体声波部件及等离子体切割该体声波部件的方法技术

本公开的多个方面涉及制造体声波部件的方法。这样的方法包括等离子体切割以将单个体声波部件单片化。可在体声波部件的基板上方形成缓冲层，使得街区被外露。可沿着外露街区对体声波部件进行等离子体切割，从而将体声波部件单片化。公开了相关的体声波部件。

Bulk acoustic components and the method of plasma cutting the bulk acoustic components

【技术实现步骤摘要】
体声波部件及等离子体切割该体声波部件的方法优先权申请的交叉引用本申请要求2018年10月18日提交的题为“BULKACOUSTICWAVECOMPONENTSANDMETHODSOFPLASMADICINGTHESAME”的美国临时专利申请62/747,486的优先权的权益，其公开内容通过全文引用而并入本文中。
本申请的实施例涉及声波部件，并且更具体地，涉及体声波部件。
技术介绍
声波滤波器可在射频电子系统中实现。例如，移动电话的射频前端中的滤波器可包括声波滤波器。声波滤波器可对射频信号进行滤波。声波滤波器可以是带通滤波器。可将多个声波滤波器布置为多路复用器。例如，可将两个声波滤波器布置为双工器。声波滤波器可包括被布置为对射频信号进行滤波的多个声波谐振器。示例声波滤波器包括表面声波(surfaceacousticwave，SAW)滤波器和体声波(bulkacousticwave，BAW)滤波器。BAW滤波器包括BAW谐振器。示例BAW谐振器包括薄膜体声波谐振器(filmbulkacousticwaveresonator，FBAR)和牢固安装的谐振器(solidlymountedresonator，SMR)。在BAW谐振器中，声波在压电层的主体中传播。BAW部件可包括被包封在经密封的部分内的经封装的BAW谐振器。封装结构增加了BAW部件的尺寸。希望在不牺牲可靠性和性能的情况下减小BAW部件的尺寸。
技术实现思路
权利要求书中描述的每个创新都有几个方面，没有哪个方面单独负责其期望的属性。在不限制权利要求书的范围的情况下，现在将简要描述本申请的一些显著特征。本申请的一个方面是一种制造单片化体声波部件的方法。该方法包括在体声波部件的阵列的基板上方形成缓冲层，以便在各个体声波部件之间形成外露街区(exposedstreet)。该方法还包括沿着外露街区等离子体切割体声波部件，从而将体声波部件单片化。每个单片化体声波部件可包括体声波谐振器和包封所述体声波谐振器的盖体。盖体可包括距相应的单片化体声波部件的基板的边缘5微米或更小的侧壁。侧壁可距相应的单片化体声波部件的边缘至少1微米。侧壁可包括铜。等离子体切割可包括蚀刻穿过基板和盖体基板这两者。体声波部件可包括位于基板上方和盖体基板下方的体声波谐振器。基板和盖体基板可以是硅基板。该方法还可包括在基板上方形成导体。导体可从延伸穿过所述基板的通孔横向延伸。导体可电连接至通孔中的导电层。可执行形成缓冲层，以使得缓冲层在导体的至少一部分上方。该方法还可包括在导体上方形成焊料，使得焊料与通孔不重叠。基板可以是硅基板。缓冲层可以是在等离子体切割期间比硅蚀刻至少慢30倍的材料。缓冲层可包括树脂。形成缓冲层可包括借助于光刻工艺形成外露街区。每个体声波部件可包括薄膜体声波谐振器。本申请的另一个方面是一种制造体声波部件的方法。该方法包括提供与第二晶圆结合的第一晶圆。第一晶圆在其上具有体声波谐振器。第二晶圆在体声波谐振器上方并与之间隔开。该方法包括在第一晶圆的与体声波谐振器相反的一侧上形成缓冲层，使得街区被外露。该方法包括沿着外露街区，等离子体切割贯穿第一晶圆和第二晶圆，以形成单片化体声波部件。第一晶圆和第二晶圆可以是硅晶圆。每个单片化体声波部件可包括体声波谐振器中的体声波谐振器和包封所述体声波谐振器的盖体。盖体可包括侧壁。侧壁可在距相应的单片化体声波部件的基板的边缘为1微米至5微米的范围内，其中，该基板对应于等离子体切割之前的第一晶圆的一部分。本申请的另一方面是一种制造体声波部件的方法。该方法包括在体声波部件的硅基板上方形成缓冲层，使得街区被外露。该方法还包括沿着外露街区等离子体切割体声波部件，从而将体声波部件单片化。每个单片化体声波部件包括体声波谐振器和包封体声波谐振器的盖体。盖体包括硅盖体基板和侧壁，所述侧壁以1微米至5微米的范围的距离与相应的单片化体声波部件的硅基板的边缘间隔开。侧壁可包括铜。缓冲层可包括树脂。体声波谐振器可是薄膜体声波谐振器。本公开的另一方面是一种体声波部件，该体声波部件包括基板、该基板上的至少一个体声波谐振器以及包封该至少一个体声波谐振器的盖体。盖体包括与基板的边缘间隔开的侧壁。侧壁距基板的边缘5微米或更小。侧壁可距基板的边缘3微米或更小。侧壁可距基板的边缘至少1微米。体声波部件还可包括延伸穿过基板的通孔、通孔中的导电层和通孔中的缓冲层。体声波部件还可包括延伸穿过基板的通孔、从通孔横向延伸并与通孔中的导电层电连接的导体、以及在导体上并从通孔横向定位的焊料。至少一个体声波谐振器可包括薄膜体声波谐振器。至少一个体声波谐振器可包括牢固安装的谐振器。基板可是硅基板。盖体的顶部可包括硅盖体基板。侧壁可包括铜。所述至少一个体声波谐振器可包括被包括在滤波器中的多个体声波谐振器，所述滤波器被布置为对射频信号进行滤波。所述多个体声波谐振器可包括至少10个体声波谐振器。本申请的另一方面是一种体声波部件，该体声波部件包括硅基板、硅基板上的至少一个体声波谐振器以及包封该至少一个体声波谐振器的盖体。盖体包括盖体基板和侧壁。盖体基板包括硅。侧壁以1微米至5微米范围内的距离与硅基板的边缘间隔开。体声波部件还可包括延伸穿过硅基板的通孔、通孔中的导电层和通孔中的缓冲层。体声波部件还可包括延伸通过基板的通孔、从通孔横向延伸并与通孔中的导电层电连接的导体、以及在导体上并从通孔横向定位的焊料。侧壁可包括铜。所述至少一个体声波谐振器可包括被包括在声波滤波器中的至少10个体声波谐振器，所述滤波器被布置为对射频信号进行滤波滤。本申请的另一方面是一种无线通信装置，其包括天线和体声波部件。体声波部件包括基板、该基板上的体声波谐振器以及包封该体声波谐振器的盖体。盖体包括以5微米或更小与基板的边缘间隔开的侧壁。体声波谐振器被包括在与天线通信的滤波器中。无线通信装置可是移动电话。无线通信装置还可包括与滤波器通信的射频放大器以及耦接在滤波器和天线之间的开关。为了总结本公开，本文已经描述了本申请的某些方面、优点和新颖特征。应当理解，所有这样的优点不一定可根据任何特定实施例而实现。因此，可以以实现或优化本文所教导的一个优点或一组优点的方式来实现或执行本申请，而不必实现本文所教导或建议的其他优点。附图说明现在将借助于非限制性示例，参照附图来描述本公开的实施例。图1是根据一个实施例制造体声波部件的示例过程的流程图。图2A至2E是示出根据一个实施例制造体声波部件的过程的截面图。图3A是根据一个实施例的体声波部件的截面图。图3B是根据另一个实施例的体声波部件的截面图。图4是发射滤波器的示意图，该发射滤波器包括根据一个实施例的体声波部件的体声波谐振器。图5是接收滤波器的示意图，该接收滤波器包括根据一个实施例的体声波部件的体声波谐振器。图6是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造单片化体声波部件的方法，所述方法包括：/n在体声波部件的阵列的基板上方形成缓冲层，以便在各个体声波部件之间形成外露街区；以及/n沿着所述外露街区等离子体切割所述体声波部件，以从而将所述体声波部件单片化。/n

【技术特征摘要】
20181018 US 62/747,4861.一种制造单片化体声波部件的方法，所述方法包括：
在体声波部件的阵列的基板上方形成缓冲层，以便在各个体声波部件之间形成外露街区；以及
沿着所述外露街区等离子体切割所述体声波部件，以从而将所述体声波部件单片化。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述单片化体声波部件包括体声波谐振器和包封所述体声波谐振器的盖体，并且所述盖体包括距相应的单片化体声波部件的所述基板的边缘5微米或更小的侧壁。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述侧壁距所述相应的单片化体声波部件的所述边缘至少1微米。


4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述侧壁包括铜。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体切割包括蚀刻穿过所述基板和盖体基板两者，所述体声波部件包括位于所述基板上方和所述盖体基板下方的体声波谐振器。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述基板和所述盖体基板是硅基板。


7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述基板上方形成导体，所述导体从延伸穿过所述基板的通孔横向延伸，并且所述导体电连接至所述通孔中的导电层。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行形成所述缓冲层，使得所述缓冲层在所述导体的至少一部分上方。


9.根据权利要求7所述的方法，还包括在所述导体上方形成焊料，使得所述焊料不与所述通孔重叠。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板是硅基板。


11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述缓冲层是在所述等离子体切割期间比硅蚀刻至少慢30倍的材料。


12.根据权利要求1所述的方法，形成所述缓冲层包括借助于光刻工艺形成所述外露街区。


13.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述体声波部件均包括薄膜体声波谐振器。


14.一种制造体声波部件的方法，所述方法包括：
提供与第二晶圆键合的第一晶圆，所述第一晶圆上具有体声波谐振器，并且所述第二晶圆在所述体声波谐振器上方并与之间隔开；
在所述第一晶圆的与所述体声波谐振器相反的一侧上形成缓冲层，使得街区外露；并且
沿着所述外露街区，等离子体切割贯穿所述第一晶圆和所述第二晶圆，以形成单片化体声波部件。


15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆是硅晶圆。


16.根据权利要求14所述的方法，其中，每个所述单片化体声波部件包括所述体声波谐振器中的体声波谐振器和包封所述体声波谐振器的盖体，所述盖体包括侧壁。


17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述侧壁在距所述相应的单片化体声波部件的基板的边缘为1微米至5微米的范围内，所述基板对应于等离子体切割之前的所述第一晶圆的一部分。


18.一种制造体声波部件的方法，所述方法包括：
在体声波部件的硅基板上方形成缓冲层，使得街区外露；以及
沿着所述外露街区等离子体切割所述体声波部件，从而将所述体声波部件单片化，每个所述单片化体声波部件包括体声波谐振器和包封所述体声波谐振器的盖体，并且所述盖体包括硅盖体基板和侧壁，该侧壁以1微米至5微米的范围内的距离与相应的所述单片化体声波部件的所述硅基板的边缘间隔开。


19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野敦，古泽健，古泽光弘，
申请(专利权)人：天工方案公司，
类型：发明
国别省市：美国;US