基于量子点液晶分子的显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种基于量子点液晶分子的显示面板，其特征在于，包括自下而上设置的导光板uLED、横向偏振片、液晶盒下基板、量子点液晶分子、液晶盒上基板和垂直向偏振片；所述导光板uLED内设置有背光源LED；所述液晶盒内部布置有寻址电极阵列，并在行列寻址电极交错处布有错位电极；所述量子点液晶分子通过黑色光刻胶阵列隔开；通过错位电极的方式调节液晶面板的开闭模式，通过控制背光源是否激发量子点液晶从而实现液晶面板即显示像素的功能。本发明专利技术去除了传统液晶显示面板的彩膜层，大大提高了光利用效率，隔绝了各像素光之间的串扰，简化了液晶显示面板的结构。

【技术实现步骤摘要】
基于量子点液晶分子的显示面板及其制作方法
本专利技术涉及LCD、纳米线材料、量子点显示领域，具体涉及一种基于量子点液晶分子的显示面板及其制作方法。
技术介绍
在平板显示
中，液晶显示技术由于其产品功耗小、寿命长等优点，占据了平板显示产品的主流，对于现有产线，各尺寸液晶面板都极其完善、成熟，因此液晶显示面板成本也较小，然而，现有产线的LCD颜色特性仍然是其短板，很难突破NTSC100%的指标，彩膜层与液晶盒的组合使背光出光的光利用率一降再降；对于赛事、电竞领域，低响应速度的LCD面板仍会出现拖影的情况，在大屏显示中，液晶的可视角度也存在需改进之处。为了解决以上问题，提升uLED产业效率，简化结构，开发、设计新型的uLED成为迫切的要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种基于量子点液晶分子的显示面板及其制作方法。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种基于量子点液晶分子的显示面板，其包括自下而上设置的导光板uLED、横向偏振片、液晶盒下基板、量子点液晶分子、液晶盒上基板和垂直向偏振片；所述导光板uLED内设置有背光源LED；所述液晶盒内部布置有寻址电极阵列，并在行列寻址电极交错处布有错位电极；所述量子点液晶分子通过黑色光刻胶阵列隔开；通过错位电极的方式调节液晶面板的开闭模式，通过控制背光源是否激发量子点液晶从而实现液晶面板即显示像素的功能。进一步的，所述错位电极为为错位梳状分布的条形/凸起多面体。进一步的，所述液晶盒为经过光刻工艺的井田黑色光刻胶阵列分割的液晶盒，每个单元作为发光子像素，根据激发光源的不同，填充不同基色的量子点液晶分子，黑色光刻胶阵列起隔绝子像素光串扰作用。进一步的，所述量子点液晶分子为纳米线包覆的液晶分子，液晶分子为垂直取向的棒状液晶。一种基于量子点液晶分子的显示面板的制作方法，包括以下步骤：步骤S1:将液晶盒底板涂敷电极材料，通过刻蚀手法获得梳状错位分布电极与行列寻址电极，并以此为下基板旋涂黑色光刻胶，显影后获得规则分布的Bank阵列，利用相同的方法获得仅需布置电极的上基板；步骤S2:生长各基色纳米线材料并包覆于向列型液晶分子，加入垂直取向剂后分别注入子像素bank内，将液晶盒上对位覆盖于下基板上抽真空后进行胶封，获得液晶盒；步骤S3:通过组装，自下而上依次安置导光板uLED、水平偏振片、液晶盒、垂直偏振片即获得基于量子点液晶分子的显示面板。进一步的，所述纳米线材料生产方法如下：（1）对衬底进行清洗和处理，将样品依次在去离子水、乙醇和去离子水中进行超声清洗，除去表面残留的污染物并用氮气吹干；（2）将衬底放入物理气相沉积装置反应腔内，并开始纳米线缓冲层的蒸镀；（3）将覆有缓冲层薄膜的衬底放入多片式HVPE生长系统中，开始低温生长纳米线，后降温取出样品，即获得纳米线材料。进一步的，所述量子点液晶分子制备方式如下：（1）量取无水乙醇、向列型液晶分子与MPTMS试剂，按比例置于弱酸/弱碱的溶液条件下，以转速5000r/min搅拌24h，使液晶分子主体表面硫醇官能化；（2）使用与包覆环境相反的弱碱/弱酸性试剂清洗，并通过萃取分离获得表面硫醇官能化的向列型液晶分子溶液，循环三次；（3）将萃取获得的高纯度液晶分子溶液根据激发光源分为二或三份，并分别加入不同基色的量子点纳米线，磁力搅拌2至5h完成纳米线的包覆；（4）在量子点液晶分子溶液中滴加取向剂，使包覆后的液晶分子长轴方向取向为垂直于液晶盒基板水平表面。本专利技术与现有技术相比具有以下有益效果：1、本专利技术去除了传统液晶显示面板的彩膜层，大大提高了光利用效率，隔绝了各像素光之间的串扰，简化了液晶显示面板的结构；2、本专利技术错位排布的电极及其形状将液晶划分为多畴液晶，扩展了量子点液晶面板的可视角度，量子点的光激发也极大地提高了液晶显示的色域。附图说明图1为本专利技术中实施例1的一种基于量子点液晶分子的显示面板点亮状态下的结构图。图2为本专利技术中实施例1的一种基于量子点液晶分子的显示面板未点亮状态下的结构图。图3为本专利技术中实施例1的一种基于量子点液晶分子的显示面板内用于液晶分子包覆的纳米线生长图。图4为本专利技术中实施例1的一种基于量子点液晶分子的显示面板内量子点液晶分子图。图5为本专利技术中实施例1的一种基于量子点液晶分子的显示面板液晶盒上基板结构图。图6为本专利技术中实施例1的一种基于量子点液晶分子的显示面板突三面体电极结构的出光示意图。图7为本专利技术中实施例2的一种基于量子点液晶分子的显示面板条状电极结构的出光示意图图8为本专利技术一实施例中制作流程图；图中，1-背光源LED，101-蓝光LED，102-白光LED，2-导光板，3-横向偏振片，4-液晶盒下基板，5-寻址电极阵列，601-错位凸三面体电极，602-错位条型电极，7-量子点液晶分子，701-硅基板，702-生长缓冲层，703-量子点纳米线，704-液晶分子，8-黑色光刻胶阵列，9-液晶盒上基板，10-垂直向偏振片。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术做进一步说明。请参照图1，本专利技术提供一种基于量子点液晶分子的显示面板，其包括自下而上设置的导光板uLED、横向偏振片、液晶盒下基板、量子点液晶分子、液晶盒上基板和垂直向偏振片；所述导光板uLED内设置有背光源LED；所述液晶盒内部布置有寻址电极阵列，并在行列寻址电极交错处布有错位电极；所述量子点液晶分子通过黑色光刻胶阵列隔开；通过错位电极的方式调节液晶面板的开闭模式，通过控制背光源是否激发量子点液晶从而实现液晶面板即显示像素的功能。在本实施例中，所述错位电极为为错位梳状分布的条形/凸起多面体。条形电极制备为：利用透明玻璃作为器件的基底，在透明玻璃上沉积整片ITO,并在ITO上涂覆一层光刻胶,采用光刻定义条状ITO，然后刻蚀；凸多面体电极制备为：在基板上沉积整片较厚的电极膜层，采用激光刻蚀削去多余膜层，使电极成为凸多面体。所述电极材料包括但不限于石墨烯、PEDOT：PSS、氧化铟锡、金属银、铂或金。在本实施例中，所述液晶盒为经过光刻工艺的井田黑色光刻胶阵列分割的液晶盒，每个单元作为发光子像素，根据激发光源的不同，填充不同基色的量子点液晶分子，黑色光刻胶阵列起隔绝子像素光串扰作用。所述黑色光刻胶，其透光率≤5%，材料为胶质石墨扩散液、树脂型胶水或金属类材料，金属类材料由SiO和Cr、W、Fe、Ni等组成，但不限于此，根据产线所需分辨率和像素排列制作掩模板，通过显影去除多余胶体，使得液晶盒底板上规则分布Bank用于填充液晶分子，Bank深度为2-7um。一种基于量子点液晶分子的显示面板的制作方法，包括以下步骤：步骤S1:将液晶盒底板涂敷电极材料，通过刻蚀手法获得梳状错位分布电极与行列寻址电极，并以此为下基板旋涂黑色光刻胶，显影后获得规则分布的Bank阵列，利用相同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于量子点液晶分子的显示面板，其特征在于，包括自下而上设置的导光板uLED、横向偏振片、液晶盒下基板、量子点液晶分子、液晶盒上基板和垂直向偏振片；所述导光板uLED内设置有背光源LED；所述液晶盒内部布置有寻址电极阵列，并在行列寻址电极交错处布有错位电极；所述量子点液晶分子通过黑色光刻胶阵列隔开。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于量子点液晶分子的显示面板，其特征在于，包括自下而上设置的导光板uLED、横向偏振片、液晶盒下基板、量子点液晶分子、液晶盒上基板和垂直向偏振片；所述导光板uLED内设置有背光源LED；所述液晶盒内部布置有寻址电极阵列，并在行列寻址电极交错处布有错位电极；所述量子点液晶分子通过黑色光刻胶阵列隔开。


2.根据权利要求1所述的基于量子点液晶分子的显示面板，其特征在于：所述错位电极为为错位梳状分布的条形/凸起多面体。


3.根据权利要求1所述的基于量子点液晶分子的显示面板，其特征在于：所述液晶盒为经过光刻工艺的井田黑色光刻胶阵列分割的液晶盒，每个单元作为发光子像素，根据激发光源的不同，填充不同基色的量子点液晶分子，黑色光刻胶阵列起隔绝子像素光串扰作用。


4.根据权利要求1所述的基于量子点液晶分子的显示面板，其特征在于：所述量子点液晶分子为纳米线包覆的液晶分子，液晶分子为垂直取向的棒状液晶。


5.一种基于量子点液晶分子的显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1:将液晶盒底板涂敷电极材料，通过刻蚀手法获得梳状错位分布电极与行列寻址电极，并以此为下基板旋涂黑色光刻胶，显影后获得规则分布的Bank阵列，利用相同的方法获得仅需布置电极的上基板；
步骤S2:生长各基色纳米线材料并包覆于向列型液晶分子，加入垂直取向剂后分别注入子像素bank内，将液晶盒上...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶芸，江宗钊，郭太良，林鉴垚，郭举，陈恩果，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建;35