电子设备、电子设备的壳体及其加工方法技术

本发明专利技术公开一种电子设备的壳体加工方法，包括：在壳体基材上设置膜层，所述膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，相邻的两层所述子膜层的折射率不同，且低折射率的所述子膜层与高折射率的所述子膜层交替层叠设置，各所述子膜层的厚度为λ/4，其中，380nm≤λ≤780nm；依据设置有所述膜层的所述壳体基材制备所述壳体。本发明专利技术公开一种电子设备的壳体及电子设备。上述方案能解决目前的电子设备存在美观性能较差的问题。

Electronic equipment, shell of electronic equipment and its processing method

【技术实现步骤摘要】
电子设备、电子设备的壳体及其加工方法
本专利技术涉及壳体加工
，尤其涉及一种电子设备、电子设备的壳体及其加工方法。
技术介绍
随着技术的发展，电子设备的性能越来越优良，各大生产厂商的竞争日趋激烈，相应地，越来越新颖的电子设备层出不穷。目前，用户越来越重视电子设备的美观性能，因此对电子设备的美观性能的要求越来越高。目前的电子设备的壳体在制造的过程中通常会用到彩色镀膜工艺，但是观众在不同角度观察壳体时壳体的色彩比较呆板。可见，目前的电子设备的壳体仍然存在美观性较差的问题。
技术实现思路
本专利技术公开一种电子设备的壳体加工方法，以解决目前的电子设备存在美观性能较差的问题。为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：第一方面，本专利技术实施例公开一种电子设备的壳体加工方法，包括：在壳体基材上设置膜层，所述膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，相邻的两层所述子膜层的折射率不同，且低折射率的所述子膜层与高折射率的所述子膜层交替层叠设置，各所述子膜层的厚度为λ/4，其中，380nm≤λ≤780nm；依据设置有所述膜层的所述壳体基材制备所述壳体。第二方面，本专利技术实施例公开一种电子设备的壳体，所述壳体由上文所述的壳体加工方法制备而成。第三方面，本专利技术实施例公开一种电子设备，所述电子设备包括上文所述的壳体。本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：本专利技术实施例公开的壳体加工方法中，在壳体基材上设置膜层，使得膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，由于相邻的两层子膜层的折射率不同，因此在光的干涉作用下，能够使得膜层形成变幻的光学色彩，从而能够丰富壳体的视觉表现能力，使得用户在不同的视角下观察壳体，则能够观察到壳体的颜色的变化。相比于目前通过渐变色镀膜的方式而言，本专利技术实施例公开的壳体加工方法充分利用子膜层的折射率之间的差异，进而通过光的干涉形成灵活的颜色渐变效果，这无疑能够提高电子设备的美观性。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例公开的电子设备的壳体加工方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例公开的电子设备的壳体的结构示意图。附图标记说明：100-壳体基材、200-膜层、210-子膜层、300-遮光油墨层。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。请参考图1和图2，本专利技术实施例公开一种电子设备的壳体加工方法，所涉及的壳体可以为电子设备的壳体。所公开的壳体加工方法，包括：S101、在壳体基材100上设置膜层200。壳体基材100为所制备的壳体的主体部分，壳体基材100能够为其他结构提供设置位置及支撑。在本专利技术实施例中，壳体基材100的种类可以有多种，具体的，壳体基材100可以为透光基材，也可以为非透光基材。壳体基材100可以是金属基材，也可以是非金属基材。一种具体的实施方式中，壳体基材100可以是透明基材，例如玻璃基材。当然，壳体基材100还可以是非金属基材，具体的，壳体基材100可以是高分子透明树脂基材，例如PET片。在本专利技术实施例中，膜层200包括逐层叠置的至少三层子膜层210，相邻的两层子膜层210的折射率不同，而且，低折射率的子膜层210与高折射率的子膜层210交替层叠设置。在通常情况下，相邻的两层子膜层210的材质不同，从而实现折射率之间的差异。当然，也可以通过设置具体的微结构，从而实现折射率的不同。在本专利技术实施例中，各子膜层210的厚度为λ/4，其中，380nm≤λ≤780nm。需要说明的是，在本专利技术实施例中，低折射率与高折射率为相对概念，本专利技术实施例不限制相邻的两层子膜层210的折射率的具体数值。在可选的方案中，至少三层子膜层210的厚度可以在远离壳体基材100的方向上递增或递减，从而能够实现对更多可见光波段的反射，在子膜层210的数量足够的前提下，厚度递减或递增的子膜层210能够实现全波段可见光更高的反射率。一种具体的实施方式中，膜层200的最外层的子膜层210可以为低折射率的子膜层210，在此情况下，能够提升整个膜层200的亮度，最终使得制备的壳体具有较高的亮度。S102、依据设置有膜层200的壳体基材100制备壳体。膜层200设置在壳体基材100上，最终形成制备壳体的原基材，然后可以根据壳体的设计，利用配置有膜层200的壳体基材100进行制备。在通常情况下，可以将较大面积的原基材(即配置有膜层200的壳体基材100)通过切割(例如CNC加工)、折弯或热压等工艺，最终制备处壳体。具体的，本步骤中通过设置有膜层200的壳体基材100进行壳体的制备过程为公知技术，在此不再赘述。本专利技术实施例公开的壳体加工方法中，在壳体基材100上设置膜层200，使得膜层200包括逐层叠置的至少三层子膜层210，由于相邻的两层子膜层210的折射率不同，因此在光的干涉作用下，能够使得膜层200形成变幻的光学色彩，从而能够丰富壳体的视觉表现能力，使得用户在不同的视角下观察壳体，则能够观察到壳体的颜色的变化。相比于目前通过渐变色镀膜的方式而言，本专利技术实施例公开的壳体加工方法充分利用子膜层210的折射率的差异，进而通过光的干涉形成灵活的颜色渐变效果，这无疑能够提高电子设备的美观性。如上文所述，相邻的两层子膜层210的折射率不同，可以通过使相邻的两层子膜层210的材料不同实现。可选的方案中，低折射率的子膜层210的材质可以为二氧化硅、氟化镁等。高折射率的子膜层210的材质可以为五氧化二锂、五氧化三钛或二氧化锆，本专利技术实施例不限制低折射率的子膜层210和高折射率的子膜层210的具体材质。在本专利技术实施例中，在壳体基材100上设置膜层200的方式有多种，具体的，可以采用印刷的方式将膜层200设置在壳体基材100上，也可以通过涂抹的方式将膜层200设置在壳体基材100上。本专利技术实施例不限制膜层200在壳体基材100上的具体设置方式。一种可选的方案中，在壳体基材100上设置膜层200，可以包括：通过光学镀膜机进行PVD镀膜，以形成膜层200，真空度为3.0E～5Torr，低折射率的子膜层210的镀膜速度为4nm/s，高折射率的子膜层210的镀膜速度为0.2nm/s，蒸发方式为电子枪蒸发或磁控溅射蒸发。本专利技术实施例公开的壳体加工方法还可以在壳体基材100设置膜层200与制备壳体之间(即在上文所述的S101与S102之间)，还可以包括：在膜层200上背离壳体基材100的一侧设置遮光油墨层300本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备的壳体加工方法，其特征在于，包括：/n在壳体基材上设置膜层，所述膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，相邻的两层所述子膜层的折射率不同，且低折射率的所述子膜层与高折射率的所述子膜层交替层叠设置，各所述子膜层的厚度为λ/4，其中，380nm≤λ≤780nm；/n依据设置有所述膜层的所述壳体基材制备所述壳体。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子设备的壳体加工方法，其特征在于，包括：
在壳体基材上设置膜层，所述膜层包括逐层叠置的至少三层子膜层，相邻的两层所述子膜层的折射率不同，且低折射率的所述子膜层与高折射率的所述子膜层交替层叠设置，各所述子膜层的厚度为λ/4，其中，380nm≤λ≤780nm；
依据设置有所述膜层的所述壳体基材制备所述壳体。


2.根据权利要求1所述的壳体加工方法，其特征在于，在壳体基材上设置膜层与制备所述壳体之间，还包括：
在所述膜层上背离所述壳体基材的一侧设置遮光油墨层，所述壳体基材为透明基材。


3.根据权利要求2所述的壳体加工方法，其特征在于，在所述膜层上背离所述壳体基材的一侧设置遮光油墨层，包括：
在所述膜层上设置白色油墨层；
在所述白色油墨层上设置黑色油墨层，所述白色油墨层和所述黑色油墨层均包括至少两层叠置的丝印子层。


4.根据权利要求3所述的壳体加工方法，其特征在于，所述遮光油墨层的厚度为33μm-37μm。


5.根据权利要求2所述的壳体加工方法，其特征在于，在所述膜层上背离所述壳体基材的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚强，冷雪翔，罗逸，
申请(专利权)人：维沃移动通信重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50