一种光检测电路及光检测方法、芯片技术

本申请公开了一种光检测电路及光检测方法、芯片，光检测电路包括数字逻辑电路和检测装置，其中，数字逻辑电路包括一个或多个金属氧化物半导体场效应管，至少一个金属氧化物半导体场效应管在光照强度小于预设光照强度阈值时处于截止状态，在光照强度大于或等于预设光照强度阈值时处于导通状态；检测装置分别与数字逻辑电路的输入端和输出端连接，用于根据数字逻辑电路输入端的输入电平和输出端的输出电平，判断数字逻辑电路受到的光照强度。本申请通过使用数字逻辑电路和检测装置检测光照强度，减小了单个光检测电路的尺寸和成本，提高了光检测电路的防护范围，同时，不存在被攻击者轻易旁路其功能的潜在风险。

An optical detection circuit, optical detection method and chip

【技术实现步骤摘要】
一种光检测电路及光检测方法、芯片
本申请涉及但不限于芯片安全
，尤其涉及一种光检测电路及光检测方法、芯片。
技术介绍
信息技术的高速发展，在为人们带来各种便利的同时，信息安全问题也越来越重要，而芯片(即集成电路)的安全是信息安全的核心和基础。随着集成电路产业的快速发展，芯片被广泛应用于各行各业，在金融、安全领域使用的安全芯片对芯片安全性提出了更高的要求。激光攻击对芯片的信息安全带来极大挑战，作为抵御激光攻击的光检测电路，是安全芯片的关键部分。相关技术中的光检测电路均基于模拟器件实现，由于模拟器件尺寸较大，基于芯片成本的考虑，芯片上只能集成有限数量的光检测电路，而这些有限数量的光检测电路的防护范围很难覆盖到芯片上整个逻辑电路区域。此外，基于模拟器件实现的光检测电路在电路版图上很容易被攻击者识别，存在被攻击者旁路其功能的潜在风险。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种光检测电路及光检测方法、芯片，能够减小光检测电路的尺寸，且不容易被攻击者识别并旁路其功能。本申请实施例提供了一种光检测电路，包括：数字本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光检测电路，其特征在于，包括：数字逻辑电路和检测装置，其中：/n所述数字逻辑电路包括一个或多个金属氧化物半导体场效应管，至少一个所述金属氧化物半导体场效应管在光照强度小于预设光照强度阈值时处于截止状态，在光照强度大于或等于预设光照强度阈值时处于导通状态；/n所述检测装置分别与所述数字逻辑电路的输入端和输出端连接，用于根据所述数字逻辑电路输入端的输入电平和输出端的输出电平，判断所述数字逻辑电路受到的光照强度。/n

【技术特征摘要】
1.一种光检测电路，其特征在于，包括：数字逻辑电路和检测装置，其中：
所述数字逻辑电路包括一个或多个金属氧化物半导体场效应管，至少一个所述金属氧化物半导体场效应管在光照强度小于预设光照强度阈值时处于截止状态，在光照强度大于或等于预设光照强度阈值时处于导通状态；
所述检测装置分别与所述数字逻辑电路的输入端和输出端连接，用于根据所述数字逻辑电路输入端的输入电平和输出端的输出电平，判断所述数字逻辑电路受到的光照强度。


2.根据权利要求1所述的光检测电路，其特征在于，所述数字逻辑电路为由至少一个P型金属氧化物半导体场效应管和至少一个N型金属氧化物半导体场效应管组成的互补金属氧化物半导体逻辑门电路。


3.根据权利要求2所述的光检测电路，其特征在于，所述数字逻辑电路为由一个P型金属氧化物半导体场效应管和一个N型金属氧化物半导体场效应管组成的反相器电路，其中：
所述P型金属氧化物半导体场效应管的栅极与所述数字逻辑电路的输入端连接，所述P型金属氧化物半导体场效应管的源极与第一电压端连接，所述P型金属氧化物半导体场效应管的漏极与所述数字逻辑电路的输出端连接；
所述N型金属氧化物半导体场效应管的栅极与所述数字逻辑电路的输入端连接，所述N型金属氧化物半导体场效应管的源极与第二电压端连接，所述N型金属氧化物半导体场效应管的漏极与所述数字逻辑电路的输出端连接。


4.根据权利要求2或3所述的光检测电路，其特征在于，所述数字逻辑电路的输入端输入高电平，所述N型金属氧化物半导体场效应管的宽度小于所述P型金属氧化物半导体场效应管的宽度。


5.根据权利要求2或3所述的光检测电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾申，李军，雷翻翻，
申请(专利权)人：大唐微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11