压电基板的制造装置和压电基板的制造方法制造方法及图纸

压电基板的制造装置具备：第1电极(10)；第2电极(20)，其隔着压电基板而与第1电极(10)对置；罩(50)，其将第2电极(20)包围成使第2电极(20)的顶端暴露；供给部(40)，其对罩(50)的内部空间(51)供给处理气体；加工部(65)，其在第1电极(10)与第2电极(20)之间施加电压，使处理气体等离子体化而在压电基板进行表面处理；检测器(80)，其设置于罩(50)的外侧，且与第2电极(20)的相对位置受到固定；测定部(63)，其通过检测器(80)测定压电基板的厚度；驱动部(30)，其使第1电极(10)与第2电极(20)间的相对位置变化；以及控制部(61)，其对供给部(40)、加工部(65)、测定部(63)和驱动部(30)进行控制。

Manufacturing device of piezoelectric substrate and manufacturing method of piezoelectric substrate

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电基板的制造装置和压电基板的制造方法
本专利技术涉及用于制造与激发电极等一起构成压电振动元件的压电片的压电基板的制造装置和压电基板的制造方法。
技术介绍
构成压电振动元件的压电片是使压电基板(例如压电晶片)单片化而制造的。就利用厚度剪切振动模式的水晶振动元件等压电振动元件而言，由于压电片的厚度对频率特性带来较大影响，所以谋求提高压电基板的状态的厚度精度。例如，专利文献1公开如下水晶加工装置，其具备兼用于测定和加工的电极，使用该电极获取压电基板的厚度分布，基于该厚度的分布，按电极的每个位置，决定使用了该电极的由等离子体获得的蚀刻量。据此，由于电极与该电极的定位部相同，所以减少测定工序和加工工序之间的位置误差，能够提高加工精度。专利文献1:日本特开2015-146512号公报然而，由于在专利文献1所述的结构中将电极兼用于测定和加工，因此，在加工工序中，由于因它与等离子体的反应而产生的排气气体、因离子轰击而产生的颗粒物等，而使测定电极污染，导致测定精度降低。但是，若通过清洗电极而尝试恢复测定精度，则产生加工效率降低这一课题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的状况而完成的，目的在于提供能够实现加工精度的改善的抑制的压电基板的制造装置和压电基板的制造方法。本专利技术的一方式的压电基板的制造装置具备：第1电极；第2电极，其隔着压电基板而与第1电极对置；罩，其将第2电极包围成使第2电极的顶端暴露；供给部，其对罩的内部空间供给处理气体；加工部，其在第1电极与第2电极之间施加电压，使处理气体等离子体化而在压电基板进行表面处理；检测器，其设置于罩的外侧，且与第2电极相对的相对位置被固定；测定部，其通过检测器测定压电基板的厚度；驱动部，其使第1电极与第2电极间的相对位置变化；以及控制部，其对供给部、加工部、测定部和驱动部进行控制。本专利技术的一方式的压电基板的制造方法具备如下工序：在第1电极与第2电极之间配置压电基板；通过在将第2电极覆盖成使第2电极的顶端暴露的罩的外侧设置且与第2电极的相对位置受到固定的检测器，测定压电基板的厚度；基于厚度来计算加工量；以及在第1电极与第2电极之间施加电压而使处理气体等离子体化，基于加工量进行压电基板的表面处理。根据本专利技术，能够提供可实现加工精度的改善的抑制的压电基板的制造装置和压电基板的制造方法。附图说明图1是概略地示出第1实施方式的压电基板的制造装置的结构的图。图2是概略地示出利用第1实施方式的压电基板的制造装置的压电基板的制造方法的流程图。图3是概略地示出测定压电基板的厚度的测定工序的图。图4是概略地示出通过等离子体来蚀刻压电基板的加工工序的图。图5是概略地示出第2实施方式的压电基板的制造装置的结构的图。图6是概略地示出第3实施方式的压电基板的制造装置的结构的图。图7是针对第3实施方式的第2电极概略地示出俯视第2电极的对置面时的结构的俯视图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。其中，在第2实施方式及后续实施方式中，对与第1实施方式相同或者类似的构成要素由与第1实施方式相同或者类似的附图标记表示，并适当地省略详细说明。另外，对于第2实施方式以下的实施方式中得到的效果而言，针对与第1实施方式相同的效果，适当地省略说明。各实施方式的附图是例示的，各部的尺寸、形状是示意性的，不应该将本申请专利技术的技术范围被该实施方式限定地解释。＜第1实施方式＞首先，参照图1，对本专利技术的第1实施方式的压电基板的制造装置100的结构进行说明。图1是概略地示出第1实施方式的压电基板的制造装置的结构的图。压电基板的制造装置100是对压电基板进行由等离子体进行的蚀刻处理的装置。压电基板的制造装置100具备第1电极10、第2电极20、第3电极80、驱动部30、供给部40、罩50、控制部61、测定部63和加工部65。第1电极10是在压电基板的制造装置100的工作台上设置的板状的电极，相当于下部电极。在工作时，在第1电极10的载置面10A上配置压电基板。虽省略图示，但第1电极10具备用于吸引压电基板并将该压电基板保持为平坦的姿势的空气吸盘。第2电极20与第1电极10成对，作为加工电极发挥功能。具体而言，第2电极20是具有与第1电极10对置的对置面20A并用于在第1电极10的载置面10A与第2电极20的对置面20A之间形成电场的电极。第2电极20在压电基板之上使后述的处理气体等离子体化，形成用于蚀刻压电基板的电场。第3电极80与第1电极10成对，相当于检测器。第3电极80是，具有与第1电极10对置的对置面80A并用于在第1电极10的载置面10A与第3电极80的对置面80A之间形成电场的测定电极。第3电极80设置于罩50的外侧，且使自身与第2电极20相对的相对位置固定。这样，第3电极80与第2电极20共通地固定，并能够一起相对于第1电极10移动。第3电极80的对置面80A的形状也可以与第2电极20的对置面20A的形状不同。据此，通过使第2电极20的对置面20A成为适于加工的形状、使第3电极80的对置面80A成为适于测定的形状，从而能够提高加工精度。第3电极80的对置面80A的面积也可以与第2电极20的对置面20A的面积不同。若对置面20A的面积比对置面80A的面积大，则能够提高加工效率，提高测定精度。若对置面20A的面积比对置面80A的面积小，则能够提高加工精度，提高测定效率。第2电极20的对置面20A与第1电极10的载置面10A之间的电极间距离同第3电极80的对置面80A与第1电极10的载置面10A之间的电极间距离相等。即，对置面20A和对置面80A位于相同的面内。据此，即便在测定工序和加工工序间，切换施加电压的电极，也能够恒定地保持电极间距离。此外，第2电极20的对置面20A与第1电极10的载置面10A之间的电极间距离，也可以同第3电极80的对置面80A与第1电极10的载置面10A之间的电极间距离不同。也可以是，通过使测定电极和加工电极各自的电极间距离最佳化为测定工序和加工工序中所谋求的电极间距离，从而在从测定工序向加工工序切换动作时，不使第2电极20和第3电极80沿着第1电极10的载置面10A的法线方法移动。换句话说，能够减少第2电极20相对于第1电极10的相对移动，能够提高加工精度。驱动部30使第1电极10与第2电极20间的相对位置变化。驱动部30保持第2电极20和第3电极80，使第2电极20和第3电极80一体地移动。第1电极10成为载置压电基板的台，通过使第2电极20和第3电极80移动，从而能够抑制压电基板的挠曲，提高测定精度。此外，驱动部30也可以是使载置压电基板的第1电极10移动的部件。供给部40由省略图示的气罐、配管、开闭阀等构成，并供给进行等离子体化的处理气体。作为蚀刻水晶基板的处理气体，作为一个例子，可举出在由四氟化碳(CF4)和氧气(O2)构成的工艺气体中混合氩气(Ar)等载体气体而成的气体。供给部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压电基板的制造装置，其特征在于，具备：/n第1电极；/n第2电极，其隔着压电基板而与第1电极对置；/n罩，其将所述第2电极包围成使所述第2电极的顶端暴露；/n供给部，其对所述罩的内部空间供给处理气体；/n加工部，其在所述第1电极与所述第2电极之间施加电压，使所述处理气体等离子体化而在所述压电基板进行表面处理；/n检测器，其设置于所述罩的外侧，且它与所述第2电极间的相对位置受到固定；/n测定部，其通过所述检测器测定所述压电基板的厚度；/n驱动部，其使所述第1电极与所述第2电极间的相对位置变化；以及/n控制部，其对所述供给部、所述加工部、所述测定部和所述驱动部进行控制。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 JP 2017-1905991.一种压电基板的制造装置，其特征在于，具备：
第1电极；
第2电极，其隔着压电基板而与第1电极对置；
罩，其将所述第2电极包围成使所述第2电极的顶端暴露；
供给部，其对所述罩的内部空间供给处理气体；
加工部，其在所述第1电极与所述第2电极之间施加电压，使所述处理气体等离子体化而在所述压电基板进行表面处理；
检测器，其设置于所述罩的外侧，且它与所述第2电极间的相对位置受到固定；
测定部，其通过所述检测器测定所述压电基板的厚度；
驱动部，其使所述第1电极与所述第2电极间的相对位置变化；以及
控制部，其对所述供给部、所述加工部、所述测定部和所述驱动部进行控制。


2.根据权利要求1所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述检测器具备第3电极，
所述测定部在所述第1电极与所述第3电极之间施加电压，基于电特性，对所述压电基板的厚度进行测定。


3.根据权利要求2所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面的形状与所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面的形状不同。


4.根据权利要求3所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面的面积大于所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面的面积。


5.根据权利要求3所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面的面积小于所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面的面积。


6.根据权利要求2～5中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离，同所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离相等。


7.根据权利要求2～5中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离，同所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离不同。


8.根据权利要求1所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述检测器具备：对所述压电基板照射光的发光部、和接受所述光的在所述压电基板处的反射光的受光部，
所述测定部使所述反射光分光并测定所述压电基板的厚度。


9.根据权利要求8所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述发光部使所述光以线状照射，
所述受光部接受以线状反射的所述反射光。


10.根据权利要求8所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述发光部使所述光以面状照射，
所述受光部接受以面状反射的所述反射光。


11.根据权利要求1～10中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述罩在它与所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面之间具有间隙。


12.根据权利要求1～10中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第2电极具有至少一个贯通孔。


13.根据权利要求1～12中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
在所述第1电极之上配置所述压电基板，
所述第2电极和所述检测器由所述驱动部保持且移动。


14.根据权利要求1～13中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔弘毅，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP