含稠环结构的有机化合物及有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种式I所示的含稠环结构的有机化合物。本发明专利技术还提供了所述有机化合物在电致发光器件中的应用。所述含稠环结构的有机化合物相较于现有技术的有机化合物具有较窄的发射峰半峰宽进而使得具有优异的色纯度；含有该含稠环结构的有机化合物应用于AMOLED顶发射屏体上可以具有更高的发光效率，有利于使有机电致发光器件具有更低的驱动电压及更长的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
含稠环结构的有机化合物及有机电致发光器件
本专利技术涉及一种含稠环结构的有机化合物及有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光(electroluminescence,EL)的研究早在二十世纪六十年就开始了，1963年，美国纽约大学Pope等人以电解质溶液为电极，在蒽单晶的两侧加400v直流电压时，观察到了蒽的蓝色电致发光。但是，由于单晶难于生长，驱动电压很高，几乎没有实际用途，但这些早期研究建立了对有机电致发光全过程的认识。真正使有机电致发光获得划时代发展是在80年代，1987年，Kodak公司Tang等人通过真空蒸镀的方法，使用芳香二胺作空穴传输层，8-羟基喹啉铝作发光层，制备了三明治型的有机电致发光二极管,，其驱动电压小于10V，发光效率为1.5lm/W,发光亮度高达1000cd/m2使得有机电致发光材料及器件具有了实用价值，从此大大推动了有机电致发光材料及器件的研究。有机电致发光二极管(organiclight-emittingdiode,OLED)是目前发展最迅速，最具大规模商业化应用前景技术，OLED器件具有亮度高，能耗低，响应快，可柔性化等优异性质。OLED器件的基本结构包括阳极(anode)，空穴注入层(hole-injectionlayer，HIL),空穴传输层(hole-transportinglayer，HTL),发光层(emittinglayer，EML),电子传输层(elecron-transportinglayer，ETL),电子注入层(electron-injectionlayer，ELT)以及阴极(cathode)，根据需要还可以加入空穴/电子阻挡层(hole/electronblockinglayer，HBL/EBL)。EML是OLED器件中直接将电致激发产生的激子转化为光子的层，EML效率的高低对OLED器件性能有着决定性的影响，据报导最早的OLED发光层是一层纯的Alq3，器件结构简单，但由于发光材料存在浓度淬灭效应，器件效率很低。1989年，同样是C.W.Tang等人提出了主客体掺杂，激子会在主体材料上复合，进而将能量传递给客体进行发光，解决了客体浓度淬灭问题，从而提高器件的发光效率，并有效的解决提高器件寿命。但现如今OLED器件或屏体仍然存在驱动电压高、使用寿命短及发光效率低的问题，其中蓝光客体材料尤其是深蓝光材料更是影响OLED屏体整体性能的短板，其中包括激子利用率低，发光效率低，色纯度不高，浓度淬灭也是亟需解决的问题，为了改善这些缺陷，一方面器件结构需要进一步优化，另一方面也需要改进各功能层及发光材料的性能，其中发光层中的客体材料对发光效率、使用寿命及色纯度有着至关重要的作用。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术提供的有机电致发光器件驱动电压高、效率低，使用寿命短的缺陷，提供一种新的含稠环结构的有机化合物，以期使得含有该含稠环结构的有机化合物相较于现有技术的有机化合物具有较窄的发射峰半峰宽进而使得具有优异的色纯度；含有该含稠环结构的有机化合物应用于AMOLED顶发射屏体上可以具有更高的发光效率，有利于使有机电致发光器件具有更低的驱动电压及更长的使用寿命。为了实现上述目的，本专利技术的第一方面提供一种新的含有稠环结构的有机化合物，该化合物具有式(I)所示的结构：式I中，R1至R8相同或不同，各自独立选自氢、氘和甲基；R9至R12相同或不同，各自独立选自含取代基或不含取代基的C6-C40芳基，含取代基或不含取代基的C3-C40杂芳基、含取代基或不含取代基的C9-C40稠环芳基、含取代基或不含取代基的C5-C40稠环杂芳基。根据本专利技术的一些实施方式，式I中，R9至R12相同或不同，各自独立选自含取代基或不含取代基的C6-C30芳基，含取代基或不含取代基的C3-C30杂芳基、含取代基或不含取代基的C9-C30稠环芳基、含取代基或不含取代基的C5-C30稠环杂芳基。根据本专利技术的一些实施方式，所述取代基选自卤素、氰基、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基。根据本专利技术的一些实施方式，所述C1-C10烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、正戊基、异戊基、正己基和正庚基。根据本专利技术的一些实施方式，所述C1-C10烷氧基选自甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基、异丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、正己氧基和正庚氧基。根据本专利技术的一些实施方式，所述卤素选自氟、氯、溴和碘。根据本专利技术的一些实施方式，式I中，R1至R8相同，选自氢、氘和甲基。根据本专利技术的一些实施方式，所述有机化合物的结构如式II、式III或式IV所示，根据本专利技术的一些实施方式，式I中，R1-R4中至少有一个为甲基和R5-R8中至少有一个为甲基，其余为氢或氘。根据本专利技术的一些实施方式，式I中，R1-R4中有一个为甲基，并且R5-R8中有一个为甲基，其余为氢或氘，优选地所述有机化合物的结构如式V或式VI所示，根据本专利技术的一些实施方式，式I中，R1-R4中有两个为甲基，并且R5-R8中有两个为甲基，其余为氢或氘，优选地所述有机化合物的结构如式VII、式VIII、式IX、式X或式XI所示，根据本专利技术的一些实施方式，式I中，R1-R4中有三个为甲基，并且R5-R8中有三个为甲基，其余为氢或氘，优选地所述有机化合物的结构如式XII或式XIII所示，根据本专利技术的一些实施方式，R9至R12相同或不同，各自独立选自含取代基或不含取代基的C6-C20芳基，含取代基或不含取代基的C3-C20杂芳基、含取代基或不含取代基的C9-C20稠环芳基和含取代基或不含取代基的C5-C20稠环杂芳基。根据本专利技术的一些实施方式，R9至R12相同或不同，各自独立选自含取代基或不含取代基的苯基、含取代基或不含取代基的联苯基、含取代基或不含取代基的萘基、含取代基或不含取代基的蒽基、含取代基或不含取代基的菲基、含取代基或不含取代基的对三联苯基、含取代基或不含取代基的二苯并呋喃基、含取代基或不含取代基的二苯并噻吩基、含取代基或不含取代基的咔唑基和含取代基或不含取代基的芴基。根据本专利技术的一些实施方式，R9至R12相同或不同，各自独立选自含取代基或不含取代基的苯基、含取代基或不含取代基的联苯基、含取代基或不含取代基的萘基、含取代基或不含取代基的蒽基、含取代基或不含取代基的菲基、含取代基或不含取代基的对三联苯基、含取代基或不含取代基的二苯并呋喃基、含取代基或不含取代基的二苯并噻吩基、含取代基或不含取代基的咔唑基和含取代基或不含取代基的芴基，所述取代基选自卤素、氰基、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基。根据本专利技术的一些实施方式，R9至R12相同或不同，各自独立选自以下基团：本专利技术中，各基团上的星号*表示基团与其他部分的连接点。本专利技术的有机化合物的具体例子包括但不限于以下化合物：...

【技术保护点】
1.一种含稠环结构的有机化合物，其结构如式I所示，/n

【技术特征摘要】
1.一种含稠环结构的有机化合物，其结构如式I所示，



式I中，R1至R8相同或不同，各自独立选自氢、氘和甲基；
R9至R12相同或不同，各自独立选自含取代基或不含取代基的C6-C40芳基，含取代基或不含取代基的C3-C40杂芳基、含取代基或不含取代基的C9-C40稠环芳基、含取代基或不含取代基的C5-C40稠环杂芳基，优选选自含取代基或不含取代基的C6-C30芳基，含取代基或不含取代基的C3-C30杂芳基、含取代基或不含取代基的C9-C30稠环芳基、含取代基或不含取代基的C5-C30稠环杂芳基。


2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述取代基选自卤素、氰基、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基，
优选地，所述卤素选自氟、氯、溴和碘，所述C1-C10烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、正戊基、异戊基、正己基和正庚基；所述C1-C10烷氧基选自甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基、异丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、正己氧基和正庚氧基。


3.根据权利要求1或2所述的有机化合物，其特征在于，式I中，R1至R8相同，选自氢、氘和甲基，优选地，所述有机化合物的结构如式II、式III或式IV所示，





4.根据权利要求1-3中任意一项所述的有机化合物，其特征在于，式I中，R1-R4中至少有一个为甲基，并且R5-R8中至少有一个为甲基，其余为氢或氘，
优选地，R1-R4中有一个为甲基，并且R5-R8中有一个为甲基，其余为氢或氘，更优选地所述有机化合物的结构如式V或式VI所示，



和/或，R1-R4中有两个为甲基，并且R5-R8中有两个为甲基，其余为氢或氘，更优选地所述有机化合物的结构如式VII、式VIII、式IX、式X或式XI所示，



和/或，R1-R4中有三个为甲基，并且R5-R8中有三个为甲...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕瑶，冯美娟，吴卫娜，范洪涛，
申请(专利权)人：北京绿人科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11