一种静电吸盘的防腐蚀方法技术

本发明专利技术提供了一种静电吸盘的防腐蚀方法，其为防止活性自由基对静电吸盘的腐蚀，所述方法为于静电吸盘上的通道中通入惰性气体。本发明专利技术还提供了一种等离子体处理装置的腔室清洁方法。本发明专利技术提供的方法能够有效解决静电吸盘的黏着层易被高活性自由基腐蚀的问题，使静电吸盘能够保持良好的导热功能，制得晶片的良率可得到明显提高，而且，本发明专利技术的方法无需使用挡控片，工艺简便，成本低廉，不会产生额外的污染，防护效果好，等离子体腔室及静电吸盘的使用寿命均可大幅延长。

An anti-corrosion method of electrostatic suction cup

【技术实现步骤摘要】
一种静电吸盘的防腐蚀方法
本专利技术涉及半导体器件制造领域，具体涉及一种静电吸盘的防腐蚀方法以及一种等离子体处理装置的腔室清洁方法。
技术介绍
在半导体制造领域，静电吸盘(ElectrodeStaticChuck，ESC)通过高压静电吸附作用来承载工艺过程中的晶片(wafer)，已被广泛应用于光刻、离子注入、刻蚀、薄膜等多种工艺过程中。以蚀刻工艺为例，其作用在于将已沉积薄膜(未被掩膜层所覆盖的区域)移除，在工艺进行中，一部分反应生成聚合物的副产物，会被真空系统抽走，一部分则会附着于处理室(腔室)侧壁上，随着蚀刻的晶片数量增加，副产物附着于腔室侧壁上的量也随之增加，此时腔室的状况将增加工艺参数漂移与微粒缺陷(particledefect)的风险。在单片晶片的制造间隙导入清洁工艺，可有效地减少副产物附着于腔室侧壁的量。常见的清洁工艺是利用电极高功率射频形成的等离子体(plasma)，搭配氟、氧等易解离为化学活性较强的自由基(radical)的气体，清洁过程中，静电吸盘直接暴露于等离子体中，氟、氧自由基可通过静电吸盘的导热气体通道、顶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸盘的防腐蚀方法，其为防止活性自由基对静电吸盘的腐蚀，其特征在于，于所述静电吸盘上的通道中通入惰性气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘的防腐蚀方法，其为防止活性自由基对静电吸盘的腐蚀，其特征在于，于所述静电吸盘上的通道中通入惰性气体。


2.根据权利要求1所述的防腐蚀方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气。


3.根据权利要求1或2所述的防腐蚀方法，其特征在于，所述惰性气体的压力为1～25Torr。


4.根据权利要求1或2所述的防腐蚀方法，其特征在于，所述通道为所述静电吸盘上设置的导热气体通道以及顶销通孔中的全部或部分。


5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34