光转换结构及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种光转换结构和显示装置，光转换结构包括依次设置的基底层、中间层和光转换层，基底层具有第一折射率；中间层具有第二折射率；光转换层具有第三折射率，光转换层包括第一光转换单元、第二光转换单元和第三光转换单元，第一光转换单元、第二光转换单元和第三光转换单元光转换发出的光颜色不同；第二折射率大于第一折射率，第二折射率大于第三折射率。本申请采用第二折射率大于第一折射率设计，使得中间层与光转化层形成光反射界面，并利用光发生全内反射时，进入光转化层的倏逝波可以激发光转化层辐射荧光，提高了光转化层的光转化效率。

Light conversion structure and display device

【技术实现步骤摘要】
光转换结构及显示装置
本申请涉及一种显示
，特别涉及一种光转换结构及显示装置。
技术介绍
目前，量子点(QD,quantumdots)显示技术发展迅速，已经出现了如将量子点应用于背光、彩膜基板和有机发光二极管显示面板等显示产品，其核心技术是量子点光转换技术。量子点显示正是利用光转换后的发射光谱宽度较窄而获得高色域效果。由于量子点本身光转换效率较低，在器件中需要将量子点膜层设置得较厚(微米级)来提高光转换率，同时吸收多余的蓝光。
技术实现思路
本申请实施例提供一种光转换结构及显示装置，以解决现有的显示产品中，在满足高色域显示效果的前提下，量子点膜层的厚度较厚的技术问题。本申请实施例提供一种光转换结构，用于发光或/和显示，所述光转换结构包括：基底层，所述基底层为入光侧，所述基底层具有第一折射率；中间层，所述中间层设置在所述基底层上，所述中间层具有第二折射率；以及光转换层，所述光转换层为出光侧，所述光转换层设置在所述中间层上，所述光转换层具有第三折射率，所述光转换层包括第一光转换单元、第二光转本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光转换结构，用于发光或/和显示，其特征在于，所述光转换结构包括：/n基底层，所述基底层具有第一折射率；/n中间层，所述中间层设置在所述基底层上，所述中间层具有第二折射率；以及/n光转换层，所述光转换层为出光侧，所述光转换层设置在所述中间层上，所述光转换层具有第三折射率，所述光转换层包括第一光转换单元、第二光转换单元和第三光转换单元，所述第一光转换单元、第二光转换单元和第三光转换单元光转换发出的光颜色不同；/n所述第二折射率大于所述第一折射率，所述第二折射率大于所述第三折射率。/n

【技术特征摘要】
1.一种光转换结构，用于发光或/和显示，其特征在于，所述光转换结构包括：
基底层，所述基底层具有第一折射率；
中间层，所述中间层设置在所述基底层上，所述中间层具有第二折射率；以及
光转换层，所述光转换层为出光侧，所述光转换层设置在所述中间层上，所述光转换层具有第三折射率，所述光转换层包括第一光转换单元、第二光转换单元和第三光转换单元，所述第一光转换单元、第二光转换单元和第三光转换单元光转换发出的光颜色不同；
所述第二折射率大于所述第一折射率，所述第二折射率大于所述第三折射率。


2.根据权利要求1所述的光转换结构，其特征在于，所述第一折射率小于或等于所述第三折射率。


3.根据权利要求1所述的光转换结构，其特征在于，所述光转换层的材料为量子点、荧光粉或钙钛矿中的一种。


4.根据权利要求1所述的光转换结构，其特征在于，所述光转换层的厚度介于190纳米至240纳米之间。


5.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括背光模组和液晶盒，所述液晶盒设置在所述背光模组的出光侧，所述背光模组包括光源和设置在光源出光侧的光转换结构，所述光源发射蓝光；所述光转换结构包括：
基底层，所述基底层具有第一折射率；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍英东，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44