温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种高维持电压横向SCR器件，包括：P型衬底，N型阱区，P型阱区，阳极第一N+接触区，阳极第一P+接触区，N+低触发区，阴极第二P+隔离区，与阴极第二P+隔离区相切的阴极第二N+接触区，与阴极第二N+接触区相切的阴极第一P+隔离区...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。