一种超薄晶圆加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种超薄晶圆加工装置，其中所述的磨轮为圆盘状，所述的磨轮放置在晶圆顶部，所述的晶圆底部通过真空吸附在晶圆操作台上；所述的磨轮底部边缘设有卡槽，所述的卡槽内通过卡扣连接有磨片，所述的卡槽顶部设有水槽，且水槽贯穿磨轮顶部，所述的水槽内安装有水管；所述的磨轮中部安装有连接轴，所述的连接轴与电机连接；优点为：本发明专利技术降低晶圆边缘的崩坏率，保留晶圆边缘的厚度，降低减薄过程中因边缘过薄造成的崩坏，减少晶圆裂片，提高晶圆的成品率。

An ultra thin wafer processing device

【技术实现步骤摘要】
一种超薄晶圆加工装置
本专利技术涉及晶圆加工领域，尤其是涉及一种超薄晶圆加工装置。
技术介绍
目前市场上半导体领域晶圆的背面减薄工艺单一，通常减薄后晶圆的厚度在150微米及以上。当减薄后晶圆的厚度在120微米及以下时，由于加工的晶圆太薄，在进行减薄工艺时，晶圆边缘容易崩坏，导致晶圆裂片，造成晶圆成品率偏低。现有方法通过大尺寸磨轮的高速旋转逐渐的将晶圆片减薄，因为高速的摩擦减薄会产生大量的热，需要在晶圆外通过高压水冲降低磨轮的温度。磨轮的直径会大于晶圆的直径。目前生产线大多采用该种方法对晶圆进行减薄处理。减薄后晶圆的尺寸厚度大于150微米及以上时，晶圆的碎片率不高，但是当减薄后晶圆的尺寸小于120微米时，由于边缘较薄，在高速摩擦中，容易崩坏，导致晶圆的碎片率会比较高，造成晶圆的浪费，增加了成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于为解决现有技术的不足，而提供一种超薄晶圆加工装置。本专利技术新的技术方案是：一种超薄晶圆加工装置，包括磨轮、水槽、磨片及连接轴，所述的磨轮为圆盘状，所述的磨轮放置在晶圆顶部，所述的晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄晶圆加工装置，包括磨轮（1）、水槽（2）、磨片（3）及连接轴（4），其特征在于：所述的磨轮（1）为圆盘状，所述的磨轮（1）放置在晶圆（5）顶部，所述的晶圆（5）底部通过真空吸附在晶圆操作台上；所述的磨轮（1）底部边缘设有卡槽，所述的卡槽内通过卡扣连接有磨片（3），所述的卡槽顶部设有水槽（2），且水槽（2）贯穿磨轮（1）顶部，所述的水槽（2）内安装有水管；所述的磨轮（1）中部安装有连接轴（4），所述的连接轴（4）与电机连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种超薄晶圆加工装置，包括磨轮（1）、水槽（2）、磨片（3）及连接轴（4），其特征在于：所述的磨轮（1）为圆盘状，所述的磨轮（1）放置在晶圆（5）顶部，所述的晶圆（5）底部通过真空吸附在晶圆操作台上；所述的磨轮（1）底部边缘设有卡槽，所述的卡槽内通过卡扣连接有磨片（3），所述的卡槽顶部设有水槽（2），且水槽（2）贯穿磨轮（1）顶部，所述的水槽（2）内安装有水管；所述的磨轮（1）中部安装有连接轴（4），所述的连接轴（4）与电机连接。


2.根据权利要求1所述的一种超薄晶圆加工装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘锋杰，李守亮，李向坤，刘传利，刘星义，王琪，徐金金，王曰兵，
申请(专利权)人：科达半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37