侧且与阳极第一N+接触区(04)相切的第一P+接触区(05)；在P型阱区(03)和N型阱区(02)交界处注入横跨两个阱的N+低触发区(06)；位于P型阱区(03)内部上方的阴极第二P+隔离区(22)；位于阴极第二P+隔离区(22)右侧且与阴极第二P+隔离区(22)相切的阴极第二N+接触区(12)；位于阴极第二N+接触区(12)右侧且与阴极第二N+接触区(12)相切的阴极第一P+隔离区(21)；位于阴极第一P+隔离区(21)右侧且与阴极第一P+隔离区(21)相切的阴极第一N+接触区(11)；位于阴极第一N+接触区(11)右侧且与阴极第一N+接触区(11)相切的第二P+接触区(08)；一端与阴极第二N+接触区(12)表面金属相连的第一阴极补偿电阻(R12)，阳极第一N+接触区(04)与第一P+接触区(05)表面用金属短接，构成器件阳极(101)，阴极第一N+接触区(11)与第二P+接触区(08)表面用金属短接并与第一阴极补偿电阻(R12)另一端相连构成器件阴极(102)。
2.根据权利要求1所述的一种高维持电压横向SCR器件，其特征在于：第二P+接触区(08)左侧设有多个阴极N+接触区(11、12、…、1n)，相邻的阴极N+接触区之间依次插入多个阴极P+隔离区(21、22、…、2n)，在阴极N+接触区(11、12、…、1n)表面形成金属接触，第二阴极补偿电阻(R13)一端与阴极第二N+接触区(12)相连，另一端与阴极第三N+接触区(13)相连……第n-1阴极补偿电阻(R1n)一端与阴极第n-1N+接触区1(n-1)相连，另一端与阴极第nN+接触区(1n)相连，上述n≥3。
3.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，张发备，梁龙飞，齐钊，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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